|

楼主 |
发表于 2014-4-2 17:23:46
|
显示全部楼层
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通 这样
PNP晶体管的集电极与基极之间
成低阻状态而使得晶体管导通;
若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,
则MOSFET截止,切断PNP晶体管 基极电流的供给,
使得晶体管截止。
由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
——IGBT栅极与发射极之间的电压;
——IGBT集电极与发射极之间的电压;
——流过 IGBT集电极-发射极的电流;
——IGBT 的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压,
即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,
如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则
IGBT可能永久性损坏;
同样,如果加在IGBT
集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,
流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流
,IGBT的结温超过 其结温的允许值,IGBT可能会永久性损坏。
|
|