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楼主 |
发表于 2011-12-11 21:01:35
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（四）快速校准：
以上校准，实际操作时比较麻烦。实际校准，可以采用快速校准法。
进入菜单7之后，用Q（向左）或F（向右）键换各参数。
1、M0（Z0）校准，接入10欧电阻，按Rng进入测量值显示状态，档位会自动切换，按X或R键进行增减，使R读值为10欧，按Rng退出。（建议调校）
2、M1（Z1）校准同M0。（建议调校）
3、M2（Z2）校准同M0。（建议调校）
4、M3（RX1）校准，接入20欧电阻，按Rng进入测量值显示状态，按X或R键进行增减，使Q读值为Q0，按Rng退出。(本档可不校准，置0即可)
5、M4（RX2）校准，接入1k欧电阻，校准方法同M3。(本档可不校准，置0即可)
6、M5（RX3）校准，接入10k欧电阻，校准方法同M3。(须校准，采用TL084，正确值约为2)
7、M6（RX4）校准，接入100k欧电阻，校准方法同M3。(须调校，采用TL084，正确值约为23左右)
8、M7（GX1）校准，接入3.3k欧电阻，校准方法同M3。(须调校采，用TL084，正确值约为18左右)
9、M8（GX2）校准，接入10k欧电阻，校准方法同M3。(须调校采用TL084，正确值约为17左右)
10、M3. （R1）校准，接入已标定的20欧电阻，校准方法同M0。 (如果电阻筛选精确，本档可不校准，置0即可)
11、M4. （R2）校准，接入已标定的1k欧电阻，校准方法同M0 。(如果电阻筛选精确，本档可不校准，置0即可)
12、M5. （R3）校准，接入已标定的10k欧电阻，校准方法同M0。(如果电阻筛选精确，本档可不校准，置0即可)
13、M6. （R4）校准，接入已标定的100k欧电阻，校准方法同M0。(如果电阻筛选精确，本档可不校准，置0即可)
14、M7. （G1）校准，接入已标定的3.3k欧电阻，校准方法同M0。(如果电阻筛选精确，本档可不校准，置0即可)
15、M8. （G2）校准，接入已标定的10k欧电阻，校准方法同M0。(如果电阻筛选精确，本档可不校准，置0即可)
每次按下按键，蜂鸣器响起，单片机电流变大，引起测量不稳，所以要等蜂鸣器停响才会稳定。
Q0不一定为零的。开路时，测量出残余电感抗为X。那么，校准时接上电阻R，则Q0=R/X。如开路X=5000k欧，接上100k电阻，Q0=100/5000=0.020
LCD1602版，不必关心Q0，直接调到残余电容显示为开路残余电容即可。
校准M0、M1、M2时，读值跳动比较多，取平均值即可。LCD1602版，屏上会提示待接入电阻的阻值。
相位校准时，残余值（如残余电容）也跳得比较多，要尽量校准到0.1pF的精度。如开路3.7pF，接上100k后，也须是3.7pF。也可以接上一个高Q的220pF独石电容复核，Q值须显示为500至999，且并联电搞最好是正负高阻跳变。
GX1与GX2的值几乎是相同的，因为，TL084运放的移相与闲环增益成正比，设比例系数是k，那么对于9倍增益档，档位切换后附加移相为k(9-1)=8k，对于3倍增益档为k(13/1-13/3)=8.7，这就是说，GX1/GX2 = 8.7/8 = 1.1。因此，调试后，正常情况下GX1比GX2大10%左右。同样道理，RX3应为RX4的1/10
我的LCD版LCR表参数：
Z0=20，Z1=19，Z2=14
R1X=0，R2X=0，RX3=2，RX4=23，G1X=18，G2X=17
R1 =10，R2 =16，R3 =8，R4 =8，G1 = 6，G2 = -8
相位校准后，测Q精度有提高，大约有效测量可以提升到300，误差为Q/300，相当于D值误差0.003左右。测得Q=300，即D=0.0033，它的真值0.0033±0.003，或者说Q的真值在150至无穷大之间。
校准后，测量Q大于1000的电容，应显示为999
请注意，用200pF或200pF以下的独石电容，应测得高Q，这种电容实际上是瓷片电容的一种，Q值非常高（可高达1000至3000），通常是无极性介质制造的，不同频率下Q基本相同，在这个LCR表中应测为500至999，否则说明LCR表的相位没有校准好。
低阻档相位验证法：用0.38mm的漆包线平绕在1寸给水管上，约60至100圈，此法，不同频率下测得Rs应几乎相同（与直流电阻相同，适用于10kHz以下）
不推荐使用成品手持表校准本表，一方面，大部手持表的D值精度也不高，校不了本表的。请使用已知Q值的器件校表，上述方案校表，正是采用已知Q值的器件校表。 |
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IP卡
狗仔卡
发表于 2011-12-7 10:05:22
显身卡
没人帮忙把打样需要的文件传上来吗？我对PCBD打样完全不懂
