做个理想整流桥，实际使用效果还不错

xiaosuo

washu 发表于 2024-4-19 11:05
衬底和寄生二极管就是一个问题，摸死的 D/S 就是在衬底上做出的另一个半导体结：N 沟摸死就是在 P 型半 ...

这个解释得很清楚，看起来s和d在整流这个场景只能这么用。有人说集成电路里面s和d不区分，看起来也只是没s到衬底b的连接。

washu

xiaosuo 发表于 2024-4-19 11:30
这个解释得很清楚，看起来s和d在整流这个场景只能这么用。有人说集成电路里面s和d不区分，看起来也只是 ...

不止集成电路里不分，分立件里也有这种衬底单独引出的 4 脚摸死
*通常该引脚也接到外壳上，但要注意不是所有 4 个脚的摸死都单独引出衬底，有的就只是接到外壳



在模拟开关还不成熟的上古年代，这种摸死主要用途就是做模拟开关用 上世纪七八十年代的数字万用表可找到不少这种摸死

sjh327

记得用MC34063做升压电路时，里面的场效应管的DS不能对换，否则电路无法正常工作。

xiaosuo

sjh327 发表于 2024-4-19 12:06
记得用MC34063做升压电路时，里面的场效应管的DS不能对换，否则电路无法正常工作。

开启电压还是要放在GS的                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                              

淡然欣赏

走火入魔的人是听不进去的，甲类只要大电流变压器加高容量电解就够了

xiaosuo

淡然欣赏 发表于 2024-4-19 12:44
走火入魔的人是听不进去的，甲类只要大电流变压器加高容量电解就够了

其实买个开关电源就很好。比如说，买个12v的服务器电源。

吃猫的鱼

washu 发表于 2024-4-19 11:38
不止集成电路里不分，分立件里也有这种衬底单独引出的 4 脚摸死
*通常该引脚也接到外壳上，但要注意不是 ...

不知这种mos有没有大功率的，想用来代替双向可控硅，目前的办法是用P/N双联封装的mos,但开通电阻和驱动要双份的

农民

吃猫的鱼 发表于 2024-4-21 10:02
不知这种mos有没有大功率的，想用来代替双向可控硅，目前的办法是用P/N双联封装的mos,但开通电阻和驱动要 ...

国外现在的LED调光器结构，就是2只背靠高压大电流MOSFET来模拟以前的双向可控硅工作调光用的。

koei

只有同步整流，才能真正的提高低压大电流的整流效率。其他的肖特基二极管整流，对提高整流效率都没有用

农民

koei 发表于 2024-4-21 18:56
只有同步整流，才能真正的提高低压大电流的整流效率。其他的肖特基二极管整流，对提高整流效率都没有用

不一定哦， 看你实际工作中的电流。二极管有一个电流/电压曲线，大电流的二极管工作在小电流时，正向电压会比标称电流时的压降低，所以你在一个1A输出要求的整流桥时，使用5A的整流桥会比2A的整流桥效率要高。

xiaosuo

农民 发表于 2024-4-22 16:40
不一定哦， 看你实际工作中的电流。二极管有一个电流/电压曲线，大电流的二极管工作在小电流时，正向电压 ...

压降可能不是内阻的关键，压降更多关系到二极管上面的功耗。内阻应该是dV/dI，这个值可能并不是很大。

koei

xiaosuo 发表于 2024-4-22 20:06
压降可能不是内阻的关键，压降更多关系到二极管上面的功耗。内阻应该是dV/dI，这个值可能并不是很大。

这个还有啥不一定，MOS管的导通电阻，远远小于肖特基二极管的正向等效电阻，所以MOS管上的功耗远远小于肖特基二极管的功耗。至于动态电阻，只涉及到输出波纹电压的大小

xiaosuo

koei 发表于 2024-4-23 08:26
这个还有啥不一定，MOS管的导通电阻，远远小于肖特基二极管的正向等效电阻，所以MOS管上的功耗远远小于肖 ...

我想表达的是对比这两个，内阻可能不是最关键的，关键的可能是功耗。

koei

xiaosuo 发表于 2024-4-23 10:42
我想表达的是对比这两个，内阻可能不是最关键的，关键的可能是功耗。

功耗也同动态电阻（dv/di）无关，只同等效电阻（v/i）有关。相同电流下，正向压降小的二极管功耗小。肖特基二极管主要特点就是正向压降低。

xiaosuo

koei 发表于 2024-4-23 13:53
功耗也同动态电阻（dv/di）无关，只同等效电阻（v/i）有关。相同电流下，正向压降小的二极管功耗小。肖特 ...

建议再读下我开始说的啥，咋们说的是一个意思啊。