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楼主 |
发表于 2023-3-27 01:00:23
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washu 发表于 2023-3-26 17:46
相对而言,这是更简单的基于单片机的 ESR 测试方案,具体你可以参考其原型设计 TT 的文档
如果只是出 ...
看了你这里贴的英文内容,大概知道这个tt测esr的基本原理:
1、给电容充电时,测一次电容两端的压降Udiff。此压降包含了2部分,一是纯电容这部分的压降Uc,二是内部esr上的压降Uesr,这个压降等于充电电流乘以esr。
2、断开充电连线,只测电容两端的压降,此时没有充电电流,测得的是为纯电容的压降Uc。
3、把Udiiff减去Uc,就得到Uesr。用Uesr除以充电电流,就可计得esr值。而充电电流的大小是由引脚端口的外接电阻决定,电阻值已知,因此也可得到充电电流值。
4、mcu测Udiff,实际是正向充电时测1次、反向充电时测一次,以避免电容电荷累积而测不准。加上断开充电线测1次,共3次为1个完整的测试周期。而为了避免每次测到的电压太小影响精度,采用测128个周期累计求和取平均的方法得到计算用的压降值。
5、此页英文给出的esr计算公式没看明白,应该是与端口外接电阻的取值设计有关,这里没作相关介绍。
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从上面看,只要把端口外接电阻的取值选取恰当,就可以满足在路测试的低电平要求(现在给出的值好像已能满足要求)。
至于保护电路,把我原来用在指针式esr的移植过来用,从原理上看,应该也不会影响这种形式的esr测试。
因此,abbey_tom可以考虑直奔此方案。 |
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