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本帖最后由 zzfjct 于 2025-1-28 11:36 编辑
β值在晶体管收音机电路中的作用
β值即共发射极低频电流放大系数，同hFE（也有称hFE为共发射极直流电流放大系数），实际值相同。
在低频电路中，β值与增益正相关，但并不是成正比。
低频功率增益计算公式为Kp（db）=10lg（β·β·RL/Ri）。
某低频放大器β=100，RL=2K，Ri=2.6K，Kp=10lg（100·100·2/2.6）≈38.9（db）。
若改为β=50，RL=2K，Ri=1.3K（β值下降50%输入阻抗也下降50%），Kp=10lg（50·50·2/1.3）≈35.9（db）.
由上述计算可知，β值相差一倍，功率增益仅相差3db，不足增益值的10%。若计算电压增益，则增益相同。
在高频电路中，β值与增益无关，但与输入阻抗有关。
高频功率增益计算公式为Kp=10lg（Yfe/4Yre）或10lg=（2|Yfe|/4ωCc），计算结果是相同的。
公式中的Yfe为正向传输导纳，与Ic成正比，与增益成正比，中频时的Yfe≈Gm，Gm=Ic/26·1000（mS），与频率关系不大。
Yre为反向传输导纳，与频率成正比，与增益成反比，高频小功率（电流≤50ma）管的Yre约5~8μS（465KHz时）。
Cc（Cob）为集电结电容，与增益成反比，3AG1约7pf，3AG21约3pf，3DG6约4pf，东芝高增益管2SC2669约2~3.2pf。3GD6的Cc并不是很小。
从上述计算可知，高频电路的增益与集电极电流成正比，与Yre、Cc成反比，从管子参数考虑要提高增益应选择Cc小的管子。
β值对高频电路的影响有两点需要注意：
一是高β值管的输入阻抗高，对前级的反射阻抗高，会提高谐振回路Q值和信号电压，容易导致自激和啸叫，可以在谐振回路并联100~200K电阻强制降低Q值来避免。
二是对一次AGC有影响，因一次AGC是利用直流反馈降低一中放Ic，从而减小Yfe来实现增益控制的。如果一中放管β值低，同样的控制电压下一中放电流变化小，将达不到预期的控制效果，故β值不宜小于50。
最后提下输入阻抗和Cc。
高频电路中的晶体管输入阻抗Rie等于直流输入阻抗（rbe）和输入电容（Cie）容抗的并联值，频率较高时还要考虑rbb。小电流高频管的Cie约32~52pf，平均值与频率对应的容抗约8.2K，直流输入阻抗rbe=26β/Ic，β=100/Ic0.5ma时rbe约5.2K，并联值约3.2K，不是有些机友所说的几百欧至1K多。输入导纳gie的倒数即Rie，已包括Cie的并联因素。
至于Cc对输入阻抗的影响，采用中和电容的锗管电路一般认为Cc已抵消，硅管的Cc很小可以忽略，对阻抗基本没有影响。
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