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发表于 2015-9-29 17:11:22
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本帖最后由 longshort 于 2015-9-29 17:14 编辑
yngz 发表于 2015-9-29 11:34 
现在中放使用共基极电路,稳定可靠,抗干扰能力强,不比共射共基电路效果差,还可以节省一个管子。
这里关于共基电路方面可能有一些误解。
我们知道共射电路在工作电流小于1mA时,电流放大能力随Ic的变化而有所变化,这种变化一般是正效应的,也即电流放大能力随Ic的增减而增减,这就可以通过变化Ic的方法来改变放大能力。这种能力在较低的晶体管内阻和负载阻抗时表现比较明显,由于变化的Ic同时也导致晶体管内阻的大幅度变化,因而从晶体管内阻和负载电阻串联所形成的等效分压器结构来看,Ic越小晶体管内阻越大,因而等效分压器上得到的信号电压越小,这就是普通反向AGC的实现过程。通常被控中放的负载阻抗在30K欧以内,而晶体管内阻的变化范围可以达到30K~3000K欧的范围,这就使输出等效分压器上电压变化从0.5到0.0099,变化达50.5倍,即控制范围约为34dB。
然而共基电路就不太一样了。共基连接的中放负载全部接入LC热端,这时的谐振阻抗大约300K欧,而阻抗匹配下的共基接法的晶体管内阻也在300K欧左右,当AGC控制电压使得Ic减小以后的晶体管内阻升高,达到大约3000K以后的内阻增速变缓,甚至不再增加。按等效分压器的形式看,此时的分压器分压范围的变化是0.5~0.091,变化范围为5.5倍,即控制范围大约为14.8dB。
所以在共基接法时,对AGC的应用要考虑其适用范围。
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