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楼主: cwhenao

IFR3205的漏极电流110A是虚标吗?

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发表于 2023-2-12 22:05:18 | 显示全部楼层
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发表于 2023-2-12 22:19:53 | 显示全部楼层
bis 发表于 2023-2-12 22:05
θja是计算没有散热片,仅靠管子自身封装散热的温度的,如果带散热片应该用θjc这个参数来算。

仿制过电子假负载,也以为是管子的自身散热, 上电管子就放烟花了
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发表于 2023-2-12 22:30:08 来自手机 | 显示全部楼层
cwhenao 发表于 2023-2-12 22:04
你意思是换个大封装,比如用巴掌一样大的封装再加上16平方的引脚,直接就能上100A长期使用吗?好像也不 ...

也不是这么简单,这个数据不是直接对应实际长时间的电流的,但它也有意义,可以作为管子耐电流能力的参考
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 楼主| 发表于 2023-2-12 22:42:52 | 显示全部楼层
我观察IRF3205(普通温度条件加散热片)在实际使用中电流大都在5A以内,比最大电流小了20多倍,以此类推8050三极管,集电极最大电流500mA,如果是虚标的只能使用到20mA,但实际中你使用到100mA是没啥问题的吧,有的人用它来做小功放管,我就不明白的是3205为啥要标这么大,根本是不可能使用到的电流。看来场效应器件的电流先要考虑减小个20倍再说。
UC截图20230212222849.jpg
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发表于 2023-2-12 23:35:36 | 显示全部楼层
本帖最后由 maojc 于 2023-2-12 23:47 编辑

110A应该是极限参数 在符合规定条件下通过不会损坏。
也是使用功率器件可靠性设计的参考参数。
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发表于 2023-2-12 23:54:09 | 显示全部楼层
cwhenao 发表于 2023-2-12 22:42
我观察IRF3205(普通温度条件加散热片)在实际使用中电流大都在5A以内,比最大电流小了20多倍,以此类推805 ...

其实没有什么好奇怪的,场效应管都是这样标的,无非是芯片电流远远超过了封装电流,还有更大的IRL40SC228,Id五百多A,但实际也达不到,但是一些Id较小只有几A的管子,就很容易达到了
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发表于 2023-2-13 00:13:36 | 显示全部楼层
SPKBL 发表于 2023-2-12 23:54
其实没有什么好奇怪的,场效应管都是这样标的,无非是芯片电流远远超过了封装电流,还有更大的IRL40SC228 ...

500 多安培是“硅限制”,也就是说达到摸死硅片载流密度
irf32051.jpg


IRL40SC228 没到到砸开的,楼主的 3205 正好有,可看到硅片面积比引脚面积不知道大多少,所以从摸死的硅片载流量看,它还真的是非常大的


至于那么细引脚的 TO220 封装搞那么大硅片,起码硅片大的你觉得更靠谱吧...
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发表于 2023-2-13 00:17:30 | 显示全部楼层
cwhenao 发表于 2023-2-12 22:04
你意思是换个大封装,比如用巴掌一样大的封装再加上16平方的引脚,直接就能上100A长期使用吗?好像也不 ...

看上楼人家砸的 3205,可见硅片面积比引脚不知道粗多少

所以如果散热足够好,对那么粗截面的硅片来说 100A 小意思啦

问题是,3205 被限制在这个 TO220 封装里了。

至于有啥意义?起码侧面反映它硅片够大,难道你不喜欢大的喜欢小的 兄弟这 XP 可不行呐
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发表于 2023-2-13 00:38:49 | 显示全部楼层
这种是国产未量产的3DD150半成品 引线够粗。

Image00112.jpg
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