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2SC1906数据疑问

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发表于 2023-11-14 12:51:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 quexing 于 2023-11-14 13:49 编辑

以下是2SC1906的疑问,为什么只有2V这么小,如果用47万用表10K挡(或者3V的47表)测量发射结都会烧掉?
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发表于 2023-11-14 13:52:40 | 显示全部楼层
本帖最后由 girlexplorer 于 2023-11-14 13:57 编辑

现在已经很少有书本详细介绍“发射极-基极击穿电压”的确切含义了。

无论如何,这个是三极管的最基本参数,应该给与足够的介绍。

这也是老衲经常吐槽书本,大多书本作者都是只抄,不理解,不但无法解释机理,书本作者连“发射极-基极击穿电压“的确切含义都不理解。

作者碰到搞不清的,一律回避。

是否真的不可恢复的击穿了?老衲现在都不知道。估计无人知道,最权威的电子学教材作者估计都不知道。






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发表于 2023-11-14 13:17:12 | 显示全部楼层
谁出的书?击穿,不是破坏
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发表于 2023-11-14 13:48:22 | 显示全部楼层
好象黑白机UHF高频头用|
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 楼主| 发表于 2023-11-14 13:57:46 | 显示全部楼层
girlexplorer 发表于 2023-11-14 13:52
现在已经很少有书本详细介绍“发射极-基极击穿电压”的确切含义了。

无论如何,这个是三极管的最基本参 ...

不会两伏就穿吧?我们测试的时候用最近新出的表,很多都用3V电池供电,用来测试这个发射结,岂不是击穿?如果用9V电源的1K更加不用说了,
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发表于 2023-11-14 14:16:09 | 显示全部楼层
查了下这个管子的datasheet,确实集电极开路状态,EB的反向击穿电压只有2V,是叫"breakdown"电压,译作击穿电压比较合理。

这是一种极限状态,直接加2V的反压,确实有损坏的可能,一般的高频小功率硅管是可以到5V的,使用要注意。
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 楼主| 发表于 2023-11-14 14:18:53 | 显示全部楼层
protel99se 发表于 2023-11-14 14:16
查了下这个管子的datasheet,确实集电极开路状态,EB的反向击穿电压只有2V,是叫"breakdown"电压,译作击穿 ...

这样真的不能用超过3V的万用表测试了?
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发表于 2023-11-14 14:26:28 | 显示全部楼层
quexing 发表于 2023-11-14 14:18
这样真的不能用超过3V的万用表测试了?

万用表的测试电流很小,应该没问题。  要是直接反加2V恒压,不控制电流,那就完蛋了。
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发表于 2023-11-14 15:30:00 | 显示全部楼层
本帖最后由 枫丹白露 于 2023-11-14 15:36 编辑

击穿电流不大,不会坏,现在的三极管BE反压大概6-7V,当稳压管用很正常,以前有些性能不良的管子都是用发射结做稳压管,发射结参杂浓度高,所以击穿电压会比较低,集电结要提高击穿电压就要降低参杂浓度。
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 楼主| 发表于 2023-11-14 15:33:04 | 显示全部楼层
protel99se 发表于 2023-11-14 14:26
万用表的测试电流很小,应该没问题。  要是直接反加2V恒压,不控制电流,那就完蛋了。

如果按照他的测试条件,应该是断开集电极,发射极电流10μA。万用表测试不超压的话电流一定超过10微安。
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发表于 2023-11-14 15:34:09 | 显示全部楼层
快把这书封面贴出来让大家避坑。
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发表于 2023-11-14 15:49:19 | 显示全部楼层
射频管EB击穿电压很低。这应该可以小电流维持电击穿而不是热击穿,可恢复。不过好像这几天看到过坛上一位大侠说反向电击穿也会影响噪声性能,有不可恢复影响。
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发表于 2023-11-14 16:05:21 | 显示全部楼层
量子隧道 发表于 2023-11-14 15:49
射频管EB击穿电压很低。这应该可以小电流维持电击穿而不是热击穿,可恢复。不过好像这几天看到过坛上一位大 ...

IMG_1062.jpg

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发表于 2023-11-14 16:06:44 | 显示全部楼层
本帖最后由 longshort 于 2023-11-14 16:25 编辑

早期高頻管的BVebo確實比較低,可能和工藝有關,尚未采用多發射極結構,射頻電流一旦較大就會在eb結上不均匀處產生熱擊穿,記得某些微波管甚至還有低到0.5V的。
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发表于 2023-11-14 16:12:16 来自手机 | 显示全部楼层
这是BVebo,一般击穿电压都比较低,对高频锗管,最低为0.8v左右,一般为1~1.5V,这就是过去老书上讲的最好不要用万用表测试b一e结反向电阻的原因,小功率绪管一般为5v以上,大功率锗低频管一般为10几~20v,对硅管而言一般为4~8v,一般为6v左右,这就是过去书中说的3DG6集电结损坏后不要丟弃,可用e一b结做6~6.5v的稳压管的原因所在。对楼主所言的b一e反向击穿电压,2v确实有点偏低。一般b一e结反向击穿电压的电流确实为微安级别,特别是小功率管一般数微安~几十微安,均远小于BVceo的电流值。不要认为都是你抄我,我抄你,根本就不是那回事,你如果那样认为,那是你根本没弄懂。BVbeo,BVceo,BVcbo,这三个指标,我测试的管子从过去国产管到现在进口管可以讲不下500只,所以我认为非常正常,也很好理解。

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