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发表于 2019-12-2 08:02:51
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本帖最后由 changwanren 于 2019-12-2 08:06 编辑
关于用统调监测仪统调时对电路的影响进一步测试报告,1648芯片实测输入电容为5p,绕15匝线圈后套入磁棒,调整适当位置后稳定起振,电容器在最低端测得频率为539KHz,在最高端时测得频率为2905KHz,2905/539=5.389, 5.389×5.389=29.04 实测可变电容最大366p,最小11.5p, 368/29.04=12.52, 12.52-11.5=1.02p,这1.02p为线圈分布电容加探头反馈到回路电容,由于磁棒线圈总匝数为80匝,80/15=5.33,5.33×5.33=28.4, 5p/28.4=0.176p,所以理论上探头反馈到回路电容应该是0.176p,为了验证是否准确,将1648芯片输入端并联了一个100p电容,调谐回路震荡频率由2905KHz变到2337KHz,经计算反馈到回路电容多了6.6p 100/6.6=15.15,那么5p/15.15=0.33p,和理论计算差了2倍,看来理论计算有误,因为80匝线圈的其中40匝在磁棒的另一头。这0.33p的电容对回路高端统调有多大,进行了如下实验,回路统调好后,在频率最高端收到了一个电台,在调谐回路不并联100千欧姆的条件下(场管K168),8307芯片场强指示电压为0.61伏,撤掉调谐回路探头线圈后,场强指示为0.51伏,降低了100毫伏,按8307的斜率25Mv/dB降低了4分贝。(并联上100千欧姆电阻,降低30毫伏,为1分贝多)。通过调整调谐回路的补偿电容使其回到0.61伏,找回这0.33p电容的影响,应该是统调情况和统调监测仪检测到的情况一致了。
368/9=40.9 0.33/40.9=0.8%,通过计算得知0.33p的电容对频率高端电容误差为0.8%,但是采用场管输入还没并联100k电阻的条件下,确实能看出影响,经计算在1600KHz,0.33p电容可偏差6.5KHz,若回路Q值为40,通频带1600/40=40KHz,影响不大。若回路Q值为100,通频带为16KHz,可能会看到三四分贝的影响。
实验测试一段视频
https://v.youku.com/v_show/id_XN ... j.8428770.3416059.1
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