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楼主: longshort

Q啊Q啊Q,耿耿于怀的Q...

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发表于 2017-10-11 15:12:48 来自手机 | 显示全部楼层
longshort 发表于 2017-10-11 12:53
不作适当的数学分析,一笔糊涂帐的品质因素毫无意义。

并不是糊涂账,就是分布电容损耗,电阻损耗和磁芯损耗,也就是介质损耗,从这几个方面着手降低损耗即可,再就是中周品质因数不宜太高。太高了影响通频带,另外今天的精密银云母,新套件,还有直焊线,分分钟做出精良的中周来,以前我做收音机用TTF-2-8改绕,普通瓷片做配谐电容,最近一次用的新的7*7小中周新出的套件,然后银云母,做出来别提多棒了!
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发表于 2017-10-11 15:20:01 | 显示全部楼层
磁芯的损耗不是固定的,中周线圈中电流越强,磁芯的损耗就越大,无信号时损耗为0,故第一级中周多数把Q值做高一点,决定选择性的中周应该尽量靠前布置
振荡线圈的磁芯可以工作到3兆赫,按理应该比中周好,可我用它绕过中周,没觉得有差别
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发表于 2017-10-11 16:05:45 来自手机 | 显示全部楼层
大孔景元 发表于 2017-10-11 15:20
磁芯的损耗不是固定的,中周线圈中电流越强,磁芯的损耗就越大,无信号时损耗为0,故第一级中周多数把Q值做 ...

我拆了一些老式中周与现在新出的中周做了对比,新的中周套件,磁芯致密有光泽,摔了也不易破碎。调整的时候也很结实不容易碎裂,用这种套件做出的中周比老式的效果好的多,另外现在的漆包线尤其是直焊线漆膜比较好。也能降低很多损耗。
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发表于 2017-10-11 17:45:19 | 显示全部楼层
学习了,涨知识了。
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 楼主| 发表于 2017-10-11 17:53:17 | 显示全部楼层
直流电子管 发表于 2017-10-11 16:05
我拆了一些老式中周与现在新出的中周做了对比,新的中周套件,磁芯致密有光泽,摔了也不易破碎。调整的时 ...

不知好到什么程度?如果能够以相同工艺做出两种中周,分别测一下它们的Q值,那具体的数值区别就比较明朗了。
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发表于 2017-10-11 18:38:50 | 显示全部楼层
longshort 发表于 2017-10-11 17:53
不知好到什么程度?如果能够以相同工艺做出两种中周,分别测一下它们的Q值,那具体的数值区别就比较明朗 ...

新的套件我用这个同时做了中周和本振线圈,同样五灯电子管收音机,新中周做出来灵敏度明显高不少,主要体现在弱台音量也很大,另外比较直观的是看本振幅值,这个非常直观。以前用的SZZ1改绕本振,这次用的新磁芯,我表示本振幅值非常高,比以前强不少,相应的变频增益也提高了,新磁芯性能不是一般的棒。技术提高了,质量也好的多。
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发表于 2017-10-11 20:22:43 | 显示全部楼层
longshort 发表于 2017-10-11 13:20
道理是对的,问题是现在还不清楚这个磁芯损耗产生的等效电阻,是以什么规律发生变化的,磁导率?频率?并 ...

磁芯的损耗当作并联形式或者串联形式都可以的吧. 就好比习惯上讨论电容的损耗时常用并联大电阻的模型, 但是有时用ESR也很方便. 既然并联模型和串联模型是等效的, 有功功率的消耗自然也是相同的, 没有什么好担心的吧.

磁芯的非线性确实让问题复杂了不少, 不过既然讨论的是中周, 那么频率就固定在465kHz, 这样问题就简化不少, 激励电压肯定也有影响, 那就选中周常用的电平水平好了.

说到这我对主题中的空载电感的测量有些疑问, 不知这个数值是在什么样强度的电平激励下测量的结果. 上Q表测量时, 中周所接受的激励电平又是多少? 是否与测量电感时所加的激励强度相同?
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发表于 2017-10-11 20:23:34 来自手机 | 显示全部楼层
我现在喜欢用电视机中周改本振,振幅高低端都很稳定。中波磁芯做本振,波型总是不滿意。
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发表于 2017-10-11 20:24:24 | 显示全部楼层
qzlbwang 发表于 2017-10-11 13:22
想精确计算空载Q没那么容易,还有分布电容(大小与绕制工艺有关)的介质损耗呢,影响的因素太多。

分布电容的介质主要是空气吧. 那点聚酯薄膜似乎可以忽略不计了.
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发表于 2017-10-11 21:07:37 | 显示全部楼层
忽略不了,没见绕制工艺不同空载Q差异明显吗
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发表于 2017-10-11 21:45:14 | 显示全部楼层
qzlbwang 发表于 2017-10-11 21:07
忽略不了,没见绕制工艺不同空载Q差异明显吗

感觉绕制工艺应该是指"密绕, 乱绕, 花篮" 这些差异吧.

光说不练很难完全弄明白, 正好单位淘汰了一台WQJ-05万能电桥, 准备拉回家看看能不能派上用场. 以前只用过QS-18A, 不知这两种电桥的工作原理是不是差不多.
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 楼主| 发表于 2017-10-12 06:15:46 | 显示全部楼层
眉间尺 发表于 2017-10-11 20:22
磁芯的损耗当作并联形式或者串联形式都可以的吧. 就好比习惯上讨论电容的损耗时常用并联大电阻的模型, 但 ...

空载Q值,原是指按定义得到的计算值,定义很简单,就是感抗除以直流内阻,这是最原始的定义,所以我又叫它为原始Q值。在产品公布时给出的Q值,则与原始Q值有着很大的差距,所以这时的Q值我称它为视在Q值。

损耗这个东西,在特定频率下、特定材料下、特定环境条件下,很多自变量都可赋一个值作为常数看待,这样实际上在我的表中的“增量倍数”里就包含了这一因素,虽然粗糙,但相对精确,结果是可以参考的,今后再搞清楚磁材料方面的变化规律就有基础了。
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 楼主| 发表于 2017-10-12 06:17:55 | 显示全部楼层
眉间尺 发表于 2017-10-11 20:24
分布电容的介质主要是空气吧. 那点聚酯薄膜似乎可以忽略不计了.

主要是绝缘薄膜的介电常数和高频损耗可能有较大关系。
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发表于 2017-10-12 09:08:36 | 显示全部楼层
任何一种东东,只要认真起来,那可是很有大学问的。
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 楼主| 发表于 2017-10-12 09:42:42 | 显示全部楼层
求知无足 发表于 2017-10-12 09:08
任何一种东东,只要认真起来,那可是很有大学问的。

人人都能够有学问,就看自己愿意不愿意。
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