BF998变频收音机灵敏度低

矿坛爱好者

楼主的双栅极都经过线圈到地，是不是相当于栅极被（AGC）控制到最小增益？777栅极2 不是直接到地。

超级夜猫子

矿坛爱好者 发表于 2025-3-15 13:43
楼主的双栅极都经过线圈到地，是不是相当于栅极被（AGC）控制到最小增益？777栅极2 不是直接到地。

楼主BF998的D、S极都接了5k的电阻，G1、G2直流接地，这已经是负栅压了，还有仅3.7V电源电压，算下来即使完全导通，也仅0.37mA的电流，实际因为栅负压的原因电流更小，这个状态下BF998肯定是负增益了，所以我说楼主用错了地方，还有冰岛，MF35_等前辈也分析得很到位了。

MT4S301

矿坛爱好者 发表于 2025-3-15 13:43
楼主的双栅极都经过线圈到地，是不是相当于栅极被（AGC）控制到最小增益？777栅极2 不是直接到地。

我之前用的电路大致就从这种机器抄来：http://www.crystalradio.cn/forum ... &fromuid=322954
栅2偏置电压当然对双栅管性能有巨大影响，楼主1楼的零偏不合适。。。

但你发的电路图没有用栅2混频，FM混频在后面的NPN完成。
所以不能参考它的混频电路。。。。。。

MT4S301

MF35_ 发表于 2025-3-15 13:05
1.G2没有正偏，跨导非常小
2.电源电压太低，完全无法发挥双栅管的性能，双栅管一般要9V以上性能才有优势， ...

1、双栅管也可以很低电源，如爱抗母IC-R3让3sk293跑在2.4V电源；IC-R10甚至让3sk274跑在2.4V
2、不仅双栅FET不应偏置在小电流，单栅FET也不适合。小电流非线性大、跨导又小。。。
3、双栅管用在高频接收放大原因是低互调和易通过G2控制增益和反馈电容小免中和
    以末代分离双栅FET及其典型用途评价，噪声还真不是双栅管的强项

MF35_

MT4S301 发表于 2025-3-15 14:18
1、双栅管也可以很低电源，如爱抗母IC-R3让3sk293跑在2.4V电源；IC-R10甚至让3sk274跑在2.4V
2、 ...

1.你说的只是很少数的双栅，绝大多数双栅管电压特性都不太好，或者说FET的低压特性本身就比BJT差的多，这个从输出曲线上可以看出来，BJT的输出曲线饱和区比较窄，而FET的变阻区大多比较宽，当然，不排除一些特殊设计的管子，就比如你说的这几种
2.单栅就可以用JFET了啊，小电流场合还行吧，而且单栅管低压特性肯定更好一些（毕竟只需要给一个管子供电，双栅等于两管串联供电）
3.你说的这个我清楚啊，双栅管等效为源地－栅地的复合结构，高隔离度必然是核心特性，至于低噪声，这个我觉得是相对的，如果是低阻输入场景，那自然没有噪声上的优势，但如果是高阻输入场景呢，BJT的高电流噪声就凸显出来了，这时候不就是场管更有噪声优势嘛。

至于双栅管通过G2调整跨导的优势，这个咋说呢，我认为只是设计上更便利，也就是大多数设计G2都是固定的，通过G2动态调整增益（比如AGC）其实会有其他问题，所以专业的设计其实很少这么用，所以这个优势我认为一般般，因为设计阶段的问题可以通过选型解决，有没有G2的调节其实不是很重要

MT4S301

MF35_ 发表于 2025-3-15 15:23
1.你说的只是很少数的双栅，绝大多数双栅管电压特性都不太好，或者说FET的低压特性本身就比BJT差的多， ...

真正射频哪来的高阻，，，能上200欧都非常高了
如果你指的LW~SW的并联谐振高阻天线，说实话即便SW频率都很难算【射频】。。。。
我已经说过【按照末代双栅管典型应用】对比它们和BJT的噪声 那些都是VHF~1G的应用为主
很少有高信号源阻抗问题
说白了我认为一切使用241/998/3SKxxx的中波电路设计都不明智/不合理

至于双栅管Gate2做AGC的问题，我读的BF998\BF1212手册都花大篇幅展示gain reduction特性
爱抗母的接收机用双栅管输入的型号，电路图直接标明G2电压叫agc电压
如果你还要反驳gate2的AGC用途我无话可说

MF35_

MT4S301 发表于 2025-3-15 22:34
真正射频哪来的高阻，，，能上200欧都非常高了
如果你指的LW~SW的并联谐振高阻天线，说实话即便SW频率都 ...

大哥，你看主题啊，人家都在这玩儿收音机呢，你来整个VHF~1G要闹哪样
我并没有反驳G2实现AGC的能力，但通过G2实现AGC是存在弊端的，最明显的就是AGC范围做不了太高，动态范围会有限，如果要用，一般也是要配合其他AGC方式共同使用的，爱康木这个接收机是什么档次的我不清楚，动态范围多少也不清楚，所以这个没法评论，脱离涉及需求谈方案也没意义不是，专业接收机动态范围往往超过100dB，显然不是G2可以完成的

MF35_

MT4S301 发表于 2025-3-15 22:34
真正射频哪来的高阻，，，能上200欧都非常高了
如果你指的LW~SW的并联谐振高阻天线，说实话即便SW频率 ...

我觉得没必要过分争论，再这么争下去就变成为了争论而争论了，还是求同存异吧，每个人的知识结构不同，对器件、电路的理解也不同，对电路设计的倾向自然不同，你说的有道理，我说的也不见得是错的，我的理解中，双栅管这个东西诞生的初衷就不是为了控制增益，而是为了稳定性，至于控制增益，只是它设计初衷的副产物，所以我对使用双栅管G2控制增益的方式（包括用G2混频的方式）是不感冒的，有点儿“不正经”的味道，控制增益有很多办法，为啥非要和G2过不去呢

至于你说的“一切使用241/998/3SKxxx的中波电路设计都不明智/不合理”，你说的也许有道理，我也理解你这个观点的出发点，这些器件不是为中波设计的，用在中波的话，缺乏原生的设计指导。但是，大多数能用在GHz的器件，用在MHz同样是优秀的，作为基础原件的场管和BJT就是这类，所以没道理不能用，也没道理放着优秀的器件不用，至于怎么用得好，就需要摸索了，玩儿嘛，不就是各种折腾

MT4S301

MF35_ 发表于 2025-3-15 22:54
我觉得没必要过分争论，再这么争下去就变成为了争论而争论了，还是求同存异吧，每个人的知识结构不同 ...

GHz器件在MHz砍瓜切菜不假，但绝缘珊FET的1/f噪声是个问题。
看过不少日本人测高频FET噪声的博客都说241噪声在MW附近比随便什么JFET大得多

猜测目前网络众多使用241/998等UV器件做MW的出发点是这些器件Cis非常小（2pF）可直连磁棒线圈初级
这确实有道理值得承认，我自己的K508直放就受Cis影响调谐范围总难覆盖完MW段
只能说在Trade off之中网上那些大湿选择灵敏度&覆盖范围，而我牺牲覆盖范围追求低噪

aihao

MT4S301 发表于 2025-3-15 23:08
GHz器件在MHz砍瓜切菜不假，但绝缘珊FET的1/f噪声是个问题。
看过不少日本人测高频FET噪声的博客都说2 ...

508不能覆盖高端怎么办？我还准备用它，那个sw-55的已经打板，仿ex5的还没有画。另外BF998的G2在电压小的时候噪声非常大，参见英飞凌的BF998手册。

longshort

aihao 发表于 2025-3-16 08:22
508不能覆盖高端怎么办？我还准备用它，那个sw-55的已经打板，仿ex5的还没有画。另外BF998的G2在电压小的 ...

508輸入電容只有4.8pF，怎麽就不能覆蓋了？短波都不會有影響的。

MT4S301

longshort 发表于 2025-3-16 08:59
508輸入電容只有4.8pF，怎麽就不能覆蓋了？短波都不會有影響的。

我弄的直放电路如图，大脑老师正好可帮我看看问题
此机高端拧到底只能到1575电磁战噪声为止，1593中国之声完全听不见。。。
但是用286听1593，带宽开到8khz也仅有一些杂音。说明信号极强，DIY机不应无法解出
所以判断调谐高端到不了1593
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2025-3-16 15:21 上传

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longshort

MT4S301 发表于 2025-3-16 15:24
我弄的直放电路如图，大脑老师正好可帮我看看问题
此机高端拧到底只能到1575电磁战噪声为止，1593 ...

中波的覆蓋範圍是522KHz~1620KHz，覆蓋比是3.1:1，那麽電容的變化是9.63:1。
你的C1是5p/145p的，應該是223P這種類型的可變電容器，它的覆蓋非常成問題。假如在PCB環境下的分布電容是5pF，磁棒天綫繞組的分佈電容大約10pF，管子的輸入電容是2.1pF，那麽縂電容是的變化比僅有7.335，加上它還帶著3/10pF的半可調，完全不能覆蓋9.63:1的範圍。
所以223p的可變等同於廢品。順便提一下，223p的調諧曲綫屬直綫電容型，在接收機調諧機構中是最忌諱的類型，換用CBM-203還過得去。

MT4S301

longshort 发表于 2025-3-16 15:56
中波的覆蓋範圍是522KHz~1620KHz，覆蓋比是3.1:1，那麽電容的變化是9.63:1。
你的C1是5p/145p的，應該是 ...

那老师推荐哪种可变比较好呢...

longshort

MT4S301 发表于 2025-3-16 15:59
那老师推荐哪种可变比较好呢...

CBM-203或CBM202都行，都是近似對數型變化的。

所有的差容雙聯都不要用，都是那個尿性。