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发表于 2017-2-20 09:45:51
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设感抗为Z。在Q值不太低时,R1、R2对感抗的影响很小,有 Z ≈ ωL = 2πfL
于是,Q ≈ 1 / (R1/Z + Z/R2 )
当感抗Z为R1、R2的几何平均值时,Q有最大值。
例如当R1=1欧,R2=1M时,Q = 1 / (Z/1000000欧 + 1欧/Z)
Z在1000欧时Q值就有最大值500。159微亨在f=1.0MHz时感抗就是1000欧。
固定L和R2,改变R1引起曲线这样变化:
固定L和R1,改变R2引起曲线这样变化:
可见,串联损耗重点影响曲线左端,并联损耗重点影响曲线右端。
在实际中,就是导线电阻重点影响低端Q值,分布电容损耗重点影响高端Q值。
线圈的导线电阻属于串联损耗,这应该没有疑问。分布电容的损耗属于并联损耗。分布电容不是与电感串联的,如果串联就不通直流了。
以大环为例,如果只是加粗导线,其它方面尽量不改,那么重点得益的是低端,对高端的Q值提升相对小得多。
(用小型紧密线圈不容易发现这种关系,因为改变导线粗细会导致整个线圈的改变。非紧紧密结构的大环可以比较独立地改变某一个参数。) |
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