晶体管收音机中周的业余制作

无线电新手DIY

yngz 发表于 2019-5-14 10:34
业余制作中周确实麻烦，最主要的问题是自己做出来的品质往往不如成品。我的原则是通过电路设计，尽量使用现 ...

为什么自己绕的会不如成品的？好奇

涧边草

老师好！
非常敬佩老师真金白银，实实在在的讲解传授，既有理论依据又有实践之经验，尽显仙风道骨之风范，是我等做人、做事学习之楷模。

Tim01

是啊。通过中周变压器提高Q值，我现在只能通过换高Q值中周电容提高整体Q值。我觉得换成银云母电容会有很好的提高。因为早年后期好多是用玻璃釉电容，会略差于云母电容。
各位专家多多指导。多谢！！！

gmp

谢谢楼主真知灼见

axiaofeng

看了这个帖子受益匪浅 ，精品贴

tantiangg

中周水那么深，涨知识啦

xswmwm

绕中周是小时候的事，七几年，小学四级时，装六管机，去上海牛庄路买中周套件，记得是0.15元一套，当时觉得蛮贵的，绕线0.08mm，用7毛一只拆线组。所以，当时装台收音机费用也不低，也要7~8块钱呢。前后也要大半年时间，一是存钱，二是淘另件。装响后都很珍惜！现在想想当时还是蛮开心的

wym88065

非常好的资料收藏了

tyty54

中周在收音机中是一组重要元件，绕制方法是否正确，对收音机影响很大。我就试验性的绕过很多支，虽然圈数不太多，还是建议用绕线机来制做，你动手试试，就知道是怎么回事了！老师的绕制经验很宝贵，收藏了！

wym88065

老爷子，硅管和锗管的中周是否有区别？

林强

不用三极管检波的话应该一样，用的话最后一只中周不同

aaa555000

wym88065 发表于 2023-3-12 09:42
老爷子，硅管和锗管的中周是否有区别？

您好！这个问题涉及理论，纯理论可在书上阅读。我只在实用认知上解答。
如果严格地按阻抗匹配而论，不但硅管和锗管的中周应该有所区别，而且相同中放管在不同工作点时，输入阻抗都不同，也是失配的。
阻抗匹配可提高Q值，获得高效率，在低增益的机型上很重要，比如只有一级中放。而在两级中放以上的高增益电路中，放大富裕量大，选择性和信号传输以及稳定性更重要。高稳定、高性能的机型，大多都是失配型中周。
中周的选择性，在于初级与次级的比值，比值越大，选择性越好。中周的信号传输量，在于前级输出绕组与次级的比值，对增益影响大。定型中周是兼顾全局，而均衡设计的。自制可根据电路要求，因势利导地设计制作，不必拘泥于硅管和锗管。要求选择性高的，将次级匝数取少点；要求信号输大的，将次级匝数取多点，合理地配置能将整机性能提高一个层次。

林强

我觉得差不多，没必要分

radio988931

好帖，学习了！！！！！！！！！！！！！！！

qmycy

这是我的一些疑问。

1、 “谐振电容与线啳电感相适应，其容量大小与中放增益和稳定性关系极大。理论与实践都泟实：电容量大的中周，电路分布电容对其影响小，稳定性较好；电容量小的中周，损耗小、增益损失小。从LC充放电上理解，在频率不变的情况下，电容大，需要充电的电流也大；线圈少，储存能量也越少。谐振电容越大，越需更大的信号能量才能谐振，所以输入信号损耗越大。”
疑问：从LC充放电上理解，频率不变的情况下，电容大，充电的电流也大。线圈少，储存能量也越少。
电容是一个电压储能器件，其储能公式为c*V^2/2,其储存型式为电场。在中周的结构中，线圈的抽头，表现为一个自耦升压结构，用更高的电压去激励电容，电压越高，储存的能量越大。
线圈少，储存的能量也少，电感的储能公式为L*I^2/2,其储存形式为磁场。在中周结构中，线圈越少，阻抗小，在同等频率下，流过的电流越大，储存的能量与电流平方成正比。

2、阻抗匹配可提高Q值，获得高效率，
阻抗匹配，在中周里，表现为更多的能量传输给rbe。明显会减低Q值。最直观的理解从并联谐振电流中抽走能量越多，Q值越低。

3、更正：2.对比和计算各型中周数据，以及在实际应用中……，在谐振阻抗失配的情况下应用，缺点是：增益相对下降。
应为2.对比和计算各型中周数据，以及在实际应用中……，在谐振阻抗失配的情况下应用，缺点是：集电极输出阻抗对谐振阻抗影响较大，使选择性下降。
疑问：阻抗匹配时，rce=n^2*rbe。其增益为gm*rce/2
失配时，当rce>n^2*rbe,表现为相对阻抗匹配时，选择性下降。次级圈数大的情形。
失配时，当rce<n^2*rbe,表现为相对阻抗匹配时，选择性提高。次级圈数小的情形。