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发表于 2019-11-25 09:22:15
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本振电压并非越大越好,而是和混频管的偏置状态有关。传统的锗管设计中混频管射极电阻上的直流电压在(0.25~0.3)V左右,0.2V左右的本振信号电压可以控制混频管的工作电流在几微安到几百微安之内摆动,这个范围跨越了小信号晶体管在低电流偏置下的绝大部分非线性段,混频产物可以最大限度地产生(所谓的混频效率)。若混频管的射极电阻上的压降为0.15V左右的话,混频所需要的本振电压就要降到(0.08~0.1)V左右,以保持混频管不会进入截止状态。
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