|

楼主 |
发表于 2019-1-11 14:13:53
|
显示全部楼层
本帖最后由 longshort 于 2019-1-11 14:15 编辑
试听感受:
输出级的静态电流大小,对小信号下的失真和大信号下的开环增益有明显影响。
对于锗管,静态电流小于2mA即有明显的交越失真出现,克服这个失真到听感舒服至少要大于6mA,10mA静态电流下的小音量明显满意。
对于硅管,特别是实例中使用的S8550E,交越失真的拐点在600μA左右,2mA静态电流下的小音量听感满意。
在大音量下,静态电流取得大一些有助于减少输出管Vbe的峰值增量,这使大信号的开环增益减少有限,以保证有一定的反馈深度来使失真控制到指标内。
这两版电路的试听感受,在小音量时与-18V场管方案几无区别,大音量时比锗管方案的-3.7V版和-6V版要耐听得多,且听感中增强了厚度感,不象锗管方案那样有些声嘶力竭的明显感觉,而且锗管方案中无论哪种版本,均可察觉到程度不同的细微音染,其中锗低频管版最为明显,这与硅管方案和场管方案相比有所不同。这一点,使用锗高频管/开关管的-9V版亦不如改进后的硅管方案。
主观听感中的音像透明性与通透性,仍然是全场管版的感觉最好,尽管在以下的噪声测试中,它不是最佳的。
噪声水平:
对上述七种电路搭配进行了本底噪声的测试。电压表为Agilent34401A,交流电压六位半模式,带宽20Hz~300KHz,样本数值101条记录,作标准差和阿伦方差统计,结果取阿伦方差值,并拟合到20Hz~20KHz的音频段有效值,读取音频频段内的噪声密度,并根据最大输出功率对应的电压,得出放大器的信号噪声比。照片是噪声数值统计的截图:
22
其中: μVrms 20Hz~300KHz的测量统计值
(20~20,000)Hz 拟合到音频段的噪声有效值
μVrms/√Hz 噪声密度
Sm(V) 最大功率对应的电压值
S/N(dB) 信噪比
噪声测试给出了一种完全不同的全新体验。
-6V电源的锗低频管版是所有版本中本底噪声最高的,在音频范围内达到了2.86mV的有效值,信噪比为55.34dB,这似乎是意料中的结果。
-3.7V电源的锗开关管版就非常不错了,音频段的本底噪声只有27μV,信噪比为90.8dB,看起来3AK20的噪声贡献大一些。
-9V的锗开关管版结果更优,音频段噪声水平达到了1.7μV的有效值,信噪比为123.22dB。
相比其他版本,大跌眼镜的是全场管版,音频段噪声水平是98μV,信噪比为95.76dB。
硅混合版的信噪比是最高的,达133.07dB,音频段的噪声水平1.332μV。
-3.7V的硅改进版,音频段噪声水平为17.3μV,信噪比94.69dB。
-6V的硅改进版,音频段噪声水平为8.4μV,信噪比106.02dB。
在上述版本的比较中,锗低频管版的噪声性能是最差的,-9V锗开关管版与硅混合版位于同等水平,而-3.7V的硅改进版竟与全场管版噪声性能相当,-6V的硅改进版甚至还超过了全场管版,并且两种硅改进版的噪声绝对值全面优于全场管版,这是个令场管爱好者的我极其尴尬的结果。
在-3.7V改进版中,前置级使用了低噪声级别的双三极管S3DG394,但这一版的噪声水平劣于单管差分的-6V改进版;在-18V的全场管版中,前置级使用了同样是低噪声级别的双结型场效应管3DJ5,但其噪声水平一样劣于-18V的单管差分硅混合版和-9V的单管差分锗开关管版。这个结果似乎意味,音频段的差分输入形式,在噪声水平上劣于单管差分的输入形式,而且差别还相当显著。
七.小结:
1)分相式放大器电路结构简单,精心设计的两级开环总增益可容易地达到80dB以上。
2)在特定闭环增益下,非线性失真度与负反馈深度成反比。
3)晶体管的电流增益β越大越好,场效应管的跨导越大越好,原则上没有底限,也不应该有底限。
4)大信号下输出级的B-E结增量大小,是在不同负载阻抗下影响失真的重要原因,而输出管的射极
限流电阻加剧了这种失真的产生。对于以电压控制沟道电流的场效应管,这种情况更为显著。
5)恒流负载是大幅提高开环增益的重要手段,这种手段被广泛应用在集成电路中。
6)单管差分的噪声水平优于标准差分结构,混合形式的单管差分结构具有最高的信噪比。
由于异极性晶体管的相似性,上述所有电路都可以改为正电源工作。
(结束)
补充内容 (2019-1-13 14:33):
噪声测试的结果取值有错误,修正内容在44楼。致歉! |
评分
-
3
查看全部评分
-
|