很久没给矿坛做贡献了兼去库存之中周．．．

乙猪

qzlbwang 发表于 2017-10-3 09:25
B3是必须自己绕了，因为混频级是要靠中周的对称性来抵消不需要的频率成分的。
而且考虑到其输出阻抗不会 ...

明白。(≧▽≦)

longshort

qzlbwang 发表于 2017-10-3 09:17
而且，双调谐在临界耦合时（单峰且顶部比较平坦）的带宽相比单调谐（相同Q值的情况下）带宽要宽些也是被实 ...

我想我们讨论的问题有些偏了不是？按既定的带宽需求例如-3dB来设计，那么设计结果的带宽都一样是不？但是顶部却不一样，阶数越高，顶部会越平坦，频响也就越宽，但最宽一定不会超过-3dB带宽，也就是设计的约束值。其实老兄引用的图中，按其算法，n个LC通过n-1个耦合电容级联，带宽会增加到sqrt(n)倍的单个LC带宽，这就造成了-3dB带宽按阶数的平方根递增，显然这与设计目的相悖。

刚才对单调谐中周和双调谐中周在-3dB带宽均为±5KHz的约束条件下计算，保持-3dB带宽不变，-1dB带宽则从±2.5KHz展宽为±3.9KHz，0.1dB波纹带则从±750Hz展宽为±2.65KHz，这两个结果都比sqrt2的比例要大得多。

显然只要对-3dB带宽的约束保持一致，那么结果所体现的就是所谓“矩形”曲线，阶数越高，矩形越完美。

longshort

闻风赏胆 发表于 2017-10-3 09:19
数调机是450Khz的中頻，不是465Khz。

中频频率多少无关紧要，过程是一样的。

longshort

乙猪 发表于 2017-10-3 09:18
我还是想先尽量用现成的中周试试。
实在不行再重绕。
重绕的难题先是漆包线难找，其次是品质不敢保证。

除了第一级双调谐，后两级都可用现成的替代。

第一级的中周建议用0.06mm的三根漆包线捻成一股来绕，单根长度也就0.8m左右，预期的空载Q值至少可以达到277以上，这对大幅度降低插入损耗绝对有意义。

qzlbwang

longshort 发表于 2017-10-3 10:15
我想我们讨论的问题有些偏了不是？按既定的带宽需求例如-3dB来设计，那么设计结果的带宽都一样是不？但是 ...

俺说的是双调谐临界耦合时的带宽是单调谐的根号2倍。当然前提是两者的有载Q值相同的情况下。非前述情况下就非那样的——耦合系数不同带宽也不同，至于多阶的情况就更不能简单地推广之。

longshort

qzlbwang 发表于 2017-10-3 10:28
俺说的是双调谐临界耦合时的带宽是单调谐的根号2倍。当然前提是两者的有载Q值相同的情况下。非前述情况 ...

看起来我们讨论的着眼点确实不同。

qzlbwang

这样说吧，双调谐临界耦合时出现顶部平缓、带宽增大这是被实践所证明了的。那么，如果说带宽还是和单调谐一样，又怎么理解呢？难道说只有强耦合时带宽才比单调谐增大吗？

longshort

qzlbwang 发表于 2017-10-3 10:51
这样说吧，双调谐临界耦合时出现顶部平缓、带宽增大这是被实践所证明了的。那么，如果说带宽还是和单调谐一 ...

这种说法也没错，这是基于两个独立的单调谐LC在简单组合以后产生的结果，与保持带宽不变的滤波器统一设计产生的结果肯定不同。在滤波器设计中，给定不同的带宽，则产生不同的有载Q值和不同的耦合系数，没有临界与否之分。有载Q是中心频率与-3dB带宽之比，在单调谐变成双调谐之后，中心频率不会变吧？中心频率与展宽的带宽之比肯定低于先前单调谐的有载Q，那么前后两者的有载Q一致，我也不能理解。

qzlbwang

      临界耦合只是一种说法而已——介于弱耦合（谐振曲线与单调谐类似——单峰）与强耦合（明显特征——双峰）之间分界点。这个点比较特殊，所以用“临界耦合”来单独说明。
      对于双调谐谐振回路来说，随着耦合度的的逐渐加大，谐振曲线逐渐“变胖”——带宽加宽，当超过临界耦合时，中点开始凹陷，且随着耦合度的增加凹陷逐渐加大（当然带宽也逐渐加宽），当凹陷超过-3dB时，已经变得没有实用意义。所以其带宽的增加也是有一定限度的（一定的有载Q值下），还想更宽的话要么用多阶的集中滤波器，要么牺牲一些选择性降低有载Q值。
      对于多级双调谐放大器级联的情况，一般不希望每一级都是双峰，因为这样中点的凹陷会加剧，所以一般都是双峰和临界耦合（或接近临界耦合）的单峰进行组合。

qzlbwang

其实一个新设计的电路都要经过实际调试去纠正参数的，只要明确了概念，做到心中有数地进行矫正参数就行了——谐振曲线的形状决定于耦合电容的大小，调整其或得所期望的曲线(单峰还是双峰，中点的凹陷多深)，调整输出抽头的位置去改变有载Q值，从而获得期望的带宽。多级配合获得比较理想综合谐振曲线。
因为业余制作中，自己绕的中周空载Q因人而异会有高有低，三极管集电极输出电阻和输入电阻也因工作点的不同、三极管型号参数不同而有所差异。所以，要达到比较理想的匹配状况是需要根据实验作相应的调整的。理论计算只是提供一个大致的参数位置而已。

longshort

在清华1979年版的《高频电路》中查到了关于耦合系数与有载Q关系的一个公式，即有载Q=sqrt(η^2+2η-1)*ƒ/B，其中B是给定的-3dB带宽。当η=1时，有载Q就等于中心频率与-3dB带宽之比，这个η，正是耦合因数，当它等于1时，称为“临界耦合”。显然在集总滤波器的设计中，所有归一化值参数都是基于所谓“临界耦合”条件下得出的。

与η相关的还有一个变量δ，它的值等于2η/(1+η^2)，表示双调谐电路中双峰之间的凹陷程度。而这种凹陷，正是契比雪夫滤波器中的纹波，只不过在前述设计中的纹波水平是0.1dB，而双调谐电路的纹波常常高达3dB，这超过了集总滤波器最大纹波1dB的限制。0.1dB对应的δ是0.989，解出η=1.1642，则B=1.64*ƒ/Q，这与前述设计结果也不符，所以我认为两种设计的基点一定是不一样的。

直流电子管

实际制作你就知道这是非常棘手的，线圈绕制不可能达到高度一致，另外是耦合电容问题，耦合电容取决于谐振回路的阻抗，如果配谐电容为200P的话耦合电容就要降低，我估计如果200P配谐电容，耦合电容有5P就够了。

longshort

直流电子管 发表于 2017-10-3 22:21
实际制作你就知道这是非常棘手的，线圈绕制不可能达到高度一致，另外是耦合电容问题，耦合电容取决于谐振回 ...

动手越少，就觉得越难。

乙猪

直流电子管 发表于 2017-10-3 22:21
实际制作你就知道这是非常棘手的，线圈绕制不可能达到高度一致，另外是耦合电容问题，耦合电容取决于谐振回 ...

尽量用抽头解决耦合电容过小问题。

longshort

xinjun5557 发表于 2017-10-5 13:29
“智慧脑”老师，看了您设计的“集总滤波器”，虽然看不懂，却也想抽空照葫芦画瓢地试一试。问一个很菜 ...

纠正一下，是老化脑，不是智慧脑。

我的叙述可能还是有问题，让您费脑子了。后两个问题您已经都自我回答了，我就是按现有的TTF-2-7和TTF-2-8做的，电容器按标出的值选用。电感则最好用显示分辨率1nH的电感表先调好，再组装。