锗管放大倍数测量疑问

PZHxiaowang

看大师们的回复，又重温了晶体管的一些重要特性知识，学习了。

bumk

zzfjct 发表于 2024-3-17 20:42
同一个晶体管，Ic大时测得的hfe大于Ic小时的值，这个有错吗？正相关并非正比例，同方向增加或减少而 ...

您可真能说：
要不您再好好看看书上，什么是 DC Current Gain






该好好更新一下知识了

汉江水

不要看到lc极限参数就会认为不能超过它。3AX81是过去我国最常用的管子，其lcm＝200mA，过去常用于1～1.5w小扩音机，实际在1.2w以上功率，它的电流均超过了200mA，虽它不会损坏，但hfe己下降很多。这么说吧，用晶体管制作的功放，有些失真与hfe大幅下降有很大关系，也就是瞬时电流超过了某一值，造成hfe大幅下阵形成的，但普通爱好者几乎都不注意这个问题。

maojc

还有与Icm相关的重要参数饱和压降 一般使用定义 额定压降下的最大电流就是Icm.

radio8

Iceo  大，可以做场效应管用么？

whyljh3333

汉江水 发表于 2024-3-17 21:44
国外这种标法有点像80年代所谓的音乐功率标注法，很唬人！

很多大功率管的硅片面积，约5mmx5mm，虽然直接安装在，有良好导热的铜质厚基板上，但想想功耗120W！...

在比指甲盖还小的硅片里，产热量是120W，确实很牛....

所以，3AD6标的10W，应该富余量够足的....

6a2j

不清楚现在新的测量仪器工作原理，以前的老的测量仪器是可以使用1000赫兹交流电源来测的。

king5555

建议测试仪的Ic或Ib有几个，这样可以显示不同的各个參数。

locky_z

我记得89十年代国内书籍给出的Icm定义是：Hfe下降到最大值的1/2时的Ic。

汉江水

locky_z 发表于 2024-3-18 08:37
我记得89十年代国内书籍给出的Icm定义是：Hfe下降到最大值的1/2时的Ic。

有可能是我记错了，不管怎样，国内大功率管lcm是按hfe下降到某一值的电流，而不像国外是用引线承受电流作lcm值，因此国内lcm比国外低得多。比如3055，我记得是15A，实际也只有5A左右，记得在哪个坛子里看到过，他亲自测过的，与3DD15相当。

枫丹白露

用手捏着管子测试可以测试温度稳定性，一般只能自己搭电路测试Iceo，采用交流测试放大倍数才能准确测试，那些测试仪，万用表只是给你看一下的，如果有用，也不会用图示仪了。

60年代的爱好者

这种测试仪的测量结果是很不准确的，特别是对锗管。
只有晶体管图示仪看到的特性比较靠谱。

ling235

枫丹白露 发表于 2024-3-18 09:05
用手捏着管子测试可以测试温度稳定性，一般只能自己搭电路测试Iceo，采用交流测试放大倍数才能准确测试，那 ...

所以我两个表都测一下，找找各个指标都接近的管子，配对还是有用的

老郑小烧

指针表测量hFE的公式是 hFE=Ic/Ib（有些指针表会有标注），并未考虑Iceo，所以测锗管误差很大。
根据电路推导出来的分度函数如下，可见硅锗Vbe不同，不能共用标尺，若仅一条则只能测硅管。

大孔景元

锗管测量倍数偏大的原因是测量电路的结构太简单，一个低电压通过一个电阻提供标准偏流，比如集电极供电电压是2.8v，偏流10微安，用硅管时偏流等于2.8v减去0.7v的be压降再230k除以偏流电阻，得到10微安的偏流，，测量锗管就变成了2.8v减去0.2v的be压降再除以230k偏流电阻，得到12微安的偏流，所以常见的简单测量电路测锗管的倍数比测硅管理论偏大20%左右，测量电路的供电电压越低偏差越大