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发表于 2024-4-11 16:23:52
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本帖最后由 scu319hy 于 2024-4-11 16:33 编辑
在捷配上做了第三版优化版本(白色PCB)
相比第二版(黑色沉金PCB)主要改进了MOS驱动电路,添加了缺失的退耦电容。
现在加热控制MOS在快速开关时已经不怎么发热了。
虽然振荡电路仿真出来的效率已经超过了95%,实测的波形也和仿真几乎完全一致,但输出MOS还是会积热,在连续加热时MOS会升温到60~70度。
发热最严重的是谐振电容,稍微有点烫手(忘了测它的温度)。
退耦电容在空载时也会发热,关闭振荡时的高反压几乎完全消除了。
换了个稍大的磁环绕制了新的输出电感,现在最大启动功率达到了170W(第二版是150W)。
按理说达到200W也应该问题不大,但前面烧管烧怕了,给它留了点余地。
把老手柄的热电偶的铠装不锈钢管矬了1~2mm,启动时明显可以感觉到温度响应比之前快了一点点。但还是有3~5秒的延迟。
目前从室温加热到化锡还是要5秒左右,功率提升到170W似乎没太大变化。
空载时的损耗从原来的3~5W减少到了1.5W左右。
根据当前的压降情况计算,这版的改进后的电源布钱依旧存在约1mOhm的内阻,接线座也有1mOhm以上的接触电阻。
还有改进的必要么?毕竟目前电流采样电阻只有5mOhm(采样精度不受电源线内阻的影响)
看了一下网上的T12烙铁2秒化锡视频,发现他们测试时温度设置的是450度,也就是说前面加热过程完全是开环的
另外,他们测试的温度响应(从显示数字来看)完全是0延迟,感觉有点假啊(哪怕T12的热电偶和发热丝是直连的)
我用裸的热电偶裹点焊锡(加大和烙铁头接触面积)测温度,响应也有3~5秒的延迟。
按理说我现在的加热功率已经比T12强多了,目前影响升温速度的只有手柄的金属支撑和外壳了
把这两部分再优化一下,再把目标温度设置到400度,也不知道能做到几秒化锡? |
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