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楼主 |
发表于 2021-7-20 06:52:20
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本帖最后由 aaa555000 于 2021-7-20 06:57 编辑
再对比3P5和超动态的中周,3P5采用了高Q中周,不得不在两级中放都加上中和电容,由于高Q中周的制作难度和负作用,也给制作和调试带来难度,这难道不是当年没有量产的原因?
而超动态却在Q值上反道而行,不但不倡导高Q值,而且还用电阻降低Q值,请看下图红圈电阻:
这几个电阻都是并联在中周初(或次)级与等效地上的,必然会降低中周Q值! 这说明了什么?从3P5到超动态,从高Q大坑到降低Q值,难道设计师在“逗你玩”? 从这两种截然不同的处理方法,不就说明高性能机不在于中周Q值的高低? 不就是曹大师在引导我们进入3P5的高Q坑中后,再把我们拉回到低Q的路上?
3P5有个大坑,超动态又有没有深坑? 从无数的仿制失败中(包括我本人),我看到了另一个坑。先卖个关子,等我再仿制超动态后,用实物和以往的失败教训来证实。 |
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