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发表于 2024-9-20 16:08:01
来自手机
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pcb 发表于 2024-9-19 23:31
谢谢各位老师的指导,结合各位老师的建议和本人的实际需求,使用DIP封装的TL431,由于正电源使用了MMOS,故 ...
你这个电路,我用tina仿真了一下,表明他的特性和性能都不理想:
1、不具备LDO低压差特性。这是因为,至少需要有数伏的压差,才能满足Vgs的工作需求/mos管才能工作。
2、当输入电源电压不足时,bjt的工作电流太小,此时环路增益甚低。这意味着此时电路的基本性能甚差。但是,电路的高频稳定性反而不容易出问题。
3、当输入电源电压足够高(让bjt得到足够的电流)时,环路增益上去了,但相位裕量很小,很容易自激。
4、将10k电阻换为恒流源,可在不需要太高的输入电源电压的情况下获得足够的环路增益。但此时,高频稳定性方面还是很成问题。
由于我用手机注册不了Ti公司的网站,无法下载他那里可供ac仿真分析用的tl431模型,上面的仿真,都是使用我“自制”的tl431替代模型来进行的。
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