我这样理解单片机不对吗？

fshwen

海阔天空9 发表于 2023-12-29 18:27
没辙了！写不进去呀！？有一片2051的原来程序可能擦除了？（原来放到电路板上可以有规律的点亮LED，擦除 ...

手按就是再快，保守估计至少也有三五百毫秒了，差距有多大？2000多倍的差距
不过楼主您是有收获的，起码芯片被成功的擦除了。

您用三极管或者什么逻辑芯片做一个单稳态电路，离成功预期应该就不远了，最多也就调一下单稳态的时间

fshwen

海阔天空9 发表于 2023-12-29 19:30
3-5百毫秒？不至于把？100毫秒（0.1秒）以下可以做到？可不可以用电容的充电时间限制脉冲宽度？选则合 ...

您还真别怀疑，这个时间只有超过的不可能做到百毫秒下，就算是帕金森恐怕做到百毫秒也难，何况110微秒。
用RC做，不是上升沿缓慢就是下降沿缓慢，宽度无法保证，您可以试试我估计下降沿可以慢点但上升沿要快点，但用三极管或者什么芯片搭个单稳态电路会简单高效，不然会给自己搞出很多不确定的问题

t3486784401

海阔天空9 发表于 2023-12-30 13:29
这个“最简手动编程”操作步骤越来越像6116存储器的写入操作了！设置数据后按“写入”键 地址自动加一， ...

您看起来的【像】，在我们这一众后辈看来，根本就是主次不分。

【像】有用吗？ 就算像亲兄弟一样的【像】，到头来还是得纠结 Tmax<100us 这种事情。

真正的主要，是研究 2051 和 6116 不一样的地方，这是您需要认真对待；
所谓的次要，才是您提到的【像】，的确很像，但没用。

关于不一样的地方，我提过两点：

1. P3.2 有 Tmax 时序要求；
2. XTAL 有抗抖动要求。

这两点目前已经遇到第一点了，目测也会碰到第二点。祝好运！

fshwen

海阔天空9 发表于 2023-12-30 11:08
请问，读出数据时1脚电压是低（0V）还是高（5V）？和“模式开关”的“工作”似乎有矛盾？
写入脉冲宽 ...

xiaocake1

海阔天空9 发表于 2023-12-29 18:27
没辙了！写不进去呀！？有一片2051的原来程序可能擦除了？（原来放到电路板上可以有规律的点亮LED，擦除 ...

请问：

1. 您准备写入什么数据？  还记得小目标嘛？

2. 您是否完全理解了写入的方法(操作步骤)？如果理解了，请您将操作步骤整理一下回个帖。

3. 您是否完全理解了校验方法？如果理解了，请您也将操作步骤整理一下回个帖。


如果您能很轻松回答上面的问题，那您就放心大胆的多试几遍就是了。

一般来说，那个12V电压只要您不接错到其他引脚上面，单片机是不会那么容易坏的。

xiaocake1

海阔天空9 发表于 2023-12-31 08:49
我是按“烧写操作步骤”做的。擦除后拨码开关设为“写”（LHHH），拨码开关2设置数据后按下“脉冲写入” ...

1. 把您的实际电路说明一下，弄不好您不完全是按图来的。然后某个环节对不上自然是不行的。

2. 在读出(校验)的时候,  1脚(RST)电压记得切换成5V，不是12V了，也不是0V.
    1脚电压，只有要改动单片机存储器数据(擦除和写入)的时候才需要12V,  读数据时只需要高电平(5V)即可。

3. 先写入第一个字节，再读出这一个字节！！！！  等 一个字节成功后再尝试多个字节！！！

xiaocake1

海阔天空9 发表于 2023-12-31 09:08
2. 在读出(校验)的时候,  1脚(RST)电压记得切换成5V，不是12V了，也不是0V.--------------我就是这么做 ...

您在RST和5V之间加电容有什么根据嘛？

在加了这个电容的情况下，麻烦您分析一下单片机上电时，1脚的电平变化？是否符合我给您提供的图上的编程要求（按官方文档翻译）？

还有那个地址加1按钮，建议并个电容您就加上，差那个小电容啊？耍什么小聪明呢？

您这办事简直是没有一点准则，想一出是一出的，无端多出来一些问题，难怪您搞个事情这么费劲，尽在给自己挖坑。。。

先写一个字节！先写一个字节！先写一个字节！