艾默生“HD4830-3”改数控、可调电源，开源

pdshyh

正在学习单片机就关注数控部分

bg1trk

矿坛铁粉 发表于 2020-8-21 09:48
不用那么麻烦，一页擦除后所有字节都是ff，假定要保存的参数是4个字节，存储的时候再加上1个字节的标志， ...

小试了一下这个办法，写入时间过长，失败了。

硬件初始化时查找标志位、读出存储的数据，标志位清零，解锁FLASH。
触发掉电中断后，偏移量12写入标志位和电压、电流设置值，锁定FLASH。
ADC、DAC都是12位的，存储电压、电流设置值各用4个字节，共8字节，掉电后存储这8个字节还行。加上标志用的4字节，22UF滤波电容挺不住，存储失败了。

液晶屏背光耗电大，手上贴片电容最大只有22UF，可能是留给掉电后保存数据的时间不足造成写入失败。懒得动烙铁，回头再试，硬件稍微改改，这个方法应该没问题。

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        int address = 0x0800E000;
        if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0F0)) != 0xFFFF){address = 0x0800E0F0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0E0)) != 0xFFFF){address = 0x0800E0E0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0D0)) != 0xFFFF){address = 0x0800E0D0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0C0)) != 0xFFFF){address = 0x0800E0C0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0B0)) != 0xFFFF){address = 0x0800E0B0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0A0)) != 0xFFFF){address = 0x0800E0A0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E090)) != 0xFFFF){address = 0x0800E090;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E080)) != 0xFFFF){address = 0x0800E080;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E070)) != 0xFFFF){address = 0x0800E070;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E060)) != 0xFFFF){address = 0x0800E060;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E050)) != 0xFFFF){address = 0x0800E050;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E040)) != 0xFFFF){address = 0x0800E040;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E030)) != 0xFFFF){address = 0x0800E030;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E020)) != 0xFFFF){address = 0x0800E020;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E010)) != 0xFFFF){address = 0x0800E010;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E000)) != 0xFFFF){address = 0x0800E000;}

        UVP         = *(__IO uint16_t*)(address); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其值为16位数
        OCP         = *(__IO uint16_t*)(address+0x2); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其值为1
        mAS_p         = *(__IO uint32_t*)(address+0x4); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其                                               
        mAS_n         = *(__IO uint32_t*)(address+0x8); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其
        WS                 = *(__IO uint32_t*)(address+0xC); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其


    __HAL_RCC_PWR_CLK_ENABLE();
    PWR_PVDTypeDef PWR_PVDStruct;
    PWR_PVDStruct.PVDLevel = PWR_PVDLEVEL_FALLING_6;             //
    PWR_PVDStruct.Mode = PWR_PVD_MODE_IT_FALLING;        //降至阈值电压时触发
        HAL_PWR_ConfigPVD(&PWR_PVDStruct);       
        HAL_PWR_EnablePVD();                                                                //PVD中断
//        HAL_PWR_DisablePVD();
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void HAL_PWR_PVD_Falling_Callback(void){                                                                //PVD回调
       
        FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash;  //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash                               
        HAL_FLASH_Unlock();               //解锁Flash
        int address = 0x0800E000;
        if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E000)) == 0xFFFF){address = 0x0800E000;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E010)) == 0xFFFF){address = 0x0800E010;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E020)) == 0xFFFF){address = 0x0800E020;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E030)) == 0xFFFF){address = 0x0800E030;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E040)) == 0xFFFF){address = 0x0800E040;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E050)) == 0xFFFF){address = 0x0800E050;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E060)) == 0xFFFF){address = 0x0800E060;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E070)) == 0xFFFF){address = 0x0800E070;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E080)) == 0xFFFF){address = 0x0800E080;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E090)) == 0xFFFF){address = 0x0800E090;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0A0)) == 0xFFFF){address = 0x0800E0A0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0B0)) == 0xFFFF){address = 0x0800E0B0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0C0)) == 0xFFFF){address = 0x0800E0C0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0D0)) == 0xFFFF){address = 0x0800E0D0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0E0)) == 0xFFFF){address = 0x0800E0E0;}
        else if((*(__IO uint16_t *)(0x0800E0F0)) == 0xFFFF){address = 0x0800E0F0;}
        else {
                My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;         //标明Flash执行页面只做擦除操作
//                My_Flash.Page = 0x0800E000;                                        //声明要擦除的地址                //STM32F0       
                My_Flash.Page = 28;                                                         //声明要擦除的块                        //STM32G0
                My_Flash.NbPages = 1;                                                //说明要擦除的页数，此

                uint32_t PageError = 0;                                                //设置PageError,如果出现错
                HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError);                //调用擦除函数擦除
        }

        uint64_t uvpocp = UVP + (OCP << 16) ;
        uvpocp = uvpocp + (mAS_p <<32) ;
        uint64_t masws = mAS_n + (WS << 32) ;
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, address, uvpocp ); //对Flash进行烧写，
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, address+0x8, masws ); //对Flash进行烧写
                       
                                                                                                                //F0最少写入两个字节,G0最少写入两个字

        HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
       
}
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单片机是stm32g031 电流大概20mA 电容100uf电解
擦除的时候也可以写入成功 貌似不应该把擦除放在掉电中断里 能用就懒得改了

小帥哥

太深奥了，都是大神级别

jngg

学习学习！