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发表于 2023-1-8 08:48:43
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njhhack 发表于 2023-1-5 21:08
重绕了输出变压器,先绕次级0.31双线并绕56匝,电感量3.1mH,然后在次级外面0.15四线并绕126匝,中间抽头, ...
推动管的这种偏置电路结构适合硅管电路,不适合锗管。硅管、锗管都有“热失控”现象,但是热失控机理完全不同:锗管的热失控主要来自集电结反向漏电,电流由基极漏到集电极形成自偏置也就是Icbo,Icbo是一个不稳定因素,它是三极管的制造缺陷,且Icbo会随结温升高而升高;硅管的热失控则是由于Ib-Ube曲线(横轴为电流、纵轴为电压)随温度升高而下移所致。偏置电路只有一个基极电阻,三极管的基极偏置电流则是基极电阻提供偏流与Icbo之和,而Icbo是个不稳定因素,这就造成了集电极电流的不稳定。锗管电路的最佳偏置,基极采用两只电阻分压,且流过下偏置电阻的电流要达到三极管基极电流的5倍以上,发射极设置一个合适的电阻,这样,当集电极电流由于Icbo增加而增加,发射极电阻上面的电压也会增加,而基极电压由两只分压电阻分得的是近似固定值,当Icbo大到一定程度,基极分压电阻的作用就不再是给基极提供正向偏置,而是反向吸收由集电结泄漏到基极的Icbo,从而稳定发射极电流,也就稳定了集电极电流。采用分压+发射极电阻的偏置,即使基极悬空状态Iceo大于电路的目标集电极电流,在装配之后通过适当调整,仍然可以把集电极电流调整到目标值,并且电路工作状态完全正常。对于小信号甲类放大,发射极电阻上面的电压可以取电源电压的1/5左右,如果电源电压12V,那么发射极电阻上面的电压可以取2.4V,假如目标集电极电流为3mA,那么发射极电阻值为2400mV/3mA=800Ω,因此发射极电阻可取近似值820Ω;基极电位为2.4V+0.2V=2.6V,假设三极管放大倍数为30,那么基极电流=3mA/30=0.1mA,那么下偏置电阻流过的电流为基极电流5~10倍,这里取7倍中间值,2.6V/0.7mA≈3.71kΩ,因此取近似值3.6k或3.9k;上偏置为下偏置的4倍左右,因此暂定为15k,通电之后微调。 |
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