继续请教各位老师：牡丹747低放电路

ssffzz1

bumk 发表于 2022-10-28 23:20
不知说啥好了
拆下自己的747的变压器，搭棚了一个完整的功放，低放和激励使用HFE = 330的2SC1815，推挽使 ...

从新手到熟手都要经历类似的过程。

过去了就熟手，无数次都过去了，就是高手。当然死在第一步的也不少。

bumk

ssffzz1 发表于 2022-10-28 23:30
从新手到熟手都要经历类似的过程。

过去了就熟手，无数次都过去了，就是高手。当然死在第一步的也不少 ...

我不是在对楼主无语呀，哎，我也是新手，您没明白我的意思……

（硅管，高beta … 视之如虎……我是实在没忍住，才拆了自己的机器）

ssffzz1

bumk 发表于 2022-10-28 23:35
我不是在对楼主无语呀，哎，您没明白我的意思……

（硅管，高beta … 我是实在没忍住，才拆了自己的 ...

抱歉，
领悟能力有限。

有玄机，就明示吧。脑子笨，不说直接点就懵圈。

bumk

ssffzz1 发表于 2022-10-28 23:40
抱歉，
领悟能力有限。

额，对不起，是看了之前有些楼层的回复，好像一提到硅晶体管推挽，或者高beta值，就视之如虎。

而我这边使用上，就从没有诸如，容易自激、增益过高（其实增益都差不多）的问题。
我是新手，我真的不理解，为何就好像看不起硅管似的。

ssffzz1

bumk 发表于 2022-10-28 23:46
额，对不起，是看了之前有些楼层的回复，好像一提到硅晶体管推挽，或者高beta值，就视之如虎。

而我这 ...

这个问题我是这么看的：

貌似自激需要有3个条件，具体我忘记了。粗略的说，要足够的正反馈，一个是相位要180的反转（当然接近也可以），另一个是反馈的量要足够。

（1）相移主要是阻容造成的，一级或2级放大电路的相移量一般不足180度这个要求。
（2）如果放大倍数很高，那么反馈量可能是够的。但前一个条件不满足也不行。

另外搭棚的电路杂散参数未必比PCB的差，甚至可能更优秀。如果你元件离的距离较远，线之间的距离也较远，并且是垂直的话，那么这个正反馈就更小了。

所以说你做出来了，不能说明上面几位的观点不对。放大倍数大容易自激，没说必然自激。你电路做的比较优秀，当然没问题了。


上面的分析是我想当然的说法，你可以参考下，我觉着思路可能问题不大，具体数据 未必对。

bumk

ssffzz1 发表于 2022-10-28 23:57
这个问题我是这么看的：

貌似自激需要有3个条件，具体我忘记了。粗略的说，要足够的正反馈，一个是相 ...

但我总是觉得和beta没什么关系，不过在某种特定条件下输入阻抗稍高了点儿而已，增益取决于电路形式，怎么能取决于一个直流电流增益HFE呢。

ssffzz1

bumk 发表于 2022-10-29 00:04
但我总是觉得和beta没什么关系，不过在某种特定条件下输入阻抗稍高了点儿而已，增益取决于电路形式，怎 ...

我的理解beta和Hfe是 正 关系。Hfe大的管子 beta必然大。

beta指的是交流放大倍数，就是基极电流变化一个范围，引起的集极电流变化范围。

举个测量的例子就是：
（1）基极通电流b1 ,测试集极电流c1
（2）基极通电流b2,测试集极电流c2

(c2-c1)/(b2-b1) 就是 beta 。


Hfe就是在b和c固定为某一个数值的时候的c/b 。譬如通b3的基极电流，测量出来c3的集极电流，那么Hfe= c3/b3


显然如果在c1到c2这段的特性曲线为一根线性的直线，并且c3落在  c1到c2的范围内，beta就等于Hfe。

三级管的这个曲线在第一象限，显然是  正  的相关。

数学很差，说的很乱。


另外如果是深度负反馈的话，放大倍数是和beta没多大关系，但我看那个电路没这个部分。
另外我是看到你示波器出来的P-P幅度很大的，功率可能都有1W了。波形干净，的确是不错。

sgeli_sh

rjphsxx 发表于 2022-10-28 12:03
我就是想折腾一下，我想新技术的硅管的性能难道还比不上又贵又不稳定的锗管吗？

锗管用硅管替代没问题，音质也差不多的，支持改硅管。只是推挽功放的工作点稳定性硅管比锗管差点（电压降差点），如用锂电池或镍氢电池，这个缺点不明显。

bumk

ssffzz1 发表于 2022-10-29 00:16
我的理解beta和Hfe是 正 关系。Hfe大的管子 beta必然大。

beta指的是交流放大倍数，就是基极电流变化 ...

和您讨论真是愉快，我有很多不明白的问题，都不敢说。

那我想这么问：比如，您去寻找一款晶体管的参数，比如在alldatasheet上，找到该型号，然后打开看到的是什么
厂家把同一个型号，不同档位的晶体管，放在一个PDF里，而交流电流增益hfe-Ic曲线，或者fT-Ic曲线，用的也是同一个表，并没有区分档位，这又说明了什么呢？

比如：
2N3904_onsemi.PDF (474.38 KB, 下载次数: 94)

2022-10-29 00:28 上传

点击文件名下载附件
onsemi2N3904

您看这个PDF，就描述的很清楚，hFE在on characteristics里（其上还有off特性，总之属于on/off特性），而fT，Cob这种参数，就归类在small signal characteristics里了。
而且，继续往下翻到第5页，看figure9. Current Gain and Phase Angel vs. Frequency，其纵轴写明了hfe，交流增益。这个表完全可以用fT-Ic图来估计的吧。您看这些，起码不同档位的3904用的都是这同一个交流增益-频率图。

t3486784401

粗略过了一下帖子，给 LZ 讲下 1N4148 是干啥的吧：

考虑前级没有音频输出的情况，BG5 过直流，变压器 B5 三组线圈都没有交流信号。
此时 BG6、BG7 的基极电位均等于 B5 副边中心抽头电位，相当于副边线圈直通。

从功放设计的角度，要求此时 BG6、BG7 应该位于临界导通的状态，即 Vb-Ve= -0.6v （PNP硅管），
才能在有信号的时候给出最灵敏的放大推动，否则部分前级信号会浪费在“开门”上，产生失真。

结合上述两个分析，就需要设计电路，使 B5 中心抽头电压比 BG6、BG7 公共发射极低 0.6v，
这也就是 1N4148 存在的意义：产生结电压，使 BG6、BG7 位于临界导通状态。

于是可以有如下推论：

a. 1N4148 应该接在变压器 B5 中心抽头位置，而非 BG6、BG7 发射极；
b. 1N4148 的正向压降，应该尽可能贴近 BG6、BG7 的发射结压降 Vbe （硅管0.6v，锗管0.2v）
c. 1N4148 仅适合硅管 BG6、BG7，如果后者换为锗管（例如 3AX），考虑换掉 1N4148

rjphsxx

t3486784401 发表于 2022-10-29 03:35
粗略过了一下帖子，给 LZ 讲下 1N4148 是干啥的吧：

考虑前级没有音频输出的情况，BG5 过直流，变压器 B ...

对的，让我有空了再实践尝试。

rjphsxx

bumk 发表于 2022-10-28 23:20
不知说啥好了
拆下自己的747的变压器，搭棚了一个完整的功放，低放和激励使用HFE = 330的2SC1815，推挽使 ...

感谢老师为我实践尝试，非常感谢！！！！看了你后面的回复帖子非常佩服。给你加分，感谢了！！！

rjphsxx

感谢上述所有的给我回复的老师，你们辛苦了！！！！尤其是“白露”老师，“bumk”老师，为你们的敬业精神所佩服！！！！
我还会折腾，还会去实践的，等有空了，继续向大家汇报结果。再次深深感谢上述给我回复的各位老师！！！！
2022.10.29晨

海洋DZ

时至今日，全硅管做收音机这么久也不是什么新技术，已经有很成熟的产品了，怎么还是有人排斥呢？

ssffzz1

冰岛 发表于 2022-10-29 15:01
以前表示三极管的放大倍数，方法有“阿尔法放大倍数”和“贝塔放大倍数”两种，“阿尔法放大倍数”指共基 ...

谢指正。

你说的没错。我自己看看书瞎琢磨，必定有问题。