DIY一个测量三极管（在中频条件下） 输入输出阻抗的附件电路

zzfjct

changwanren 发表于 2024-4-24 20:11
《硅管晶体管收音机》虽然你说问题多多，但他的中频放大电路的计算和设计要比面向工农兵联合设计 ...

该书的高频增益计算竟然采用Ro/Ri/β值的计算公式（音频增益计算方法），太初级了（出于意外的是本坛大佬也有这样计算的），本人在《全国联合设计总结》中没有发现过任何错误（印刷错误除外），70年出版那年买的，还是内部发行，断断续续看过不下百遍。

zzfjct

changwanren 发表于 2024-4-24 20:11
《硅管晶体管收音机》虽然你说问题多多，但他的中频放大电路的计算和设计要比面向工农兵联合设计 ...

上面第二个中周的2.5T实际是7.5T，熟悉中周参数的应该能判断出来，该书164页有正确数据。
还有一处不易发现的印刷错误是＞140mH误为7140mH（160页）。
中放计算设计在4管机中介绍较多。

补充内容 (2024-4-25 11:22):
第一个中周的1.5圈是电感耦合双调谐的常用数据，不是单调谐中周。

补充内容 (2024-4-25 11:54):
上海产MTF-2-1电感耦合双调谐中周相同位置的圈数是1圈。

longshort

zzfjct 发表于 2024-4-24 18:16
笔误了，问的是Iceo怎么测？不是基极悬空吗？与Icet测量有区别吗？

其實我的意思是，從前的Iceo在測量上是比較粗放的，而且一般技術書籍裏也是遵循這個做法，直接將基極懸空時的集-射電流作爲Iceo。實際上這個電流包含了Icbo*hfe的部分，因爲此時Icbo在基極懸空的情況下只能進入基極並通過hfe放大。所以我提出Icet與真正的集-射穿透電流Iceo相區別。

回頭審視30樓的步驟，發現在第三步驟還少了一步，即要減去Icer(r=0)所包含的Icbo，所以縂的步驟是：

１）基極懸空測得Icet；
２）測Icbo；
３）基-射短接測得Icer即r=0時的Iceo'；
４）從Iceo'中減去Icbo即，Iceo=Iceo'-Icbo；
５）hfe=(Icet-Iceo)/Ib。

第四步得到Iceo，第五步是得到此時的hfe，這個不是必須的，但可以判斷管子的直流品質。

步驟都清楚了，怎麽連接管子、電源、電流表就不用多説了吧。

longshort

zzfjct 发表于 2024-4-24 20:26
该书的高频增益计算竟然采用Ro/Ri/β值的计算公式（音频增益计算方法），太初级了（出于意外的是本坛大 ...

這個計算也沒毛病，但三個參數都要使用相應頻率下的值，這樣才能得到符合要求的結果。直接使用直流下的參數一定出現不合理的結果。

zzfjct

longshort 发表于 2024-4-25 08:18
其實我的意思是，從前的Iceo在測量上是比較粗放的，而且一般技術書籍裏也是遵循這個做法，直接將基極懸空 ...

Iceo本来就是Icbo*hfe，没见过Icet的定义和测量方法。
晶体管c/e间有2个p/n结，即b/c结和b/e结。测Iceo时b/c结反向偏置，b/e结正向偏置，短路b/e结测出的就是Icbo。
为什么不明白概念就争论，还整出个莫名其妙的Icet？

zzfjct

longshort 发表于 2024-4-25 08:21
這個計算也沒毛病，但三個參數都要使用相應頻率下的值，這樣才能得到符合要求的結果。直接使用直流下的參 ...

你倒是算一个实例看看，还有高频下的Ro/Ri怎么确定？有高频下的β值吗？

longshort

zzfjct 发表于 2024-4-25 11:09
Iceo本来就是Icbo*hfe，没见过Icet的定义和测量方法。
晶体管c/e间有2个p/n结，即b/c结和b/e结。测Ice ...

是您自己沒有明白概念及其意義，沒有定義可以自己定義，爲什麽不？

longshort

zzfjct 发表于 2024-4-25 11:14
你倒是算一个实例看看，还有高频下的Ro/Ri怎么确定？有高频下的β值吗？

給您看一個實例，2N3904的波德圖：



這圖要看明白了，其他有關問題就都解決了。

zzfjct

longshort 发表于 2024-4-25 12:23
給您看一個實例，2N3904的波德圖：

这个10ma/几百兆的高频管的hfe曲线对计算零点几ma/零点几M的中放电路增益有帮助吗？hfe随频率下降人所共知，需要的是在一个具体的电路中怎样根据Ro/Ri/hfe计算中放增益。

longshort

zzfjct 发表于 2024-4-25 12:51
这个10ma/几百兆的高频管的hfe曲线对计算零点几ma/零点几M的中放电路增益有帮助吗？hfe随频率下降人所 ...

看來咱倆不在一個溝通層面上，抱歉打擾了。

冰岛

changwanren 发表于 2024-4-24 12:41
对于三极管Iceo对中周Q值影响有多大，我没有找到相关资料，若坛友有相关资料，发出来给大家分享一 ...

我认为，Iceo对处于共发射极状态的三极管输出阻抗影响是比较大的，对处于共基极状态的三极管输出阻抗影响比较小。
您在26楼提到了Iceo和Icer，Iceo指基极悬空、集、射极加正向工作电压状态下的集电极电流，Icer指基极与发射极之间接电阻（下偏置电阻）、集、射极加正向工作电压状态下的集电极电流。Iceo通常是大于Icer的，而且远远大于Icer，其原因是Iceo主要来源于Icbo被三极管放大，Icer可以认为是基、射极间接入电阻旁路掉Icbo，该电流直接从集电极泄漏到发射极。显然，形成Icbo的根本原因是三极管集电结反向漏电形成的电导，这个电导在共发射极放大器中是一个反馈电导，也就相当于三极管内部增加了一路电压并联负反馈，电压负反馈会使三极管的输出阻抗降低，并联负反馈会使三极管的输入阻抗降低。
另外，三极管的Iceo与其静态集电极电流没有必然关联。Iceo是基极悬空状态下的集电极电流，在放大电路中工作的三极管，基极必须有直流偏置，Icbo比较大的锗管通常要用分压偏置，分压偏置电路会旁路掉Icbo，因此放大电路的静态集电极电流是可以小于三极管Iceo的，但必然大于Icer。

changwanren

冰岛 发表于 2024-4-27 03:54
我认为，Iceo对处于共发射极状态的三极管输出阻抗影响是比较大的，对处于共基极状态的三极管输出阻抗影响 ...

      猜测Icer会对三极管的输出阻抗产生影响。但影响究竟有多大，他跟Ic比，谁的影响更大，找不到相关资料，又没有较多的实验数据，没有数据支持，无法下结论。

radio988931

实用工具 楼主厉害！ 热转印PCB制作效果很棒！