@MT4S301 能不能搞个增益可调的前置放大电路

MT4S301 · 发表于 2024-9-29 23:07:06

海河发表于 2024-9-29 20:46
理想很丰满，现实跟骨感啊
分立元件差分，不是这么容易搞的。

如果复杂度上来（增加产生负电压电路），或许可以试试JFET可变电阻。
假期应该有空仿真这种思路

海河 · 发表于 2024-9-29 23:31:28

MT4S301 发表于 2024-9-29 23:07
如果复杂度上来（增加产生负电压电路），或许可以试试JFET可变电阻。
假期应该有空仿真这种思路

搞起来。

qzlbwang · 发表于 2024-9-30 08:24:49

不怕复杂的话，可以试试“平衡抵消”的办法。增益控制的范围应该回比较大。

MT4S301 · 发表于 2024-9-30 16:31:24

qzlbwang 发表于 2024-9-30 08:24
不怕复杂的话，可以试试“平衡抵消”的办法。增益控制的范围应该回比较大。

愿闻其详

MT4S301 · 发表于 2024-9-30 16:34:27

海河发表于 2024-9-29 23:31
搞起来。

忘记问版主，需要的信号频段是多少呢。
500k~21.8MHz，还是7M~50MHz，还是1M~200MHz之类呢...？
还是说窄带，80~120MHz？22~30MHz？
通带上限再高（315M或433M）的用分立不太容易做了

qzlbwang · 发表于 2024-9-30 17:59:44

意思就是将反相的信号与同相的信号混合，只要控制反相信号的大小就可以比较大范围地控制增益了。

海河 · 发表于 2024-9-30 22:00:04

MT4S301 发表于 2024-9-30 16:34
忘记问版主，需要的信号频段是多少呢。
500k~21.8MHz，还是7M~50MHz，还是1M~200MHz之类呢...？
还是说 ...

短波段+超短波段，500K—— 55M 。应该好搞吧

shiuyipyuen · 发表于 2024-10-1 12:12:09

为什么说天线放大器没AGC?

lyfly · 发表于 2024-10-1 12:22:15

这个怎么样？外网的。
元件值：
C1 15-365pF 可变电容器
C2、C3、C4、C5、C6 .1uF/50VDC 聚酯薄膜电容器
C7 10uF/25VDC 钽电容器
D1 1N4001 或其他硅整流器
L1 天线线圈。参见正文和表格。
Q1 J310 JFET（不是 MPF102）
Q2 2N5109 CATV 晶体管
R1、R2、R3 1M-Ohm，1/2W 电阻器
R4、R10、R16 10 Ohm，1/2W 电阻器
R5 680 Ohm，1/2W 电阻器
R6 5K 线性锥形电位器
R7 3.3K 1/2W 电阻器
R8 180 Ohm，1/2W 电阻器
R9 470 Ohm 可变电阻器
R11 195 Ohm，（2 个并联 390 Ohm 1/2W）
R12 4.7 Ohm，1/2W 电阻器
R13、R15 150 Ohm 1/2W 电阻器
R14 39 Ohm 1/2W 电阻器

L1 的线圈表。
注意：线圈抽头应距接地端 1/4 至 1/3。

电感低端高端
180mH 20KHz 95KHz
10mH 85KHz 410KHz
470uH 385KHz 1.85MHz
22uH 1.80MHz 8.70MHz
1uH 8.30MHz 41MHz

海河 · 发表于 2024-10-1 13:05:44

shiuyipyuen 发表于 2024-10-1 12:12
为什么说天线放大器没AGC?

好像一般的普通天线放大器确实没有AGC吧。专业的肯定有。

MT4S301 · 发表于 2024-10-2 15:39:18

又来交作业啦~
这回是2管搭了个电流反馈放大器，用FET线性区做可变电阻控增益。
话说今日能做VHF段可变电阻的FET真不好找，99.99%增强型NMOS都是结电容巨大的功率器件。
某些50元一片的特殊用途MOS结电容小下来然而Rds(on)又太高。耗尽型NFET需要负栅压很麻烦。
看到最后理想选择竟只有SAV-551+，无法接受价格所以退缩。。。
终于回到原点：VHF J-FET+负偏压

电路有两个不很轻微的问题：
1、环路稳定性问题。大约1.4GHz处倾向自激；
2、阻抗匹配问题。这货输入是高阻输出是低阻，离50Ω很远

这些问题应该能被解决，得等之后慢慢尝试了

2T_CFB_HF_VGA_preliminary.png (122.63 KB, 下载次数: 0)

longshort · 发表于 2024-10-3 13:04:43

依靠Ron來做AGC的嘗試我早已經做過了。控制對象的電阻至少大於Ron十倍，才會有一定效果。溝道／結電容小、Ron值低的JFET很多，但都停留在20~30歐姆的水平，50歐姆系統中不適合；增强型MOS管就不用說了，不過可以試試2SK2541，Ron可以達到12~18歐姆，控制電壓也不算高。
在海版500KHz~55MHz範圍需求内，可以試試PIN二極管電路，那個可以做到1歐的水平，但是低端效果不一定好，可以考慮JFET-PIN聯合控制（反正不怕複雜化

）。功耗巨大，慎行！

aihao · 发表于 2024-10-3 13:28:21

一颗mmic就可以啊，ＰＧＡ１０３，Ｎ－０２，运放也可以ＬＴＣ６４００

MT4S301 · 发表于 2024-10-4 17:24:59

今天换换口味，shunt-shunt NFB型结构。整个电路增益基本等于gm1×Rds
有两个缺点：
1、阻抗没匹配
2、增益变化仅6dB

C-H_vga.png (129.8 KB, 下载次数: 0)

MT4S301 · 发表于 2024-10-4 17:46:38

JFET换成MOS，增益变化范围立刻变大

C-H_VGA_MOS.png (118.06 KB, 下载次数: 0)

		自动登录	找回密码
密码			加入会员

@MT4S301 能不能搞个增益可调的前置放大电路

评分

评分

浏览过的版块