测试一个电源变压器的空载电流及阻抗

qbqian55

    感觉搞的有点复杂了，220V测一下空载电流，算一下空载功率在总功率的10%以下就可以了。大不了再测一下短路阻抗电压。空载情况，带载情况基本有数了。（也可以看一下线包是不是饱满，不排除被铝线骗眼睛）

longshort

10W的電源變壓器，EI型、R型、環形我都定制過，除了EI型容易發熱外，R型和環形的發熱量都很低，而且空載電流也極低，次級空載的初級電感量在55H左右，次級接上等效的負載電阻后的電感量是15H上下，與歐姆定律計算的結果相當一致。我現在能不用EI變壓器就堅決不用，所以我覺得樓主朋友的變壓器繞製參數是有問題的，空載電感量不該這麽低。

ssffzz1

感谢上面几位。

现在我总结的是，用电桥来测试变压器的电感量，是不准确的。变压器的特性和激励电流关系很大。

MF35_

ssffzz1 发表于 2024-8-8 15:38
感谢上面几位。

现在我总结的是，用电桥来测试变压器的电感量，是不准确的。变压器的特性和激励电流关系 ...

是这样的，一般非功率场合使用的电感，磁通利用率是非常低的，所以电桥测出的结果和实际是一致的，但变压器实际上属于功率器件，一般工作在满负荷或接近满负荷的状态，磁通利用率很高，铁心的状态完全是不一样的，所以用电桥测出来的结果和实际相差比较大，同样胆机输出变压器也不适合用电桥测量。

chipset009

MF35_ 发表于 2024-8-8 16:20
是这样的，一般非功率场合使用的电感，磁通利用率是非常低的，所以电桥测出的结果和实际是一致的，但变 ...

因为电桥不知道损耗，所以不准。普通铁氧体和粉芯的那些磁芯品种电阻率非常大，电桥测试时涡流和磁滞损耗可以忽略，所以“准”。硅钢片的这种损耗太大了，所以不准。

chipset009

绕过EI66，叠厚35毫米，初级56欧，插入不同硅钢片，空载4.4-8.4毫安不等。

MF35_

chipset009 发表于 2024-8-8 19:01
因为电桥不知道损耗，所以不准。普通铁氧体和粉芯的那些磁芯品种电阻率非常大，电桥测试时涡流和磁滞损耗 ...

电桥不是不知道损耗，不知道损耗怎么测电抗的切角？电桥本来就是矢量仪器，就是测损耗的。

根本原因是变压器属于高负荷应用的电抗器件，其损耗会随着负荷而变化（其实就是磁通占用率高了以后铁心无法维持电磁效能），而电桥只能进行静态或者低负荷测试，所以无法对高负荷应用的器件参数做出准确评估，同样的还有开关电源上的功率电感，你用电桥测出的电感量与高负荷下完全不同。

中山老曹

电感量跟测试频率，测试电平都有关系的。
测试输出牛的自感，很多LCR不行，因为测试频率没有50HZ，或者更低的20HZ，测试电平才1V，基本是在曲线的弯曲区，测试电流变化一点点，结果就改变的很大。这样的结果参考意义不大。
测试输出牛，早期日本牛的测试电平都是5V，50HZ，现在改到1mW，应该是测试信号折合到电感上的输入功率，那么就跟牛的阻抗有关系了。

chipset009

MF35_ 发表于 2024-8-8 19:29
电桥不是不知道损耗，不知道损耗怎么测电抗的切角？电桥本来就是矢量仪器，就是测损耗的。

根本原因 ...

根据硅钢片尺寸，绕线匝数，和电桥工作状态查出硅钢片那个状态下的导磁率，理论计算一下和电桥测试值对照，依旧1-2数量级的差距。这你怎么解释？
还有，如果真像你说的这样，铁氧体和粉芯测量时和实际工作时的状态差得更远，测出来怎么反倒“准”呢？

MF35_

chipset009 发表于 2024-8-9 13:28
根据硅钢片尺寸，绕线匝数，和电桥工作状态查出硅钢片那个状态下的导磁率，理论计算一下和电桥测试值对照 ...

你去看下铁氧体和硅钢片的磁化曲线有什么区别再说吧