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发表于 2021-2-24 11:24:11
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本帖最后由 bluethinkksj 于 2021-2-24 11:56 编辑
改了电路图，去掉过流保护，避开水印位置。
整流滤波最好改为全波整流，用2个二极管，可以减小整流管压降，同时用肖特基整流管，进一步降低压降。
如果用电感滤波，电感是很容易绕制的，因为电感量要求不高。
这个电路的优势是利用倍压整流为TL431提供了较高的工作电压，使得TL431的3脚可以输出较高的电压，从而很好地推动调整MOSFET管，而不用倍压整流时，MOSFET的栅极电压比源极至少高5V，而栅极电压最高就是整流输出电压，所以稳压输出比输入至少有5V压降，是无法忍受的。还有一种搞法是用P沟道MOSFET，漏极输出，类似于LDO稳压器（比如2楼的电路），但是调整管有电压增益，不利于环路稳定，容易自激振荡。利用倍压整流，解决了栅极电压需要高出源极的问题，调整MOSFET管压降可以很小。MOSFET管相对三极管的好处是不需要推动电流，只需要推动电压（低频情况下），而特别容易推，连一个TL431就足够了。另外的优势是，接近饱和时，三极管有0.3V的压降，而MOSFET是有Rds来表征的，大电流MOSFET的RDS可以到1毫欧甚至更小，通过50A电流时，管压降可以比三极管更低。
注意MOSFET管栅极击穿电压是20V，最好再栅极和源极之间加一个15V稳压管保护。
另外谈一下MOSFET管的并联问题，大家都知道MOSFET是负热温度系数，所以并联应用直接并就行了，其实不然，负热温度系数只有在饱和时是成立的，也就是在开关应用下，在线性区，热温度系数和三极管一样是正的，所以并联要用均流电阻。所以最好弄一个大功率的MOSFET，尽量避免并联。
最后，前级弄一个线性调压器比较好，一个千瓦的调压器不贵，能精确匹配输入电压，降低调整管压降。
关于过流保护，要求不高弄个保险丝就行了，汽车保险丝很好找。如果要求高，取样电阻的损耗太大，最好用霍尔电流传感器，但是有点贵，而且电路也要复杂一点。 |
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，调整管最少也得15只往上，还有巨大的散热器，里面的导线都得20平方，够头痛的。
