【参赛】交错并联双管正激开关电源

CATBALOU

发现小乐 发表于 2016-2-18 20:21
变压器的的匝数在PDF中已有交代，绕法也没有什么独到之处，就是普通的三文治绕法，初级分两半，中间绕次 ...

顶一下.做的很不错.

也打算仿制一个.不知能否成功？

另外请教一下楼主.

二个变压器的参数.确认一下.

驱动变压器匝比12：12：12匝？（可以增加到20：20：20匝？）

主变压器匝比47：11*2：4*2匝？（楼主你初级用的多大线经？）

其它东西都有.就是这个变压器搞起来没把握.楼主还有啥好的建议吗？

发现小乐

CATBALOU 发表于 2017-3-8 14:59
顶一下.做的很不错.

也打算仿制一个.不知能否成功？

驱动变压器建议用大一号的RM8，匝数可以加到20，这个要求不太严，能绕下就好；

主变压器的线我是用的0.46MM的线，看电流大小再定多少根并联用；

变压器只是计算时需要理论支持，制作时只要工多自然手熟，不会太难。

原理图的IC启动电压晶体管Q9后来后来加多了个13001做成达林顿驱动，驱动快了点，Q9也不会太热了。

电源已稳定工作了一年多，几乎每天都开，每次工作3~6小时。

发现小乐

南国之星 发表于 2016-9-25 23:33
看波形滤波电容,容量取值偏小, 变压器绕法简单点,漏感偏大! (看波形) 说错勿怪!

经验之谈啊，电容是看手中有的件和板上能放多少而定的，绕变压器的确是现学现做。

发现小乐

shiuyipyuen 发表于 2016-10-27 13:10
希学习开关电源的稳压技术,有这个,输出电压就不是开环的20V水平.而是20mV水平,功放

的声音更好,更给力 ...

开关电源的稳压技术反而不是太难，难的是各种保护技术！

反正这个是自己设计，制作，使用。所有可能都在掌握中。再加上只能算是练手实验版，所以只留核心，其它的 能省则省了。

在这个基础上，待以后再制个高大上的了

秋末肖邦

发现小乐 发表于 2017-3-14 23:17
开关电源的稳压技术反而不是太难，难的是各种保护技术！

反正这个是自己设计，制作，使用。所有可能都 ...

您好！本人是个新手，最近也想捣鼓一个开关电源用在甲机上面，比较喜欢您这个电路，有几个问题想请教一下，还望不吝赐教：
1 3525外部RC振荡频率到了11脚和14后是不是各分一半，比如振荡频率为100K,那11.14脚是不是各50K
2 您在计算变压器时，ETD49的有效磁芯面积Ae和磁通密度取得是多少，我取Ae 211mm2，磁通密度取0.3T,是否合适？
3 我参考《开关电源手册》正激变压器设计 计算主路次级电压时根据公式Vout=VS/Dmax(假如Dmax取0.5) 计算出次级绕组电压时140/0.5=280V,由此算出次级主路140V的匝数为42匝？这是什么原因，您的匝数取得是22匝.不知道我是哪个地方出错了，希望您能帮忙解惑，谢谢！

秋末肖邦

发现小乐 发表于 2017-3-14 23:17
开关电源的稳压技术反而不是太难，难的是各种保护技术！

反正这个是自己设计，制作，使用。所有可能都 ...

今天有反复看了您的回复，明白了主输出是交错并联，占空比接近1，算匝数时不能按照普通的正激来算！
但是还有个问题，既然您说次级双24V不是交错并联的，那匝数应该可以按照正激的算法，我算出来如下：（双24为48V,N代表该路匝数）
正激次级输出电压为48/0.5=96（管子压降忽略）
匝数公式为为：310/96=47/N
算出N=15（四舍五入），约等于双8匝或双7匝，而您取得是双4匝，这是为什么呢？似乎您再算这个匝数的时候没有考虑占空比呢？

ydqxjch

我是来加分的，那都发不了，只能在这里发了。

发现小乐

秋末肖邦 发表于 2017-4-5 21:37
今天有反复看了您的回复，明白了主输出是交错并联，占空比接近1，算匝数时不能按照普通的正激来算！
但 ...

你的理解是对的，计算时是并联输出的所以占空比用1计算，后来改为分开两组更灵活点。还因此而重绕了一个变压器，但数据上懒得（或是忘记）改过了。

输出电压=供给电压*匝比*占空比

秋末肖邦

发现小乐 发表于 2017-4-26 20:57
你的理解是对的，计算时是并联输出的所以占空比用1计算，后来改为分开两组更灵活点。还因此而重绕了一个 ...

您好 我最近搭了这个电路，驱动波形有点问题，下图是测试的驱动变压器初级的波形，是一正一负，而且不平整，我看您的波形最后调的很平整，是怎么做到的，我的驱动变压器是20.20.20
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发现小乐

秋末肖邦 发表于 2017-6-9 15:41
您好 我最近搭了这个电路，驱动波形有点问题，下图是测试的驱动变压器初级的波形，是一正一负，而且不平 ...

驱动波形和我的一样啊，只要是输出VDS电压波形平滑就够了，

发现小乐

这波形是受驱动变压器的负载而影响的，可能是MOS管子的输入寄生电容大。

秋末肖邦

发现小乐 发表于 2017-6-16 23:02
这波形是受驱动变压器的负载而影响的，可能是MOS管子的输入寄生电容大。

驱动电压会不会低了点正半周平均值才7V多

大傻哥

功放电源是开环的，它有更适用于功放的大动态，更快的反应；
正激，可以提供较大的功率，带载能力更好；
双管正激，没有单管的高反压，没有半桥，全桥的上下管直通的危险，基本上调试完成后就不用再管了；
交错并联双管正激，单组正激的占空比可以做到50%，两组50%错开开通，那就是100%了。就是无论负载如何变，都能即时的得到最足的功率。

技术功底非常杂实...........

发现小乐

秋末肖邦 发表于 2017-6-19 09:31
驱动电压会不会低了点正半周平均值才7V多

这是IRF460的开启电压，在VGS电压超过5V已经能很好驱动MOS-FET了，我这图的驱动电压理论上稍小于18/2=9V，比别人的12/2=6V好很多了。

看你的图，电压峰值也超过9V了，大的驱动电压能加快MOS管的开启速度，减少管子的开启损耗。

发现小乐

秋末肖邦 发表于 2017-6-19 09:31
驱动电压会不会低了点正半周平均值才7V多

这是IRF460的开启电压，在VGS电压超过5V已经能很好驱动MOS-FET了，我这图的驱动电压理论上稍小于18/2=9V，比别人的12/2=6V好很多了。

看你的图，电压峰值也超过9V了，大的驱动电压能加快MOS管的开启速度，减少管子的开启损耗。