MOSFET的最大极限电流IDM如何测试，测试这个电流是否可以决定这个MOS管的好坏不易烧

lnadn · 发表于 2023-9-4 16:14:43

washu 发表于 2023-9-4 15:13
制造商的一些数据不是测出来的，是算出来的，尤其是 Idm 之类，这个前面说了，英飞凌等厂家在解释 Idm 等 ...

要加负载吗，还是直接DS管路？如果没烧，是直接增大频率吗还是调占空比？

lnadn · 发表于 2023-9-4 16:15:44

枫丹白露发表于 2023-9-4 16:10
现在大体上要求过流/短路测试最好找华晶的MOS，其他国产的就算了，像锂电池保护板短路电流很高的，国产的只 ...

士兰好像也还可以，但外面还有些小芯片厂价格好便宜

lnadn · 发表于 2023-9-4 16:16:40

枫丹白露发表于 2023-9-4 16:11
你砸开MOS，看一下里面的硅铝线，也可以估算大概可以过多大的电流

国产里面的线是自己定的，都是尽量用粗的，这个铝线不值钱

枫丹白露 · 发表于 2023-9-4 16:32:26

极限电流和雪崩能量,这两个参数都是理论计算数值，对你选择MOS没有参考意义，一般是看耐压和连续电流，跨导，极间电容大小，这些都是可以测试的，外面卖的MOS筛选仪器就可以了，如果是做锂电池保护板的，短路电流非常高的，你只能通过测试才能知道是否合适。

454585443 · 发表于 2023-9-4 16:37:21

本帖最后由 454585443 于 2023-9-4 16:38 编辑

lnadn 发表于 2023-9-4 15:08
2.3W一台，不知道能否测试电流

20年前我设计了一种用脉电流测试的MOS管测试仪，最大脉冲电流可以达到50A，因为是脉冲测试法所以测试时管子不会发热，主要测量范围：

1、击穿电压VDSS 测量范围： 0―1999V，
2、IDSS 1mA、250uA、25uA 。
3、栅极开启电压VGS（th）测量范围： 0―10V。
4、Gfs 跨导测试电流Idm：不小于1―50 A
5、Gfs 跨导测试范围：1―100 。
6、通态压降测试电流：不小于1―50 A

海峰 · 发表于 2023-9-5 07:00:34

washu 发表于 2023-9-4 15:13
制造商的一些数据不是测出来的，是算出来的，尤其是 Idm 之类，这个前面说了，英飞凌等厂家在解释 Idm 等 ...

制造商的一些数据不是测出来的，是算出来的，尤其是 Idm 之类，这个前面说了，英飞凌等厂家在解释 Idm 等数据时暗示了这一点。

在此之前，我都以为是测试出来的，原来如此。

lmb9802 · 发表于 2023-9-5 08:28:38

lnadn 发表于 2023-9-4 15:09
MOS管的安全工作区，这个好像也不太好测试，完全凭厂家写

那也只能参考厂家给的数据了
要安全的话，可以降额使用

xiaoduan · 发表于 2023-9-5 10:35:54

本帖最后由 xiaoduan 于 2023-9-5 10:46 编辑

尽量选planar结构的MOS，其面积大，SOA很大，比较强壮。tranch结构的MOS，其特点是内阻很小（多个垂直沟道并联），Idm标称很大，但是SOA不大，容易坏。原因嘛，看看它们的结构就知道谁的热量更均衡，更容易散热：
MOSFET的结构与SOA的关系.png

这里有论文支撑，有人专门做了试验：
关于MOSFET架构planar与tranch对比研究_页面_1.jpg

lnadn · 发表于 2023-9-5 11:37:58

xiaoduan 发表于 2023-9-5 10:35
尽量选planar结构的MOS，其面积大，SOA很大，比较强壮。tranch结构的MOS，其特点是内阻很小（多个垂直沟道 ...

专业，平面确实抗冲击比沟槽更强

lnadn · 发表于 2023-9-5 11:38:53

454585443 发表于 2023-9-4 16:37
20年前我设计了一种用脉电流测试的MOS管测试仪，最大脉冲电流可以达到50A，因为是脉冲测试法所以测试时 ...

还有卖吗，你做的这个仪器测试出来的DS最大电流是属于实际极限电流吗

454585443 · 发表于 2023-9-5 12:57:46

本帖最后由 454585443 于 2023-9-5 14:41 编辑

lnadn 发表于 2023-9-5 11:38
还有卖吗，你做的这个仪器测试出来的DS最大电流是属于实际极限电流吗

十年前就不做了，因为年纪大了做不动了。测量是根据每个MOS管的PDF资料上的参数电流和电压的要求来测量的，符合参数表上的数据就是合格的，反之则不合格。所以想用小功率或小电流的管子来冒充大电流或大功率的管子，在仪器面前都会显出原形。

枫丹白露 · 发表于 2023-9-5 14:06:19

xiaoduan 发表于 2023-9-5 10:35
尽量选planar结构的MOS，其面积大，SOA很大，比较强壮。tranch结构的MOS，其特点是内阻很小（多个垂直沟道 ...

IR的平面和沟槽早就混着卖了，现在基本上没有平面的了，市面上的都是沟槽工艺的。

lnadn · 发表于 2023-9-5 15:15:56

枫丹白露发表于 2023-9-5 14:06
IR的平面和沟槽早就混着卖了，现在基本上没有平面的了，市面上的都是沟槽工艺的。

沟槽直接替代平面可以吗，沟槽内阻比平面小几倍，芯片也更小

枫丹白露 · 发表于 2023-9-5 15:26:50

lnadn 发表于 2023-9-5 15:15
沟槽直接替代平面可以吗，沟槽内阻比平面小几倍，芯片也更小

现在说能否替代有点多余了，因为往后生产的都是沟槽的

小鬼头 · 发表于 2023-9-6 16:47:08

我今天想起来，10多年前我曾在外网看到过一份RCA公司用于测量bjt的SOA曲线的分析仪电路图纸（我现在找不到）。

楼主可以试试搜索这一类仪器的电路图，研究一下他的工作原理和方法，花为自己所用。

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MOSFET的最大极限电流IDM如何测试，测试这个电流是否可以决定这个MOS管的好坏不易烧

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