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发表于 2024-3-11 12:57:26
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本帖最后由 量子隧道 于 2024-3-11 13:06 编辑
模仿电桥用顶针的话,顶针既提供压紧力又提供电连接通道,顶针的寄生参数对DUT肯定有影响的。
我没实践过VNA配顶针这种配置,我猜测或许可以如此去掉顶针的寄生参数:
顶针先顶一个和DUT厚度差不多的塑料块,此为开路状态,对VNA进行开路校准。
顶针再什么也不顶,就让两个顶针互顶,此为短路状态,对VNA进行短路校准。
顶针再顶个50ohm射频电阻,此为load状态,对VNA进行负载校准。
这样或许可以将顶针的寄生参数大部分除去。
射频电阻可以买一个。据我实验,普通0603 50ohm电阻的寄生电感太大,用3个150ohm0603普通贴片电阻摞一起两端焊牢,可以相当程度上接近理想50ohm。
1G到3G之间,还是要把DUT按到PCB上测。
超过3G的话,LiteVNA也不准了。LiteVNA从4G开始射频功率狂泻,迹线噪音大增,温度稳定性也不行了。4G往上只有概略参考价值。这玩意号称能跑9G,但是4G往上就只有参考价值了。6.3G往上更不可信了。
我分解过LiteVNA,其射频通道的几个关键元器件用的是3G的,如射频开关,balun。反射电桥设计也一般般。能跑到3,4G就不错了。这可以解释它4G以上的性能大跌。
LiteVNA设计可圈可点的地方是其端口隔离。700元的小玩意,还是在一张板上把所有电路都做出来,端口隔离度和底噪都不错,很不错了。 |
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