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发表于 2019-5-15 15:28:47
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本帖最后由 yngz 于 2019-5-15 15:30 编辑
我重新试验了一下,发现了自己的一个错误,昨天的试验把S和D搞反了。按照手册中的元件外形确定的SGD与实际这个管子SGD的排列顺序是反的,怪不得特性显得那么奇怪,与以往遇到的场效应管特性都不同。
这个图的SGD顺序是有问题的,实际的SGD的顺序更符合TO92封装EBC的排列。
纠正了这个错误,重新测试,性能表现稍微好了一些,但1K电阻负载的电压增益仍然没有超过输入电压,输出电压大约等于输入电压的2/3。在1K负载电阻下没有观察到弱信号时增益反常增大的现象。如果增益在低信号下反常增大,大信号的波形是会产生失真的,因为大信号的瞬时电压通过弱信号的区域。把1K负载电阻换成10K,则可以获得3倍左右的电压增益。
不过这一结果并没有改变昨天的结论。跨导太低,用处不大。与此对比,BF998在1K负载电阻下可以获得7倍的电压增益。场效应管的跨导,与三极管的电流放大倍数一样,是晶体管的“优度”指标之一。其值越大,则意味着弱电控制强电的能力越强,性能越好。这个管子的输入并联电阻大约是1M,而不是手册中的25M,直接与谐振回路连接会比一般的场效应管产生更大的损耗。既没有高跨导,又没有高输入阻抗,又不是S、D可以互换使用的对称器件,价格又不是很便宜,所以还是不建议大家购买使用。
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