介绍一直非常好的三极管偏置电路

girlexplorer

右图，图2-19，温度稳定性比左图好得多。

老衲原来一直没注意，只是凭直觉，用右图的偏置。但没仔细算过。
刚看到书上这篇文章，算一下，就能得出此结论。






补充内容 (2024-2-28 12:02):
很多网友对结论有不同看法，因此，结论不一定准，不作参考。

汉江水

分压式偏置的下偏置流出的电流大约是lB电流的10倍以上，因此温度稳定性远大于右图，这是毫无凝问的。

girlexplorer

非特殊应用场合下，三极管放大电路不需要稳定静态工作点（Ic电流）。

如图，上半图，最简单偏置，不要Re，静态工作点1mA。
最极端情况，放在100度环境运行，温升到120度，β增加80%，加上vbe温升影响，工作点变成2mA，仍能正常运行。见下半图。

（如果初始静态工作点设为0.5mA，那么，放在300度的环境里运行，温升300度，工作点变成2mA，仍能正常运行。
三极管能否承受300度高温，不知道。）

MF35_

汉江水 发表于 2024-2-27 21:05
如果我没记错的话，硅锗两材料的Ⅴbe都为-2.xxmⅤ／℃，只不过锗管的lcbo要比硅管大不少，如仅是Vbe来衡量 ...

对于硅管只考虑Vbe稳定就可以了，锗管Iceo的温度系数比Vbe大的多，所以主要考虑Iceo，而Iceo本质上是Icbo引起的，所以锗管偏置必须在be间接电阻来分流Icbo，锗管除了Iceo这个参数，还有个不怎么常用的参数叫Icer，指be间接一定的电阻后的穿透电流，这个参数就是用来计算be电阻取值的，因为be电阻取得越小穿透电流抑制能力越强，但输入电阻也越低，会影响增益，所以be电阻需要在稳定穿透电流的前提下尽量取大，因此就有了Icer这个参数，实际上衡量锗管能不能用，看Icer就可以了

小鬼头

所贴的资料内容应该没有错。

因为他说的是，对于温度所带来的工作点变化（注意：是温度，而不是电源电压），右图的电路更有优势。

但问题是，对于温度敏感的电路，通常是dc放大器电路。而一楼图里给出的这2个电路，都不是dc放大器（都是AC耦合至下一级的）。实际应用时，温度方面的这些优势，变得不是那么重要，仅仅是在信号动态范围上得益一些而已。

girlexplorer

电压稳定性，两图都非常不好。
论电压稳定性，左图、右图差不多，相差很小，差值可以忽略不计。右图还微好一点。

温度稳定性，算起来还是蛮复杂的。
反正大家也是闲的无聊，算算算。

这种计算，口算肯定是不行的，要笔算。

汉江水

这是什么书上的？纯是瞎写的，固定偏置有分压式的稳定？

king5555

再怎么样，图2-17绝对优于图2-19。怎么图2-18不见了。

ym78321

书上说的是
锗管偏置采用图2-17，
硅管偏置采用图2-19--但有个前提：额外还设有单二极管或双二极管（串联）的简单稳压电路提供偏置电源（往往高频、中频公用），无线电某期专门有文章说这个（具体哪年的忘了）。

汉江水

如果我没记错的话，硅锗两材料的Ⅴbe都为-2.xxmⅤ／℃，只不过锗管的lcbo要比硅管大不少，如仅是Vbe来衡量温度稳定性恐怕并不太妥吧。

xlf0602

对于硅管偏置，如果2-17没有RE，那肯定应该用2-19。可2-17是有RE的，说2-19比2-17更稳定，那是乱说。硅管穿透电流虽小，但是其电流放大系数HFE是随温度变化而变化的，所以硅管偏置可用2-19，但绝对算不上很稳定。

创业爱好者

傻瓜都知道2-17更好。

plazlf

不比30-70年代，现在电阻便宜了，自然电阻分压偏zhi更具优势。
但细看图一和图二，发现图一用PNP ,图二用NPN，从材料温度特性看，硅管肯定比锗管温度特性更稳定。早些时候一般PNP都是锗管，现在PNP的硅管也很多了！ 用电阻分压，硅管肯定是较优的结构。

ym78321

若是硅管，图2-19不要Re，这样Vbe按稳定看，硅管自身Iceo可以忽略，剩下的就是要Vbe稳定----所以硅管的这种偏置叫定基流，很少看到叫基极恒流电路的。
若是锗管管，图2-19有Re也达不到图2-17的效果，因为2-17图中的分压点是个Vbe变化基准、参照点。