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楼主: zzfjct

晶体管收音机电路的十大争议话题之六

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 楼主| 发表于 2025-1-27 10:33:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 zzfjct 于 2025-1-27 14:09 编辑
乙猪 发表于 2025-1-27 10:05
β值是直流放大倍数,仅是晶体管的一个参数,用一个参数去给电路下结论(例如:因为β值高,所以XXX),都是 ...


谢谢关注!
本帖仅对β值在低频和高频电路中的有限作用逐一分析,依据的都是基本原理,没有夸大也没有贬低β值的作用,好像没有以偏概全。
不合理之处欢迎探讨。
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发表于 2025-1-27 11:02:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 zzfjct 于 2025-1-27 14:11 编辑
zzfjct 发表于 2025-1-27 10:33
谢谢关注!
本帖仅对β值在低频和高频电路中的有限作用逐一分析,依据的都是基本原理,没有夸大也没有贬低β ...


版主这么严肃认真,我都不知道怎么回复了。

补充内容 (2025-1-28 09:40):
我最初以为题目所说的“争议”是楼主摆擂台,摆出双方同一问题的不同观点,让大家发表意见呢。
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发表于 2025-1-27 18:11:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 grandchen99 于 2025-1-27 18:12 编辑
乙猪 发表于 2025-1-27 10:05
β值是直流放大倍数,仅是晶体管的一个参数,用一个参数去给电路下结论(例如:因为β值高,所以XXX),都是 ...


β不是直流放大倍数,Hfe才是直流放大系数。业余常把它们混为一谈。β值在曲线的各处是不同的,它是Hfe曲线的导数,即在某点的增量Ic增量Ib的比当增量Ib趋向于零时的比值。
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发表于 2025-1-27 21:06:36 | 显示全部楼层
       对于Hfe我一直理解为是低频的放大倍数的表示方法,因低频放大倍数与直流放大倍数很接近,所以可以认为Hfe即是直流放大倍数,也是低频交流放大倍数。
      β表示的三极管放大倍数总称。即包含低频又包含高频,有些材料为了区分是高频的 β还是低频β,把低频的表示成β0
      在三极管手册中给出Hfe时,应该给出完整的测量条件,如Vce=6V,f=1KHz,Ie=1mA等。由于低频放大倍数与直流放大倍数非常接近,所以一些三极管给出Hfe的测试条件时,将f=多少KHz的条件忽略。
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发表于 2025-1-28 08:59:33 | 显示全部楼层
成功把话题带偏。
所以定义不严谨,自然会带来争论。
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发表于 2025-1-28 10:00:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 grandchen99 于 2025-1-28 10:13 编辑
changwanren 发表于 2025-1-27 21:06
对于Hfe我一直理解为是低频的放大倍数的表示方法,因低频放大倍数与直流放大倍数很接近,所以可以认 ...


Hfe曲线应该是晶体管的直流放大倍数曲线(我们在万用表中测得的即是在1.5V电压下,在某个Ib下的此值),既不是高频放大倍数,也不是低频放大倍数。而是在某个测试或是工作条件下Ic与Ib的比值。因有多个测试条件,所以某些手册图中往往画有多条曲线。Hfe曲线的起始部分一般都比较陡,到最后变得成水平样子。表示此以后Ic处于饱和,即使Ib再增加, Ic也不再增加了。
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发表于 2025-1-28 10:19:53 | 显示全部楼层
grandchen99 发表于 2025-1-28 10:00
Hfe曲线应该是晶体管的直流放大倍数曲线(我们在万用表中测得的即是在1.5V电压下,在某个Ib下的此值) ...

这就是个人在理解上的差异,有些资料上为了区分将直流写成hFE,将交流的写成hfe.
hfe.jpg

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发表于 2025-1-28 12:03:35 | 显示全部楼层
changwanren 发表于 2025-1-28 10:19
这就是个人在理解上的差异,有些资料上为了区分将直流写成hFE,将交流的写成hfe.

有根据!

但一般来说"Hfe"指的是“共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数”,而“β”是集电极电流Ic与基极电流Ib函数关系的表达式(即β=Ic/Ib)当Ib趋向于零的的函数值,这是两码事。

当然在晶体管的放大区,Hfe的值和β的值是基本相等的,但如果要说起自动增益控制AGC,及AGC是正向的还是反相的,只得拿Hfe的整条曲线在某处的β值来说了。

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发表于 2025-1-29 08:28:26 | 显示全部楼层
乙猪 发表于 2025-1-27 10:05
β值是直流放大倍数,仅是晶体管的一个参数,用一个参数去给电路下结论(例如:因为β值高,所以XXX),都是 ...

我記得當年因爲β不能充分描述不同頻率下的行爲,故提出hfe的不同大小寫來區分不同頻段的放大能力。後來看到國外資料上是將β作爲一種隨頻率變化的放大能力參數使用,因而對此就不再有什麽疑問了。事實上,用隨頻率變化的觀念去使用β,會覺得很方便的。

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发表于 2025-1-29 10:38:05 | 显示全部楼层
本帖最后由 grandchen99 于 2025-1-29 10:45 编辑
longshort 发表于 2025-1-29 08:28
我記得當年因爲β不能充分描述不同頻率下的行爲,故提出hfe的不同大小寫來區分不同頻段的放大能力。後來 ...


先生还是没有搞清楚hfe与β的关系。一个是X轴的横座标是Ib,Y轴的纵座标是Ic, 另一个是δIc与 δIb之比。这是两码子的事。晶体管的截止频率和噪声系数又是衡量晶体管另外一码子事。
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发表于 2025-1-29 13:41:54 | 显示全部楼层
grandchen99 发表于 2025-1-29 10:38
先生还是没有搞清楚hfe与β的关系。一个是X轴的横座标是Ib,Y轴的纵座标是Ic, 另一个是δIc与 δIb之比 ...

不需要“搞清楚”,搞得太“清楚”,會讓您沒方向的,您提的那麽多問題讓我感覺一點不錯。
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发表于 2025-1-29 14:16:25 | 显示全部楼层
俺没啥文化,自学的一知半解。
在心目中β或hFE这俩都当做直流量看待,求完静态偏置便抛开不管。
遇到高频端口阻抗时从不自己算。只从手册上找Y参数或S参数。也有用spice模型仿真出阻抗的。
音频(<10k)只做过闭环负反馈电路,输入输出阻抗与管子参数几乎无关联。
对长短老师提出的概念非常陌生

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发表于 2025-1-29 14:42:14 | 显示全部楼层
怎样将手册上的S参数换算为晶体管的输入阻抗
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 楼主| 发表于 2025-1-29 15:58:03 | 显示全部楼层
LNF 发表于 2025-1-29 14:42
怎样将手册上的S参数换算为晶体管的输入阻抗

gie为输入导纳,goe为输出导纳,倒数即输入阻抗、输出阻抗。
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发表于 2025-1-29 16:19:04 | 显示全部楼层
MT4S301 发表于 2025-1-29 14:16
俺没啥文化,自学的一知半解。
在心目中β或hFE这俩都当做直流量看待,求完静态偏置便抛开不管。
遇到高 ...

“老師”之謂就免了,所謂概念陌生不是真的吧。β隨頻率變化的曲綫能以波德圖的方式作出來,這不正是您熟悉的方式麽?changwanren老師的這個帖子裏有相關計算公式,不妨參考下:http://www.crystalradio.cn/forum ... &extra=page%3D1
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