介绍一直非常好的三极管偏置电路

girlexplorer

仔细看了一下，对硅管，个人看法如下：

（1）静态工作点的温度稳定性
左图应对β的温度变化好。
右图应对Vbe的温度变化好。应对Vbe温度变化最好的，是最简单的仅仅Rb偏置电路，连Re都不要。
综合考虑，
对于3V电压，左图、右图效果差不多，都是聊胜于无，必要性等于零。
对于6V电压，左图好。
对于9V以上，左图可以做的非常稳定，右图不行。

其实，对于硅管前置放大，除了一些特殊应用场合，如果用阻容耦合，不是多级直接耦合，最简单的Rb偏置即可，Re不需要，分压偏置不需要，左图、右图都是多此一举。
左图的优点仅仅是工厂不用管管子β的不同，适合大批量组装，对性能无意义。

（2）交流放大倍数的稳定性
左图、右图好像一样，都是-β*Rc/rbe，不过，一般好像不管这个。

（3）电源电压变化时的静态工作点稳定性
差不多。

汉江水

如果固定偏置不要RE，那怎么稳定lc电流？

汉江水

左图也并不适应不同放大倍数的管子，原因是串联电流负反馈反馈量并不太大，只能说适用一定范围的放大倍数的管子！

ym78321

汉江水 发表于 2024-2-28 12:09
如果固定偏置不要RE，那怎么稳定lc电流？

固定偏置不要Re的是简单偏置电路，往往是硅管采用，且通常另外有两个硅二极管（3V机以上，或一个硅二极管--1.5V机）的正向压降作为简单稳压的偏置共用电路的。收音机电路图集里有这个规律，无线电期刊里谈“锗管和硅管收音机的偏置电路”的文章里也有介绍（无线电1982.11期36~37页）。

ym78321

ym78321 发表于 2024-2-28 13:45
固定偏置不要Re的是简单偏置电路，往往是硅管采用，且通常另外有两个硅二极管（3V机以上，或一个硅二极管 ...

不知道能不能看清楚。
原文的解释似乎不好理解。

xlf0602

2-19的RE是多余的，RE的负反馈对改善直流工作点的稳定性几乎没有帮助。
2-19改成这样（不过要注意负反馈降低增益），就能利用负反馈改善稳定性：

汉江水

ym78321 发表于 2024-2-28 13:45
固定偏置不要Re的是简单偏置电路，往往是硅管采用，且通常另外有两个硅二极管（3V机以上，或一个硅二极 ...

您说的这我都知道，关健楼主只说了去掉RE，并没有说添加补偿元件，这是一，第二，看截图上是怎么说的，是要温度稳定性更高的电路，用图2一19的电路，而不用图2一17分压电路，这不是胡扯吗？
这个截图是围着2一19转的，认为用硅管电路的话，因有RE存在电流负反馈，温度性能就很好了，即使分压偏置也不如它，还省元件。

汉江水

21V楼的为电压并联负反馈电路，稳定性好多了，不过输入阻抗低，在射极加RE，形成部分电流串联负反馈，更增加了稳定性，还提高了输入阻抗。

ym78321

那就建议多看看硅管收音机电路图吧，实践（别人的实践）是检验真理的标准，厂方设计人员应该算是很专业的了吧。

girlexplorer

非特殊应用场合下，三极管放大电路不需要稳定静态工作点（Ic电流）。

如图，上半图，最简单偏置，不要Re，静态工作点1mA。
最极端情况，放在100度环境运行，温升到120度，β增加80%，加上vbe温升影响，工作点变成2mA，仍能正常运行。见下半图。

（如果初始静态工作点设为0.5mA，那么，放在300度的环境里运行，温升300度，工作点变成2mA，仍能正常运行。
三极管能否承受300度高温，不知道。）

xlf0602

将Rb上端接到C极就明显好一些。

koei

第一个图，肯定比第二个好呀，模拟电子电路中讲过的，带有直流负反馈，工作点受三极管的参数不一致影响最小。

ym78321

girlexplorer 发表于 2024-2-28 20:53
非特殊应用场合下，三极管放大电路不需要稳定静态工作点（Ic电流）。

如图，上半图，最简单偏置，不要Re ...

最好是穿透、温漂、降压三方面的影响都要看。其中温度影响穿透、Vbe、贝塔值,,,抓主要矛盾就可以忽略一个甚至两个。

通常简单偏置不带图2-19中的RE，就是通常说的固定偏置（简单偏置），谁固定？是忽略穿透情况下（比如硅管）基极电流不变，俗称定基流，是中性词，不是说定基流就好，定就没有变，就失去了自我调节的余地（当然在忽略某因素条件下），只是某些情况下简单、能用；
图2-17分压电流负反馈，是变基流，是说能够跟随温升等通过Vbe改变而改变基流，从而稳定静态Ic。

有文字说：图2-19（不含RE）+双二极管1.3V简易稳压，使得变频及中放的偏置变得简单、应对电池降压有效。仅此而已。
图2-17肯定是硅、锗都能用，但锗管（除了4管以下的简易机）超外差都只用图2-17。