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发表于 2019-12-2 23:25:47
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高压,大电流下IGBT优势明显。比如同样是1000v耐压,一般的功率MOS导通电阻要到欧姆级别,100A的电流就意味着有几十上百伏的压降,MOS管就要有几千W的功率耗散。而IGBT的压降在相同的级别下只有几伏,最多也就只有几百W的功率耗散。在上千伏特,几百上千安培的工作环境下,IGBT是最佳选择。比如高铁的驱动....
MOS虽然可以通过并联的方式来提升电流能力,但要做到更高耐压就势必会加大导通电阻,提升开启电压。相比IGBT不太划算...
而低压大电流下就是MOS的天下了,很小的一只低压MOS管就可以做到零点几毫欧的导通电阻,持续工作电流可以达到几百A,短时间甚至可以达到上千A。我前几年做了个电容储能的点焊机,用来焊电池,并了15只IRLS3034,瞬间放电电流超过4000A,放电时火花四溅 |
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