求助懂模拟电路的朋友帮忙分析下电路，不胜感激！

jforu

R3, 实际是为Q1导通提供电流, 要想12V,到240V 都能正常工作, 应该做成有源才好. 大概是PNP+R+稳压管做成恒流源,不过成本增加了.还不一定做的好,因为这个电流太小,Q1打开的慢.这个电流大,效率又低.
OP1, 要能快速关断上面说的电流源, 这样管子工作在开关状态.

只有Q1快速开关, Q1才不会热,如果OP1慢了,R1,Q1都容易烧. 感觉没有用芯片有优势.

小鬼头

美人鱼999 发表于 2024-5-27 17:06
开关电源，不用示波器看波形吗？，参数的调教，都要看波形的呀！

如果是自激，往往连正常工作都做不到。

即使能看到（临界自激时）波形，但简单通过波形也得不到关键的信息。因为要解决自激问题，需要通过观察环路增益的幅频曲线来调试，而这需要专门的测试技术。

美人鱼999

小鬼头 发表于 2024-5-27 17:52
如果是自激，往往连正常工作都做不到。

即使能看到（临界自激时）波形，但简单通过波形也得不到关键的 ...

有的示波器有伯德图功能，是否可以用？

935482411

问题应该在L2上面。将成品电路板上的L2调转180度方向安装后，再试下^_^

935482411

高低压电路的划分，一目了然了：

st.you

看原理图上的电容没标耐压（C2C3），觉得有个问题可能会被忽略，那就是贴片陶瓷电容X7R一类的容量随着施加的电压升高而变小，相移不够导致振荡失败，所以尽量用比实际承受值高得多的耐压值，比如实际12V，那么尽量用50V或者100V的，关键的位置，可用C0G的。

heliu

给点回差能加快开关速度吧，
电阻可以用470K到100多K试一下。最好有示波器看看。

king5555

太稳了沒法自激振荡，加入Rx是关键。非隔离的用光耦是浪费，试着去掉0.1uF电容和简化电路。以前搞过DC24V到AC220V输入就是几颗晶体管。这种不好玩，最好用隔离式的，Y电容預留等通过安規之後不接上。

king5555

这种电路可以仿真还蛮有可信度，电感和电容的內阻要列入。仿真并非任何电路都可靠。

415660806

fshwen 发表于 2024-5-27 16:38
刚没人回复，写了一段回复居然没发上来，居然退出登录，再上来看都这么多回复的了；
其实我个人也不是很懂 ...

感谢您的回复，您可能说到问题关键点子上了，我准备把光耦换成4N25。

415660806

st.you 发表于 2024-5-27 19:30
看原理图上的电容没标耐压（C2C3），觉得有个问题可能会被忽略，那就是贴片陶瓷电容X7R一类的容量随着施加 ...

感谢您的回复，除了0.1uF电容是贴片以外，其他都是电解电容，C1=50V 10uF。

415660806

heliu 发表于 2024-5-27 20:55
给点回差能加快开关速度吧，
电阻可以用470K到100多K试一下。最好有示波器看看。

感谢您的回复，也感谢您的建议。（原理图一）这版温升很严重，并且很容易烧毁元件，烧毁了基本就没有维修价值了，现在改为（原理图二）这版老化，目前就MOS、L2电感、R3温升超出预期，其余暂时没有发现问题。

415660806

king5555 发表于 2024-5-28 00:37
太稳了沒法自激振荡，加入Rx是关键。非隔离的用光耦是浪费，试着去掉0.1uF电容和简化电路。以前搞过DC24V到 ...

感谢谢您的回复，也感谢您的建议。（原理图一）这版温升很严重，并且很容易烧毁元件，烧毁了基本就没有维修价值了，现在改为（原理图二）这版老化，目前就MOS、L2电感、R3温升超出预期，其余暂时没有发现问题。您的建议我会去实验，看下有没有改进问题。24-240我们可以采样电源芯片的方案，不用这种电路了，从我目前老化的情况看这种电路对元器件和PCB布板要求很高，稍微误差基本就不稳定或者烧了。

依依不舍

类似并联稳压和buck电路结合，但电路有必要简化，不需光耦，需要优化的地方很多。
r3,q1,L2，温度高说明q1导时间较长，要么负载重，要么L2选值过小，要么q1驱动电流不足，
大部分工作在放大状态。
电路只需要市电半波整流就可以，不然烧管是经常的，类似abb小功率软启动电源电路可以参考一下。

415660806

依依不舍 发表于 2024-5-28 10:05
类似并联稳压和buck电路结合，但电路有必要简化，不需光耦，需要优化的地方很多。
r3,q1,L2，温度高说明q1 ...

感谢您的回复，半波整流没办法实现，因为这个电源是支持12-240VAC/DC，而驱动的继电器是12V的，没办法做半波。另外您说的优化电路，这个我确实没敢去尝试，这个电路也是抄的国外产品，已经是简化并大批量生产过的。而我现在能做的就是寻求大家帮忙看看元器件参数是否存在不合适，毕竟温升很严重，正如大家所说的可能是MOS关断时间不合理，我现在（原理图一）把C1电容容量减小到10uF，温升会低一点，说明自激频率加快了，可能压在MOS管上面的功率减小了。但其他元件我确实欠缺水平去做出合理的调整。