求助懂模拟电路的朋友帮忙分析下电路，不胜感激！

415660806

935482411 发表于 2024-5-29 12:13
所谓模拟电路，与数字电路异曲同工。
该原型电路，人家设计做出来可以运用。而你照猫画虎，问题多多。
关 ...

感谢您的回复，这个原装的电源我参考过，所用器件数量和品牌价格是我不能承受的。我现在使用的（电路图二）是在原装电源基础上改进的，当然不可能是我改进的，您也知道我的水平。是国内一家比较大型的公司改进并且大批量生产的，我只是照葫芦画瓢搬过来使用。我也老化过他们所生产的这个电源模块，温升较我自己制作的低一点，但稳定性较我现在做的这个模块要好。然后他们模块上面DZ1使用的是6.2V，DZ2是5.6V，R4是320R，R5是100R，R6是1K，其余元件跟我现在的模块没有区别，都是同样的规格。现在我所制作的电源模块温升严重，经过各位坛友的分析，主要问题应该是在MOS关断速度上面，但要改变MOS的关断速度，并且在这个电路上去更改元件型号，我确实不会计算，让您见笑了！

415660806

fshwen 发表于 2024-5-29 13:36
若按图上DZ2为11V，那么要达到12V输出，Q2的BE压降0.6V，在R5上的压降只有0.4V，Q2的贝塔为150，C极按6 ...

我现在使用的（电路图二）是在非原装电源模块上搬过来的，我老化过他们的电源模块，温升较我自己制作的低一点，但稳定性较我现在做的这个模块要好。然后他们模块上面元件跟我这个有所区别，DZ1是6.2V，DZ2是5.6V，R4是320R，R5是100R，R6是1K，输出电压DC5V左右，其余元件跟我现在的模块没有区别，都是同样的规格。关于DZ1为什么改到11V是因为有坛友建议增大，实际老化的模块上面使用的还是6.2V。

935482411

415660806 发表于 2024-5-29 16:34
感谢您的回复，这个原装的电源我参考过，所用器件数量和品牌价格是我不能承受的。我现在使用的（电路图二 ...

坛友建议图二三极管改用431，也有贴片封装的431，可以改动很小而有大的动态控制范围，不妨试试～

fshwen

415660806 发表于 2024-5-29 16:39
我现在使用的（电路图二）是在非原装电源模块上搬过来的，我老化过他们的电源模块，温升较我自己制作的低 ...

刚才也用软件仿真（每改一次都有波形图，但一个错误蹦了就全没了），改了光耦6脚到地电阻的值，发觉在100K时MOS管G极开关缓慢，改为10K甚至8K时波形变好，但再减小波形又会变坏，所以试试把R2改成10K看看。

heliu

对于Z1还是用6.2的好。因为它与R1配合能限制峰值电流。然后栅压低了放电也快。
另外我仿真发现光耦的4脚接到R1的上面，效果会好一点，毕竟放电回路少了R1。

415660806

fshwen 发表于 2024-5-29 17:01
刚才也用软件仿真（每改一次都有波形图，但一个错误蹦了就全没了），改了光耦6脚到地电阻的值，发觉在100 ...

感谢您的回复，R2电阻是三极管的下拉电阻作用吧？这个电阻换小应该能加快MOS的关断速度。

415660806

heliu 发表于 2024-5-29 17:27
对于Z1还是用6.2的好。因为它与R1配合能限制峰值电流。然后栅压低了放电也快。
另外我仿真发现光耦的4脚接 ...

感谢您的回复，DZ1目前老化测试的模块使用的是6.2V，（原理图二）上面改成11V是听了一位老哥的建议，但没有运用到实际中。

fshwen

415660806 发表于 2024-5-29 17:44
感谢您的回复，R2电阻是三极管的下拉电阻作用吧？这个电阻换小应该能加快MOS的关断速度。

小鬼头

回头想了一下一楼的主题帖内容和电路：

1、这2个电路的基本拓扑是一样的，由2部分组成。

第一部分是mos管的自激振荡电路，包括d极负载上的电感电容，以及提供反馈信号返回的g极电阻。其中L1、C1提供2个互为共轭的极点，g极电阻与Cgs提供第3个极点，因此，能产生180度相移而形成自激振荡。L1、C1的共轭极点频率约16kHz，Cgs极点频率约数百hz，整个电路“自由”振荡频率刚好足够高（超过人耳听觉频率）。

第二部分是bjt、光藕组成的线性控制电路。能根据dc输出电压去干预mos管的振荡过程，从而控制输出dc电压。

因此，整个电路类似早期的无ic的变压器单管自激开关电源那样工作，而不是按版主前面说的斩波方式工作。假如是斩波工作，斩波的频率也太低（工频），效果不会好。

我曾用multisim仅对mos管电路这一局部电路仿真了一下，证明在拆除bjt、光耦这些控制电路之后，mos管能以开关方式工作，220Vac输入时输出电容2端的输出dc电压能达到146v，也看到了振荡波形。但时间所限，没有作更深入的仿真，所看到的开关波形也不是很清晰。

2、楼主在一楼提出，电路一为何不工作。我前面曾回应过，我现在的看法跟原来没有大的差别。也就是说，电路一很可能是因为线性控制环路出现了自激而导致。

3、楼主一楼还提出，希望大家能给出改进的建议。但是，对于电路二来说，他说已经能正常工作，只是个别元件温度较高。

对于电路二的这些元件温度较高，直接关联的原因是这整个开关电源的变换效率问题。而从楼主的发帖内容看，其开关电源知识储备不多。更重要的是，他还不提供有关原型电路（所参考的外国电路）和现在电路的变换效率方面的任何信息。比如，输入电压多大和输出电压、电流是多大时温升明显，是不是同样情况下明显比原型电路温升高。

这么一来，就有可能出现这种情况：这种电路的变换效率也就是这个水平，在不作大改动时，是没有多少提升空间的。换言之，前面那十页八页的网友热心回帖，可能只是做了个无用功。

415660806

fshwen 发表于 2024-5-31 12:20

感谢您的回复。我抽时间根据您改进的这几个电路去验证下可靠性，非常感谢！

415660806

小鬼头 发表于 2024-6-1 08:27
回头想了一下一楼的主题帖内容和电路：

1、这2个电路的基本拓扑是一样的，由2部分组成。

感谢您的回复。我回答下您关于对本帖的这几条分析和疑问：
1、您对本帖的电路分析是比较准确的，我借了示波器去测量了MOS管的导通电压和频率，导通电压在3.2V~3.4V左右，空载频率在8~11KHz，带载频率在14.5~17KHz左右。
2、本帖（电路图一）工作是正常的，但可能因为元件选型问题导致稳定性偏差，很容易烧元件，正如您所说可能产生了自激，于是我把C1容量减小到10uF，再次老化了近3天时间，从目前的情况看除了几个元件温升比较高以外，整体没有像前面一样出现烧毁元件的情况。
3、您对问题分析比较彻底，从我的字间也能看出我是个技术小白，实在是惭愧至极。我确实对电源技术不慎了解，只能看个大概，小问题可能我还能摸索着解决，但涉及到需要强大的知识储备从而去计算电路中元器件参数这种事，我确实没办法。
然后关于原型电路的问题，这个我确实没法提供，第一是他所用元器件数量是我现在这个电路的十倍以上，并且我只拆开了看看，没有实际去测试电源的各项参数。我大概看了原型机的电路，他由PWM芯片控制MOS，而我这个电路是光耦。 我现在所展示在本帖的电路，是我抄的国内一家比较大型公司的电源模块，我同样老化了的他们的电路，在市电老化时也存在温升的问题，直流电输入温升相对较小。这个电路支持12-240VAC/DC输入，输出电压约为DC12V，输出电流≤100mA，我现在是带载老化，我抽时间去空载老化看看情况，然后再测试下转换效率。
关于这个电路的转换效率我没有实际数据展现给大家，这个是我的问题。因为我现在急于解决稳定性和温升问题，转换效率这块忽略掉了。
您说的前面大家的回帖是无用功，这个我不是很认同，当然也有可能实质性的改变确实没法提升，但我的理由如下几点。
第一、我仔细阅读了大家的回帖，在回帖中挑选了带有指导意见或建议的回帖，然后运用到实际电路中测试，去验证大家的模拟或猜想是否正确，从老化的结果表面改善比较明显，当然需要对电路大改动的建议我目前还没法实现，只根据大家的建议改变了（电路图二）中元件的参数。
第二、即使大家的建议对（电路图二）的稳定性、温升或转换效率没有明显的提升，不能根本解决问题，但通过本帖大家的积极回复，我从回帖中看出大家都是热心肠的人，都是愿意帮助我解决问题并且乐于分析自己经验的人，正如老哥您对本帖的回复，从您的字间我也能看出您的技术水平和乐于助人的精神，我非常感谢和尊敬您，贴通过您和大家的回帖我学习到了不少东西。
第三、本论坛我加入的时间没有大家久，而我经常来这里的原因就是因为大家的专业性、积极性、互助性等强于很多论坛，大家对不同问题的分析和建议具有独到和专业眼光，即使自己不擅长此领域，也能热心给出自己的分析和建议，希望能帮到求助者，我衷心感谢大家的回帖。

补充内容 (2024-6-1 15:22):
更正一下：原机上用的是HEF4093BT，我查了这颗元件是与非门逻辑芯片，也是施密特触发器，这样就能理解原机的MOS触发肯定很快速干脆，有机会我把电路临摹出来供大家参考。

heliu

楼主是谦虚好学的，肯定会进步。
网友都是纸上谈兵，都需要你自己实践。
建议多拿几个型号的MOS、光耦、二极管，换着看效果。即使是D2D3看似不重要的位置，其实也可能影响不小。
就我个人来说，很希望知道楼主最终都有了什么改进，结果好了多少。
大家都长见识。

935482411

heliu 发表于 2024-6-1 11:19
楼主是谦虚好学的，肯定会进步。
网友都是纸上谈兵，都需要你自己实践。
建议多拿几个型号的MOS、光耦、 ...

改进版，山寨也。
不会有什么好的效果，偷工减料的必然～
原装货，用到Pwm调压控制，主动参入类型。
改进版，被动调压，频率低、损耗大。
要想进一步改进，须投入巨大的人力、时间、金钱、精力、无数次实验，成本巨大……

415660806

935482411 发表于 2024-6-1 13:50
改进版，山寨也。
不会有什么好的效果，偷工减料的必然～
原装货，用到Pwm调压控制，主动参入类型。

是的，我现在老化自己的模块和样机理论上都是阉割版的，都跟我贴出来的电路是一样的，但不同的厂家做出来的模块温升有一定差别。这个电路从理论上与实际运用中都不存在很大的问题，可能对元器件要求比较高，不同元件的厂家会造成不同的整机效果。

935482411

935482411 发表于 2024-6-1 13:50
改进版，山寨也。
不会有什么好的效果，偷工减料的必然～
原装货，用到Pwm调压控制，主动参入类型。

目前，重点须提高震荡电路的震荡频率，摆脱低频状态的高损耗……
电路中，在路电感、电阻、电容器是重点主攻方向。
三极管、二极管、场效应管、光电传输器件工作的频率高，不在更换元件之列。