|
发表于 2024-6-9 17:16:11
来自手机
|
显示全部楼层
按电路分析,我估计是这样的:
1、这个电路的控制功率大,所用可控硅的触发灵敏度甚低。
2、没有这个桥堆时,需要给调节导通角的RC电路取较低值的R值(含电位器值)。否则,会因为RC电路的R值过高(可达400k欧),导致所能提供的触发电流不够大,造成控制导通角的功能失效。而当R取低值时,那么就需要C取高值,电容的体积和成本猛增。
3、有桥堆时,触发电流回路中的R值最多只有32k欧,能保证可控硅触发。
4、由于桥堆与32k电阻的连接关系,两只32k电阻对电容C的充电放电作用,在完整的一个工频周期里,实际为零,因此,32k电阻的接入,不影响原RC电路对导通角的控制。
|
|