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原帖由 bd4rg 于 2010-3-10 11:57 发表 您说的对,如果用3V可能比较合适。我试验用1.2V声音已经足够了,正好有一节闲置的镍氢电池,所以就用了1.2V。这种管子用零偏压很方便,也很常用。
原帖由 nichicon 于 2010-3-10 15:00 发表 按手册上的数据,1.2v应该是进不了恒流区的,这样子,场效应管的线性不好,假信号应该会比较多,但是也有厂家的商品机器用的电路也是这样子的,手册上起码要vds3v多才进入恒流区,而实际vds只有1v多,这样的设计不 ...
原帖由 e3po 于 2010-3-9 17:21 发表 这叫鱼和熊掌不能得兼, 用 J-FET 的话, FM 的高放又要上另外一个管, 成本就高了. 这是偶猜测的.
原帖由 deepimpact 于 2010-3-10 18:34 发表 不对!双栅MOS是专用于调频和电视高频头高放电路的,单栅MOS管由于结电容比双栅管大,因此用作FM高放是必须加中和电容,才能稳定工作。J-FET则不能用于FM和电视高频头中作高放
原帖由 deepimpact 于 2010-3-10 18:19 发表 小信号时,场效应管比双极型管具有更好的低压性能,因此场效应管更适于低压应用。
原帖由 nichicon 于 2010-3-10 18:55 发表 但是进不了恒流区的情况下应用,靠谱吗?
原帖由 deepimpact 于 2010-3-10 19:04 发表 请注意我说的是小信号时
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