锗管放大倍数测量疑问

ling235

同一个管子测β值，在指针万用表上测都会偏高，在多功能测试仪上偏低，指针表一百出头的在测试仪上只有七十左右，但测试仪可显示Iceo数值，比较实用。不知哪个表的数值更可信

zzfjct

bumk 发表于 2024-3-17 17:17
我觉得你总是给坛友误导性很强的说法
首先这里测的是共射直流电流增益hFE，而非交流增益hfe
IC对hFE ...

同一个晶体管，Ic大时测得的hfe大于Ic小时的值，这个有错吗？正相关并非正比例，同方向增加或减少而言。
指针式万用表测量hfe时Ib基本相同，hfe大时Ic也大，与指定Ic时测量的hfe有一定区别，这个有问题吗？
hfe也不是什么“直流电流增益”，交流放大系数一般用“β”表示。

顽童50

应该是测量仪更可靠。万用表做比较用还行，单独测某一只管子根本没用。

locky_z

你去了解一下指针表、DT830这种表的hfe测量原理，
他是直接假定你测的是硅管，且假定被测管的BE压降Vbe就是0.6V，然后计算出Ib，因为已经假定了Vbe恒定，因此Ib就是恒定的了（例如10uA),
然后直接测量Ic(也可能Ie)的读数作为hfe.例如测出Ic=2.0mA,就是hfe就是200.0。

由上面原理推断，他是没有考虑Iceo,也没考虑测得是达林顿或者锗管Vbe=0.2V这种状况的。

快乐年

内地产的指针表定义了，NPN是硅管、PNP是锗管。不同型号的指针表测得的数值也有差别。不管是指针表、数字表等等的β都是参考值。

zzfjct

除了锗管的Iceo影响外，2种测量方法的Ic不同，hfe与Ic正相关。

bumk

zzfjct 发表于 2024-3-17 16:17
除了锗管的Iceo影响外，2种测量方法的Ic不同，hfe与Ic正相关。

我觉得你总是给坛友误导性很强的说法
首先这里测的是共射直流电流增益hFE，而非交流增益hfe
IC对hFE有影响，但不是正相关

另外更重要的是，晶体管追求的就是Excellent Linearity，即IC和hFE无关，现在的晶体管，起码中小功率的，都能做到，你可以随便找PDF来看。

汉江水

lc与hfe在某一区间是呈正相关，但过这一区间后成负相关，也就是电流越大，hfe越小。国内晶体管尤其是低频锗管的电流lcm值参数就是hfe下降到某一区间的hfe的70％作为lcm。所以坛友说的非正相关是正确的。

汉江水

下图为上面所述示意图。从图上可看出，超过一定电流后lc与hfe呈负相关。中间hfe近似水平部位就是对应我们常用静态电流，呈一区间段，在这一段hfe就是较理想的。

取长补短

楼主用的晶体管测试仪只能作为定性测量，定量测试只有图示仪准确

zzfjct

汉江水 发表于 2024-3-17 20:53
lc与hfe在某一区间是呈正相关，但过这一区间后成负相关，也就是电流越大，hfe越小。国内晶体管尤其是低频锗 ...

认可lc与hfe只在某一区间呈正相关的说法。
“lcm值参数就是hfe下降到某一区间的hfe的70％作为lcm”有资料依据吗？
Icm一般说法是内部pn结和引线允许的最大电流，与Pcm共同归类为“极限参数”，与其它任何参数无关。

maojc

硅管锗管都一样HFE与测试条件有关，没有一个固定值。以前还有专用
正向AGC控制管，最好的测试条件是在实际工作电流下测。

汉江水

这个资料我原来在纸质书上看过，有2～30年了，书名忘了，是专门介绍国内晶体管制造，参数等方面内容。这么说吧，国产高频小功率管lc是用pN结来规定lcm的。用引线允许承受最大电流一般国外大功率低频管使用，这就是为什么国外管电流标注很大，看起来很唬人，但你用它的电流的1／2去测量hfe的话，hfe仅有平坦段的30～40％，而中国是实打实的。如3AD6管，它的2A电流就是大约70％平坦hfe值，这可以查它的lc～hfe曲线图。另还有Pcm值，国外Pcm值是指在25℃吋，无穷大散热器时的最大耗散功率，而国产管则是25℃吋，无风的封闭环境里，散热器有具体尺寸，且散热器水平放置并不涂黑，而且管子居于散热板正中心且管壳温度为某一值（锗管55℃，硅管75℃）时的最大耗散叻率。如3AD6，则是在环境温度25℃，且管子放在水平放置无涂黑光亮的120X120x4mm的铝板正中心，当管子壳温为55℃时，这时最大耗散功率Pcm＝10w。

汉江水

国外这种标法有点像80年代所谓的音乐功率标注法，很唬人！