做个理想整流桥，实际使用效果还不错

sjh327

liwj113 发表于 2024-4-18 14:33
没必要用这个，如同3A整流管就够了5401，这点点电流效率看不出来。

是的，理论上来讲性能肯定是提高了，就是成本也高很多，投入和产出不太合算。

sjh327

顽童50 发表于 2024-4-18 14:43
电源的内阻当然是越低越好。理论上对功放的瞬态表现有利，但能不能听出来是另一回事。

这个测试我一般都是在晚上试听，环境噪声低些， 我自己听还是有些效果，稍后做甲乙类功放也会用上。

xiaosuo

有个问题，MOSFET都有一个伴生的二极管，这会造成输出电压高于输入电压+二极管压降的时候，输出电容非预期放电？

luosifu

xiaosuo 发表于 2024-4-18 15:22
有个问题，MOSFET都有一个伴生的二极管，这会造成输出电压高于输入电压+二极管压降的时候，输出电容非预期 ...

做理想二极管的时候，MOSFET使用的电流导通方向与其寄生二极管的电流导通方向相同

上面的语言可能没表达清楚

MOSFET如果不考虑寄生二极管，源极漏极不区分电流方向，所以设计理想二极管的时候，MOSFET预期的导通方向要与其内部寄生二极管的导通方向一致。

平林新月

可靠性，噪声干扰都是短板。至于减少电源内阻，肯定不如加大滤波电容和增大变压器功率来的显著。

xiaosuo

luosifu 发表于 2024-4-18 15:59
做理想二极管的时候，MOSFET使用的电流导通方向与其寄生二极管的电流导通方向相同

上面的语言可能没 ...

就是MOSFET的S和D可以换着用？

农民

zzfjct 发表于 2024-4-18 14:12
这个是同步整流吗？

这个就是同步整流方式

淡然欣赏

做这个东东的钱，不如加大变压器的功率有效果的多

luosifu

xiaosuo 发表于 2024-4-18 16:48
就是MOSFET的S和D可以换着用？

一般不可以换着用，因为寄生二极管毕竟存在。
假设有一个不存在寄生二极管的MOSFET，那么在理想二极管这样的电路中，S、D可以互换，但是其他电路未必可以。
实际的MOSFET，除了寄生二极管问题外，还有一个差别，就是衬底与哪个极连在一起了，这个在使用中或许也会有差别。

sjh327

晚上重新测试下15A肖特基整理滤波的电源输出波形，电流1.25A。

sjh327

接同一片小甲的1969功放板，分别测试下3片开关电源板的输出电压波形，供各位参考对比。小日本的好像是欧姆龙的电源裸板，自己加个外壳。


  

  

sjh327

老外的实际制作

washu

luosifu 发表于 2024-4-18 18:06
...除了寄生二极管问题外，还有一个差别，就是衬底与哪个极连在一起了，这个在使用中或许也会有差别

衬底和寄生二极管就是一个问题，摸死的 D/S 就是在衬底上做出的另一个半导体结：N 沟摸死就是在 P 型半导体上做俩 N 型半导体，这个 P 型半导体就是衬底，俩 N 型半导体引出分别是 D 和 S，所以 D 和 S 对衬底就是一个二极管。除了极少数小信号开关摸死之外，大多数功率摸死为了方便，都将 P 衬底和其中一个 N 型半导体连接起来，连接起来的这边就是 S 级，没和衬底连接的就是 D 级，所以，S 级对 D 级就通过衬底成为一个二极管（P-N 正向），这个二极管就是你说的寄生二极管。

chipset009

甲类功放就像电炉丝，靠这省那一点电完全可以忽略不记，成本倒是高了不少。