935482411 发表于 2024-5-27 18:07
问题应该在L2上面。将成品电路板上的L2调转180度方向安装后，再试下^_^
感谢您的回复，以前也有老哥说过电感方向的问题，因为是工字电感，生产的时候没办法去逐一区分极性，毕竟两个引脚都是一样长。并且（原理图一）已经是大批量产品，我怀疑元件质量或选型不合理，所以寻求大家的帮助，谢谢！
king5555 发表于 2024-5-28 00:40
这种电路可以仿真还蛮有可信度，电感和电容的內阻要列入。仿真并非任何电路都可靠。
感谢您的回复，这个电路我仿真不出来，可能水平有限不知道如何在我现有的软件上去画出此图，（原理图一）这个已经是批量性产品，现在这些问题我怀疑是元件选型不合理或者元件质量不好，如果是元件选型不合理，我拜托各位帮我指正并提出您的意见。接下来会批量去老化（原理图二）的成品，但对元件的选型是否正确我还不确定，拜托各位帮忙给出您宝贵的意见，谢谢！
有老哥指出DZ1稳压管用12V或者15V比较好，我更新了原理图，DZ1用11V，这样可以与DZ2元件通用，另外拜托各位帮忙指正这个原理图的元件选型是否合理，非常感谢！
415660806 发表于 2024-5-28 10:53
感谢您的回复，以前也有老哥说过电感方向的问题，因为是工字电感，生产的时候没办法去逐一区分极性，毕竟 ...
先调换L2方向试下什么情况，如果确认是它的安装方向错误，可以让加工生产它的厂家做好标记（色点标记冷或者热端），以便于区分……
本帖最后由 13952016708 于 2024-5-28 12:49 编辑
我也不是很懂非隔离电源，但我想请问楼主：
1. 串联在L端的防浪涌热敏电阻NTC初始常温电阻您取的阻值10欧，有理论根据吗？因为在通电瞬间，大高压电解相当于短路，而MOS管栅极几乎同时通过R3，200K得电饱和，高压通过C1（看成短路）L2（有点阻尼），mos的源极、漏极，R1到高压地了。所有的启动迟滞全部靠这颗热敏电阻，建议加大热敏的阻值，同时加大其体积（瓦数）。
2. 在稳压管DZ1两端之间并联一个0.47-1UF/630V的CBB高压电容，也可以防止Q1通电瞬间饱和太快。也保护稳压管。
3. R1又不是开关电源中MOS管的侦测取样电阻，要算的很准的精密电阻，（此处无电压反馈），适当加大阻值和瓦数，对低压没啥影响。但能侧面保护MOS。
只是个人不成熟的试验方向建议。
补充：我看了一会，图太小，但意思明白，就是用光耦和MOS通过自举方式把高压地和正常地“连起来”，比一般的非隔离电源要好。:handshake
415660806 发表于 2024-5-28 10:51
感谢您的回复，半波整流没办法实现，因为这个电源是支持12-240VAC/DC，而驱动的继电器是12V的，没办法做 ...
之前批量生产的也有这问题？
建议启动电阻r3用几个大功率串联代替，开关管vgs电压需要大于10v,稳压管可以选15-18v。g,s需并电阻，改封装加散热片，完善电路可以在取样电阻
加个三极管实现过流保护，，，，
如果是仿抄的电路，又不修改电路。不变动元件参数不一定适合你的指标要求。
需要按照最大功率和负载电流，，等，尝试重新选值。
13952016708 发表于 2024-5-28 12:43
我也不是很懂非隔离电源，但我想请问楼主：
1. 串联在L端的防浪涌热敏电阻NTC初始常温电阻您取的阻值10欧 ...
感谢您的回复：
1、这个10R电阻目前是1W，这颗电阻取值没有经过严谨的计算，是根据电源芯片经验上搬过来的，目前这颗电阻没有坏过，如果烧了那一定是后面MOS击穿短路了。
2、稳压管并联电容这个方式没有尝试过，我可以实验看看具体效果。（这颗稳压管功率只有0.35W，需要这么大和高耐压的电容吗？）
3、R1是类似于开关电源中电流取样电阻，这颗电阻在电路中用于保护MOS管，实际上此电阻击穿有可能MOS也击穿了。
依依不舍 发表于 2024-5-28 13:22
之前批量生产的也有这问题？
建议启动电阻r3用几个大功率串联代替，开关管vgs电压需要大于10v,稳压管可 ...
感谢您的回复。这个是最近才发现的问题，前面批量生产没有发现这个问题，也有可能是没有经过长时间老化（老化方式：工作10分钟后断电10秒再上电）。DZ1稳压管我能否用11V呢？这样DZ1、DZ2可以用同一颗料。R3电阻限于安装空间的问题目前只能用1W的，不能再用大了，不然放不进去。这个也不算是完全仿抄电路，也稍微有点改进，完全仿抄出来成本受不了。
您的建议很好，但这些都需要升级PCB，这是目前办不到的。就2楼的电路希望能得到您宝贵的建议，非常感谢！
415660806 发表于 2024-5-28 13:52
感谢您的回复：
1、这个10R电阻目前是1W，这颗电阻取值没有经过严谨的计算，是根据电源芯片经验上搬过来 ...
楼主你好，没见到实物照片，再请问一下：
1.这个10R电阻是用的黑色的像瓷片形状的热敏电阻吗？还是普通1W的金属膜电阻?
2.ZD两端接高压瓷片也行，X2电容也行，104、224/275V一毛钱左右。在上电瞬间，通过200K对新加的电容的充电作用，延缓栅极电压升高速度。
3.MOS号称4N60，并不代表4A，实际使用2A以下才安全。所以R1加大阻值，加大瓦数很重要。
:L 我吃过火线上那颗热敏电阻的亏，所以对这个元件取值分外重视。也是一款电源，做实验、小批量PP均ok但是数量一大，烧后面的东西，我是整流桥烧，一千个里烧3-5个，客户的眼神就不对了。所以在体积允许下，加大瓦数、加大阻值:lol :handshake
祝你顺利！
本帖最后由 fshwen 于 2024-5-28 18:42 编辑
415660806 发表于 2024-5-28 09:03
感谢您的回复，您可能说到问题关键点子上了，我准备把光耦换成4N25。
不知道实际用的什么光耦，就图上的4N25来说，我看了一下这个光耦的LED电流可以达到60mA，最大压降1.5V，按图上参数简单计算12-1.5/660约为16mA，传输效率最低20%，到达CE端只有3.2mA，所以我觉得可以减小R4的值，按最大60mA来算R4最小可以取到约175欧，这样到达CE端有约12mA，这是不考虑温度和实际情况，具体情况如何不敢妄断，可以先用400欧试试，这样这个电路的自身功耗不小
补充，R3按200K，稳压管11V算功耗有约0.5W，按150K和6V算有0.6W多，那么温度高是很正常的，烧电阻就是功率选小了
415660806 发表于 2024-5-28 10:58
感谢您的回复，这个电路我仿真不出来，可能水平有限不知道如何在我现有的软件上去画出此图，（原理图一） ...
这种电路必須工作在自激振荡的开关式降压。一旦停止振荡了就变成线性穩压，此时功耗很大，情況就是您的很。线性穩压只能在输入电压较小时候。仿真不出来完全是原本的电路有缺失，趁这机会你把它修改一下。这个自激振荡不是正反馈型的方波产生，而是在MOS管输出端不时会有断续振鈴。（原理你自己都已经讲了！）
13952016708 发表于 2024-5-28 16:27
楼主你好，没见到实物照片，再请问一下：
1.这个10R电阻是用的黑色的像瓷片形状的热敏电阻吗？还是普通1 ...
感谢您的回复，
1、这个10R电阻就是普通的绕线电阻或金属膜电阻，目前从批量生产来看这颗电阻没有问题，就算后面MOS烧了，这颗电阻也不一定会烧。
2、ZD1两端并联电容这个方法我会根据您的建议去验证，但就目前的PCB是没法加上去，因为板子都已经做出来在老化了。
3、MOS确实使用的是4N65，我也看了数据手册，电流在合理的使用范围之内。因为产品上没地方加散热器，温升确实有点高。但产品这个工作电流小于200mA，现在温升这么高，可能是MOS驱动有问题。
您对保护器件的建议我非常认同，在成本和安装空间允许的情况下选择比实际应用功率大的器件确实能减少很多麻烦。（以前选用470V压敏容易炸，后面换成510V或560V的，产品不炸了，进线保护开关会跳，但确实是保护了产品，只能“死道友不死贫道”了:lol ）
fshwen 发表于 2024-5-28 17:51
不知道实际用的什么光耦，就图上的4N25来说，我看了一下这个光耦的LED电流可以达到60mA，最大压降1.5V ...
感谢您的回复；原来是用的CNY17-3，但根据坛友们的建议，这里不适用线性放大光耦，所以改为4N25这种开关型的光耦了。然后您建议减小R4阻值这个方法我认为可行，原来是输出5V的情况下，这个R4电阻是330R，但使用的是CNY17-3，这个传输比较大，所有电流可以适当取小。
king5555 发表于 2024-5-28 20:34
这种电路必須工作在自激振荡的开关式降压。一旦停止振荡了就变成线性穩压，此时功耗很大，情況就是您的很 ...
感谢您的回复，工作原理是一位论坛朋友帮我分析的。我从大家的分析来看，这个电路应该元件选型存在问题，可能驱动MOS的频率不对，有可能自激震荡关断不够快速干脆，压在MOS上面的功率太大了。
本帖最后由 luosifu 于 2024-5-29 10:30 编辑
我个人也猜测是MOSFET工作状态中有放大区所以发热。
4N25也并非完全都工作在开关状态，也存在一个线性区，并且同型号的光耦，不同厂家的线性区都不一样，我大吃过这个亏，设计时用的是仙童，生产时用换用UTC就根本不能用了。
作为外行胡说一句，如果把Q2临时换用电压比较器试一下，就能减少光耦线性区的过渡时间。如果换用电压比较器，发热问题减少了，是不是就可以判断出，问题出在Q2和光耦发光部分共谋让MOSFET工作在了线性区？仅仅是个人瞎说的一个测试方法，并不是更改电路的方法。
如果方便用示波器，建议用示波器看一下光耦CE之间的波形和MOSFET栅极波形