|
发表于 2023-11-14 16:12:16
来自手机
|
显示全部楼层
这是BVebo,一般击穿电压都比较低,对高频锗管,最低为0.8v左右,一般为1~1.5V,这就是过去老书上讲的最好不要用万用表测试b一e结反向电阻的原因,小功率绪管一般为5v以上,大功率锗低频管一般为10几~20v,对硅管而言一般为4~8v,一般为6v左右,这就是过去书中说的3DG6集电结损坏后不要丟弃,可用e一b结做6~6.5v的稳压管的原因所在。对楼主所言的b一e反向击穿电压,2v确实有点偏低。一般b一e结反向击穿电压的电流确实为微安级别,特别是小功率管一般数微安~几十微安,均远小于BVceo的电流值。不要认为都是你抄我,我抄你,根本就不是那回事,你如果那样认为,那是你根本没弄懂。BVbeo,BVceo,BVcbo,这三个指标,我测试的管子从过去国产管到现在进口管可以讲不下500只,所以我认为非常正常,也很好理解。 |
评分
-
1
查看全部评分
-
|