套件机DIY了又Y

求知无足

实验证明，不管是什么二极管，锗的还是硅的，二次AGC都是成立的。但两者的效果不一样。锗的会好一点。

虾米

值得我详细看完的帖子。

求知无足

说句心里话，我热爱超外差式收音机，也努力试着去充实相应的理论知识，但从能够接触到的书籍来看，都只能得到这样的知识：两个信号通过一个非线性元件，会得到许多新的信号，其中就包括我们需要的中频信号。仅此而已，再也没有进一步的消息了。
话又说回来，就是有进一步的知识，咱也看不懂，是吧！所以，书上是不说了。也许写书的人也仅知道这些呢。
哪位朋友，能够推荐一本关于混频方面进一步的知识的书呢？
如果能让我们了解一下混频的真正机理到底是何样的，这该多棒啊。

求知无足

说起了业余学习无线电的不容易，那真的是有话说啊！为了理解晶体管的PN结原理，我几乎是从什么是本征半导体开始，学习电子导电机理，学习空穴导电机理，学习多子与少子，学习PN结不是两块不同导电的材料粘结到一起形成的，而是多次不同掺杂形成的，等等，等等。这些，虽然都是微观的，不能直接观察，但书看得多了，自然而然地，好像是也就明白了。
但是，混频，像是一道不能逾越的坎，会永远地梗横在我的面前，直到永远！

看世界的我

这种便宜套件，经过你的简单修改，达到了很好的接收效果，以后你还可以继续改造，加油

求知无足

为什么两个不同频率的信号，通过一只非线性元件后，就会产生新的频率成份呢？这个，是啊，为什么呢？

求知无足

这时候，在这只非线性的元件里，到底发生了什么？

求知无足

HenryYam 发表于 2022-9-3 22:45
为了不让你失眠，先找到了这一篇论文，你先参考一下：

https://www.docin.com/p-1259856536.html ...

数学推导，这个，有时不能理解。有没有从物理机制，简明简述混频机理的书可参考？

求知无足

锁相环路，如果从数学来计算，虽然概念明确，可那是太过复杂，关键是有些知识咱还真不会，难不成到老了去学微积分？
可是，从物理概念来简述锁相环路，那真是非常地清楚明了，非常地易于理解，一下子就把这种神秘的知识的中心给理解了。
两个信号，通过一只非线性元件后可以得到新的频率成份，这个，如果从PN结的物理微观来简述，是不是易于我等数学盲人来理解呢？

求知无足

比如，通过上面对锁相环路的叙述，我就十分清楚地知道，锁相环路，可以产生一个与外来信号频率相等的振荡信号，这个振荡信号，与外来信号之所以会锁定，是因为它与外来信号之间，相位上有一个剩余相差，这个相差是很小的。如果滤波器的放大能力很强时，这个相差几乎可以趋于零。
这多好呀，一下子就掌握了锁相环的实质。
我寻找了这么多年，咱咋就没有发现，对混频的简述，从来都是走两个极端，或者一带而过，或者数学推导。就不能向锁相环路的写作者那样，从物理概念来简述吗？

求知无足

说实话，56楼给出的文章，我还真的没看懂，不能说是一句没看懂，只能说里面的计算，也就是数学推导，这个真看不懂，也想不明白。
是不是，我们业余无线电爱好者，不需要这些高大上的推导，而只要可以制作出来好用的混频器就可以了？如果仅作些要求，那毫不客气地说，我可以制作出性能十分优秀的混频器，是不是可以说，我已经掌握了混频器原理呢？

songluhui

物理上跨界理解：混频就是 一个男人，一个女人结婚了。（丁克除外）

xlk

bumk 发表于 2022-9-3 19:54
是啊，这个电阻的取值，是在洞洞板上搭建本振部分的电路，通过示波器观察结果得到的。
R2用多圈电位器 ...

非常有意义的测试，最高分加给你，继续努力探索。

longshort

求知无足 发表于 2022-9-3 21:38
这时候，在这只非线性的元件里，到底发生了什么？

我试着来回答您，看看对不对。

晶体三极管有一个基极电压变化与集电极电流变化之间很简单的关系（转移）公式，是这么描述的：集电极电流变化的比，其值以e为底的对数，与常数26mV的乘积，等于基极上输入电压的变化值。具体到公式表示是

        deltaVbe=26mV*ln(Ic1/Ic0)；

其中Ic0是已偏置的集电极静态电流，Ic1是在基极电压发生变化后产生的电流。

我们可以反推出每一mV的基极电压变化，所产生的集电极电流变化的比Ic1/Ic0：

        1mV/26mV=0.03846154，取其反对数为1.03921；

这个1.03921的值，就是变化了的集电极电流与变化之前的集电极静态电流的比。从这个结果可知，无论原先的静态电流为多少，只要基极输入电压比原先增加或减少1mV，集电极电流的变化就是3.921%。

显然，正半周1mV与负半周1mV，电流变化都是3.921%，但在一个确定的集电极负载上产生的电压幅度却不一样，两者相差(1.3921)^2=1.07996倍，也就是说，1mV的基极电压变化，造成的集电极电流的对称性缺失为约8%。

三极管的失真就是这么来的，而这个失真恰恰就是二次失真的来源。所谓二次失真，就是二次谐波的幅度大小。


无独有偶，场管的二次失真也令人感兴趣。由于场效应管的Vgs-Id转移特性曲线非常近似二次曲线，所以由Vgs电压的变化而产生的Id变化，同样会产生二次失真。我从上无十四厂翻译的美P.E.托德的《结型场效应晶体管-原理与应用》（p68）中直接拿来二次失真的公式：

        D2=-Vgm*100/[4Vp*(1-Vgs/Vp)]%；

式中的Vgm是栅极输入的信号电压，Vp是截止电压，Vgs是栅极偏置电压。

对于一个Vp值为0.75V、偏置电压Vgs为0.55V的结型场效应管，若输入信号为1mV，则二次失真可计算得0.125%。信号增加为10mV，失真为1.25%，失真与信号的输入幅度成正比。


比较起来，场效应管的二次失真比双极型管的二次失真要小。双极型管（二极管和三极管）的失真是信号幅度变化的平方，而场效应管的二次失真与信号幅度成正比。

不知道说清楚了没有？

求知无足

longshort 发表于 2022-9-4 09:10
我试着来回答您，看看对不对。

晶体三极管有一个基极电压变化与集电极电流变化之间很简单的关系（转移 ...

解释的非常清楚！意思是不是失真才是混频的根源？失真越大，混频输出就越大？