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楼主: 孤胆游侠

苏联-索科尔RP-210收音机9管中长波两波段收音机

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发表于 2024-7-2 22:38:10 | 显示全部楼层
VT2发射极电阻较大,即基极偏置电压较高,VD3为适合VD2偏置所设的“钳位”二极管,不应是提高AGC起控阈值。
VT4受VT6发射极电压控制,电流约1ma,可稳定VT1/VT6工作点,比两个二极管串联还多了温漂补偿的作用。
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发表于 2024-7-2 22:44:22 | 显示全部楼层
他们为啥不把 磁棒放在长边上,可是使用比现在更长一点的天线
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发表于 2024-7-3 02:13:43 | 显示全部楼层
zzfjct 发表于 2024-7-2 22:38
VT2发射极电阻较大,即基极偏置电压较高,VD3为适合VD2偏置所设的“钳位”二极管,不应是提高AGC起控阈值。 ...


那么,如果VD2、VD3是硅外延平面DO-35封装的二极管呢?
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发表于 2024-7-3 06:41:30 | 显示全部楼层
本帖最后由 匹诺曹 于 2024-7-3 07:10 编辑


这收音机有特色,像安规电容样的三极管、磁棒线圈的分段绕、喇叭。
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发表于 2024-7-3 13:13:28 | 显示全部楼层
本帖最后由 zzfjct 于 2024-7-3 13:57 编辑
bumk 发表于 2024-7-3 02:13
那么,如果VD2、VD3是硅外延平面DO-35封装的二极管呢?


VT2基极直流电压达1.5V,即使VD2/VD3都是硅二极管,正向压降为2x0.6=1.2V,也不影响正向偏置,偏置电流小一些而已。
检波二极管的直流偏置一般为几十μA。若VD2/VD3是硅二极管,直流偏置约20μA;若VD2/VD3是锗二极管,直流偏置约78μA。
由于检波效率的原因,检波采用硅二极管的可能不大。
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发表于 2024-7-3 14:39:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 bumk 于 2024-7-3 16:03 编辑
zzfjct 发表于 2024-7-3 13:13
VT2基极直流电压达1.5V,即使VD2/VD3都是硅二极管,正向压降为2x0.6=1.2V,也不影响正向偏置,偏置电流 ...



您也知道,偏置直流通路里的二极管,电流都是微安级的,对于VD3来说,几十微安的电流,根本不足以完成您说的“钳位”,得上到毫安级别,VD2产生的AGC“负压”才不会让VD3两端电压差明显变化。否则,AGC一产生负压,VD3两端电压就明显变化,根本就“抵消”了AGC的负压(所以它才会“抬起”起控点,因为需要更大的负压)。

根据这一点,我判断它就是硅二极管,不仅符合10~20几微安的微偏置条件,也符合所标注的电压关系。

我知道您一定不愿意承认,然后我查了一下,果然就是硅二极管
КД521А_Д.pdf (77.01 KB, 下载次数: 39)

如果您打不出西里尔字母,没关系,我这里直接把PDF开头的介绍打出来:
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Для обозначения типа и полярности диодов используется условная маркировка — одна широкая и две узкие цветные полоски на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
КД521А — полосы синие, КД521Б — серые, КД521В — желтые,
КД521Г — белые, КД521Д — зеленые.
Масса диода не более 0,15 г.

您可以自己复制了去翻译软件试试看,这是什么二极管。
顺带一提,不存在您说的,由于检波效率,采用硅二极管可能性不大这种概念,我能给您找出一堆这么用的收音机,比如ITT、诺曼底、飞利浦的收音机,采用各种如BA216、BA315、CDG00……
检波效率不仅仅看结电容,还有反向恢复时间,二极管发射系数(尤其发射系数),根本原因是多数载流子寿命、度越时间造成的。

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发表于 2024-7-3 18:01:23 | 显示全部楼层
bumk 发表于 2024-7-3 14:39
您也知道,偏置直流通路里的二极管,电流都是微安级的,对于VD3来说,几十微安的电流,根本不足以完 ...

关于二极管,资料证明是硅二极管,完全接受。原来推测锗二极管的主要依据是硅/锗二极管的检波性能对比资料。
AGC控制电路由于R11/R24/R25的存在,电流始终达不到毫安级,甚至连0.1毫安也达不到,检波输出的负压不过提高VD3的偏置而已。提高偏置的直接作用是内阻降低,相当于减小控制电路的总阻抗。负压越大偏置越高,偏置越高内阻越小,相当于信号越强AGC总电阻越小,AGC功能是加强不是减弱。
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发表于 2024-7-3 18:52:40 | 显示全部楼层
海河 发表于 2024-7-2 22:44
他们为啥不把 磁棒放在长边上,可是使用比现在更长一点的天线

竖款收音机,这种收音机可以放在上衣左上角的小口袋里听,横款不可以。以前的国产收音机也有不少这种款式,而且外形尺寸比这款俄国收音机稍微矮一些。直径57mm的喇叭、长度50~55mm的磁棒都是专门为这种款式的收音机设计的。
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发表于 2024-7-3 19:17:37 | 显示全部楼层
zzfjct 发表于 2024-7-3 18:01
关于二极管,资料证明是硅二极管,完全接受。原来推测锗二极管的主要依据是硅/锗二极管的检波性能对比资 ...

检波二极管用锗管、硅管还是砷化镓发光二极管,并不是影响检波效率的关键,无信号状态下流过检波二极管的正向电流值才是最关键的,小信号检波器无信号状态下二极管正向电流通常在10μA~50μA之间,而且电流越大,检波器的输入阻抗越小,实际工作电流调试还需要兼顾检波器的输入阻抗不能低于中周次级输出阻抗,因此实际调试大多设定在10μA~20μA之间。
无信号状态下VT2基极电位是1.5V,音量电位器又是串联隔直流电容的,检波负载直流通路就只有VD2、R25、R24、VD3、R11、VT2、R16这一路,没有分支,如果短接VD3,那么无论VD2是锗管还是硅管,VD2的正向电流都太大,大幅增加R11值又会使检波直流负载电阻值大增,那样会导致检波输出波形失真,且AGC电流变量减小。可以认为,VD3在这里的作用就是用来调整检波器静态电流的,VD2、VD3都选用硅管,R25、R24、R11电压总和是0.3V,总电阻值大约25k,二极管正向电流就是20μA。
关于VD3是否可以用做AGC延迟,我认为是不行的。二极管检波器必须为二极管提供闭环的直流通路,由于VD3是检波负载唯一直流通路的一个环节,假如调低VT2基极电位或者把VD3改成两只或多只二极管串联,那么无信号状态下VD3处于截止状态,相当于检波负载直流通路断开,弱信号就无法检出音频包络。

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发表于 2024-7-4 01:42:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 bumk 于 2024-7-4 02:03 编辑
冰岛 发表于 2024-7-3 19:17
检波二极管用锗管、硅管还是砷化镓发光二极管,并不是影响检波效率的关键,无信号状态下流过检波二极管的 ...


冰岛老师只要用仿真软件看一下,就知道了。

这种类型AGC的控制“速率”,和单纯的电阻比,在不同的阶段是不同的,主要原因就是22楼说的,VD3的直流电阻在变化。
他说是加强AGC,我也不反驳,也行,看是以小信号增益为准,还是大信号的控制程度为准。
但是不管怎么说,这里使用二极管,可以达到的效果如下:

1,如果达到同样的控制深度(同样检波输出,受控BJT的Ic减小到相同程度),那偏置通路里使用二极管的,小信号的增益可以更高
2,如果起始增益相同,那偏置回路里使用二极管的,大信号时,控制程度可以更深,而且信号更大时加深更加迅速。

参考二极管的肖克利方程,它的V-I特性是个指数函数,对于这样的小功率信号硅平面外延二极管(就以1N914/4148为参照),尤其在1uA~1mA附近时和方程非常“贴合”,这就导致,它越是被AGC的负压导通,控制的越快。

相比较而言,针对这个电路图,如果用电阻替代VD3,那这个位置大约需要10K左右电阻,即可达到静态电流和使用二极管相近的程度,但它的控制特点,就会像上面所说。这是个很容易的电路,spice跑一下立刻就能看到。包括直流负载变化的影响(影响很小,因为C32非常大)。
Screenshot 2024-07-04 at 01.53.42.png

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多提一嘴:
肖克利.png
肖克利方程里,kT/q就是常说的≈26mV,想必这一点您比我更熟悉。那里的n就是所谓“发射系数”。
如果载流子寿命、渡越时间、结电容都类似,那N约接近1的,检波效率越高(肖特基小信号二极管最接近,所以单看检波效率,小结电容的肖特基最有优势,因为它的多数载流子寿命短的多,反向恢复时间极短)。

至于需要的直流偏置程度,我这里有一个估算方法,即:(2*kT/q)/Rload≈IBIAS+Is,这里的Is就是肖克利方程里的Is,也就是所谓的反向饱和电流。
这样做的目的,主要是想要使得检波二极管大小信号呈现的阻抗更加一致,当然如果有其他考虑,可以用其他程度的偏置,只是这个估算,是总结性的认为比较“普遍适应”的结果。
如果对这个机器使用这个估算,Rload≈1/(1/12+1/23)+2≈10K,IBIAS≈2*26mV/10K -Is,如果按硅外延平面小信号二极管的特点,Is都是几nA级别的,因此VD2的偏置电流应当设置在大约5.2μA(实际上由于VT3的输入阻抗的影响,应该再稍大一些)。
但是这也只代表按照之前所说的目的(大小信号阻抗一致)进行的估算,并不代表一定得这样。

以上。
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