【去库存】一组小功放

hhui68

这种电路静态电流不好稳定复合管不好用也不适合场管(G点电压高会使上下管直通)。最适合做前级(负载轻饱和电压可低至0.1伏

longshort

xixia001 发表于 2019-1-11 19:48
大师的元件不仅数量多，种类也很丰富。
关于噪声的计算不怎么懂，电压表的通带300KHz，功放的通带也是300K ...

放大器的通带和噪声的通带不是一回事。一个带宽为100KHz的放大器，输出产生的宽带噪声范围很可能远超100KHz。或者换句话说，放大器只允许100KHz通带范围内的外来信号通过，但不会阻止自身产生的通带外信号——也就是噪声。

longshort

冰岛 发表于 2019-1-11 22:25
楼主所使用的线路是典型的1969线路，这种线路只有工作在纯甲类状态下才好。若工作在甲乙类状态，那么可能出 ...

您说得都很好，但这里的电路跟1969电路没有可比性，虽然初看很相似。我对1969这个词不熟悉，1969电路就是那种互补输出形式的OTL电路吧？还是来矿坛才看到，以前从未听说过，恕我孤陋寡闻。

传统的OTL电路需要配对的互补晶体管，虽然现在获得配对互补管很容易，但同极性管子的性能更趋于一致，这是互补管不容易做到的。在分相式OTL电路中的输出管不需要严格配对，电流增益相差50%也没关系，因为本质上它所完成的“推挽”过程不同，上管与推动管形成主增益部分，下管形成次增益部分以推波助澜，两者的乘积则成为分相输出级的总增益。上下不对称造成的失真由大环路负反馈来进行矫正。顺便提一下，放大器的失真是现实世界的自然属性，设计师的任务是让它有条件的出现。注意是“出现”，而不是“消灭”。

“甲乙类”的概念有一些老，对这里的电路分析没有什么大的帮助，我更倾向于看待输出大电流状态下产生的半导体结压降变化，在变化过程中对波形产生的畸变所造成的影响。

任何电路的设计都是有底限的，您说的两种情况实际上都可以避免：一．直流负反馈绝对不能小，小了就没意义了，在我的电路中的直流负反馈，是全部的开环增益；二．深度负反馈并不会导致您说的那种情况出现，计算必须保证推动管在下半周时的电流不能截止，这样下面的输出管也不会截止，上面的输出管情况也是一样。

至于您说的“实用”的三极管倒相OTL电路过于复杂，这正是我的电路要解决的问题。复合管形式（所谓达林顿吧）的Vbe压降过高，不适合低电压工作，要摒弃的就是这种形式。现在高电流增益、高跨导、低压降的晶体管俯拾即是，绝大多数情况下不需要费心去通过达林顿形式获得大的电流增益。用最少的器件达到最大的功率增益，是这个电路形式的意义所在。

高的开环增益永远是放大器的重要目标，我不相信那些所谓引致失真的原因是由高的增益所引起，我也不相信所谓导通角之类导致的现象，因为这是设计者必须避免的问题。现代的放大器设计早已不是早期的认识水准所能限制的，成熟的运算放大器理论提供了极好的设计方法与处理手段，为什么不借鉴呢。

bg1bjf

longshort 发表于 2019-1-11 14:13
　　试听感受：

　　输出级的静态电流大小，对小信号下的失真和大信号下的开环增益有明显影响。

太棒了！楼主做了如此翔实的实践，受益匪浅！

longshort

bg1bjf 发表于 2019-1-12 08:04
太棒了！楼主做了如此翔实的实践，受益匪浅！

谢谢！我就是希望从不同材料的组合中得出一些有益的结果。

longshort

ekkiller 发表于 2019-1-11 15:51
用是可以用，但不知配对情况对最后的测试结果的影响有多大？

在这里的设计中，两个输出管与分相管共同形成一个增益级。BG3和BG4是一个子增益级，增益产生于BG4自举过程中形成的R7倍乘阻抗，而BG5则是一个电压增益大于1的子增益级，主要用途是下拉和上推，起推波助澜的作用，所以整个增益级的增益是两个子增益级的乘积。因此两个输出管可以不必配对，因它们之间的不对称产生的影响由大环路负反馈来矫正。这种做法在模拟集成电路的设计中非常普遍，只要相移足够小，整个电路在0dB增益下就是稳定的。

847815803

这种电路有很多优点，缺点是上下端输出阻抗不一样

飘叶

电路很简洁啊，什么时候也做个玩玩

乙猪

longshort 发表于 2019-1-12 08:01
您说得都很好，但这里的电路跟1969电路没有可比性，虽然初看很相似。我对1969这个词不熟悉，1969电路就是 ...

复合管有两种形式，同极性的两个组合会提高BE电压，不同极性的两个组合的就不会啦。

longshort

乙猪 发表于 2019-1-12 23:05
复合管有两种形式，同极性的两个组合会提高BE电压，不同极性的两个组合的就不会啦。

无可怀疑的是，复杂性又提高了。

longshort

847815803 发表于 2019-1-12 18:19
这种电路有很多优点，缺点是上下端输出阻抗不一样

三个管子组合形成一个增益级，上下两个输出管的工作条件不同，因而不能以普通的推挽概念来看待。

longshort

在9楼中的噪声水平测试数据中，错将噪声的幅度分布值作为平均值发布了，结果导致对噪声水平的估计出现了偏差，为此向各位跟帖的朋友致歉！

修正后的数据截图如下：

修正后的数据截图

其中：      　　 μVrms 　　　　　　　  20Hz~300KHz的测量统计值
　　　　　　　(20~20,000)Hz　　　　拟合到音频段的噪声有效值平均
　　　　　　　μVrms/√Hz　　　　　　噪声密度
　　　　　　　Sm(V)　　　　　　　　最大功率对应的电压值
　　　　　　　S/N(dB) 　　　　　　　信噪比

　　修正后的数据有一些变化，信噪比降低了一些，绝对值高了些，但对各版本的结论不变。

　　-6V电源的锗低频管版，是所有版本中本底噪声最高的，在音频范围内达到了8.703mV的有效值，信噪比为45.68dB。

　　-3.7V电源的锗开关管版，音频段的本底噪声是108μV，信噪比为78.78dB。

　　-9V的锗开关管版结果更优，音频段噪声水平达到了5.039μV的有效值，信噪比为113.79dB。

　　相比其他版本，大跌眼镜的是全场管版，音频段噪声水平是230.4μV，信噪比为88.31dB。

　　硅混合版的信噪比是最高的，达122.99dB，音频段的噪声水平4.252μV。

　　-3.7V的硅改进版，音频段噪声水平为60μV，信噪比83.88dB。

　　-6V的硅改进版，音频段噪声水平为13μV，信噪比102.23dB。

乙猪

longshort 发表于 2019-1-13 06:26
无可怀疑的是，复杂性又提高了。

不复杂点，去不了库存啊。

longshort

zycxjl 发表于 2019-1-21 13:56
，羡慕大佬的好作品。大佬的接地和屏蔽是怎么弄得？如果是ocl或者otl的集成ic按照官方pcb，直接做接地和 ...

我不是什么“大佬”，您的问题也很难回答，请参考相关的基础教科书罢。谢谢！