DIY一个测量三极管（在中频条件下） 输入输出阻抗的附件电路

changwanren

935482411 发表于 2024-4-23 21:05
图片中，确定是C1815？1815的箭头方向不对吧？

   图中的C1815实际实用的是A1015，谢谢坛友的校对。

changwanren

2、输入阻抗的测量
  （1）9018在Ic=0.36mA时，输入阻抗是6.87KΩ
    (2) 3DG6B在Ic=0.36mA时，输入阻抗是4.78KΩ

siyin

常老师：早上好！问一下，同型号的不同管子，在同电流的情况下，差别大不大？

尚书郎

精确到每个元件性能，这个才是科学素养。

MF35_

3AG1E和3AG1C输出阻抗差别这么大主要是受集电结电容影响

changwanren

siyin 发表于 2024-4-24 08:50
常老师：早上好！问一下，同型号的不同管子，在同电流的情况下，差别大不大？

      三极管的离散性的大小，要看是什么年代生产的，现在生产的三极管，离散性较小了，同一型号的三极管各项参数较接近，但也有差异。早年生产的三极管，即使是同一型号，参数也有较大的差异，如过去的锗管3AG1D标有“绿”点的三极管，放大倍数是给定的是一个区间，有些参数给出的是小于等于或大于等于。
     至于差别大不大，只能相对比较。

changwanren

      关于三极管的输出阻抗，共发电路输出阻抗在几千欧至几十千欧，共基电路输出阻抗在几十千欧至几百千欧。

zzfjct

changwanren 发表于 2024-4-23 14:01
三只锗管的输出阻抗
   测量3AG1E在Ic=0.44mA时，输出阻抗为50.5KΩ。
   测量另一只3AG1E在Ic=0.42mA时 ...

“测量3AG1C在Ic=0.41mA时，输出阻抗为10.3KΩ”，认为是Iceo影响所致，这个阻抗值已经极大限制了Q值。
Iceo对应的阻抗完全可能小于输出阻抗，如何排除Iceo对输出阻抗测量值的影响？

changwanren

zzfjct 发表于 2024-4-24 10:58
“测量3AG1C在Ic=0.41mA时，输出阻抗为10.3KΩ”，认为是Iceo影响所致，这个阻抗值已经极大限制了Q值。 ...

     对于三极管Iceo对中周Q值影响有多大，我没有找到相关资料，若坛友有相关资料，发出来给大家分享一下。个人感觉Iceo是直流，三极管的静态电流Ic也是直流，若Iceo对中周Q值影响很大，那么Ic对中周Q值影响应该更大才对，必定Iceo远小于Ic的0.41mA。实际电路中的Icer要比Iceo小很多。
      特意测试了9018和3AG1C的输出曲线

zzfjct

changwanren 发表于 2024-4-24 12:41
对于三极管Iceo对中周Q值影响有多大，我没有找到相关资料，若坛友有相关资料，发出来给大家分享一 ...

有了能读取数据的输出曲线，还要舍近就远模拟计算干什么？
根据定义，输出曲线斜率的倒数即内阻（输出阻抗）。24楼下图3AG1C的最上面那条输出曲线，Rs=（4.8-0.8）V/（1.15-1.09）ma≈66.67K，这就是Ic≈1.1ma时的内阻（输出阻抗）。下部第一条输出曲线与X轴基本平行，说明该管Iceo很小。Iceo与Ic不同，Ic受Vce影响很小，Iceo与Vce基本成正比。
可以将上面那只输出阻抗10.29K的3AG1C上示波器，看看输出特性曲线是否符合上述结论。
用模拟电路测量计算高频电路误差很大。除了Iceo对输出阻抗有影响，中频变压器的插入损耗、耦合度、极间电容对反射阻抗影响很大。

changwanren

zzfjct 发表于 2024-4-24 10:58
“测量3AG1C在Ic=0.41mA时，输出阻抗为10.3KΩ”，认为是Iceo影响所致，这个阻抗值已经极大限制了Q值。 ...

    测量了两只管子的穿透电流：
     3AG1C在6伏电源下Iceo由5mA上升，将基极和发射极连一只5.6K电阻，Icer=0.1mA
     3AG1E在6伏电源下Iceo由0.5mA上升到1mA，将基极和发射极连一只5.6K电阻，Icer=0.005mA，5uA。

zzfjct

changwanren 发表于 2024-4-24 14:50
测量了两只管子的穿透电流：
     3AG1C在6伏电源下Iceo由5mA上升，将基极和发射极连一只5.6K电阻， ...

实际电路不是仅基极对地接5.6K电阻，还有上偏置电阻，Ic介于Icer和Iceo之间，更接近Iceo。
Iceo=5ma的管子已经没有测试价值。

changwanren

zzfjct 发表于 2024-4-24 14:50
有了能读取数据的输出曲线，还要舍近就远模拟计算干什么？
根据定义，输出曲线斜率的倒数即内阻（输出阻 ...

    我的理解是由三极管输出曲线求出来的输出阻抗跟高频使用条件下的输出阻抗并不相等，若是相等的话，官方就没有必要给出在指定频率下的goe曲线了。

changwanren

zzfjct 发表于 2024-4-24 14:50
有了能读取数据的输出曲线，还要舍近就远模拟计算干什么？
根据定义，输出曲线斜率的倒数即内阻（输出阻 ...

      对于这个电路的测量阻抗误差虽然很大，但不能否认对于业余爱好者有实用价值，必定能够得出每个三极管在给定的电流条件下，得到了对中周有载Q的影响。至于你说的中周的损耗、耦合度等影响因数，必定是在测量不同的管子时，使用的是同一个中周，难道中周自身的损耗，耦合度要随测量的三极管的不同而变？
     通过有载Q值计算出来的误差可能很大，必定有测量数据提供参考和比较，总不能把两只三极管输出阻抗大的给测小了吧？能够比较出两只三极管的那个输出输入阻抗大，对我的需要来讲就有实用价值，总比不知道那个大那个小要好。

longshort

不太同意所謂Iceo對輸出阻抗會有影響的説法，這確實是包含在Ic中的直流成分，對阻抗本質上不構成影響。若懷疑有影響，建議通過實驗拿出依據來，這樣比較合理。

關於Iceo說點題外話。實際上基極懸空測得的電流是Icet，下標t表示total即縂電流，理想的成分是Icet=Iceo+Ib*hfe。

我對手頭的幾個鍺管作了測試，大體符合上述規律。測試過程是：１）基極懸空測得Icet；２）測Icbo；３）基-射短接測得Icer即r=0時的Iceo；４）hfe=(Icet-Iceo)/Ib。

回到Ic的問題。晶體管上下偏流電阻的作用，在通常情況下，下偏流電阻用來旁路Icbo，上偏流電阻用來提供晶體管正常工作所需的Ib，在基極中這兩個電流方向相反，Icbo不會通過hfe影響Ic，此時真正的Iceo在整個Ic中占比很小，而Ic本身只受基極信號調製而變化，這個時候才產生所謂“阻抗”，因爲阻抗在交流信號激勵下才有意義。