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本帖最后由 于海旺 于 2019-10-27 09:34 编辑
一代前景诱人的新型器件——真空微电子管
对真空微电子三极管、微电子四极管进行了计算机模拟.
得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时,利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管,进行了测试,并且与理论结果进行了比较。
【摘要】:描述了真空微电子器件的发展概况,特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。
真空和半导体场效应晶体管性能极限的比较
摘要:本文对非常小的真空和半导体场效应晶体管的电子输运、空间电荷效应、阻抗电平、功率电平和频率极限进行了比较。并对寄生电容也进行了比较。介绍了极限弹道电子速度、电压和电流,并预测了器件的等效电路元件、电流增益和功率增益截止频率及尺寸精缩。由于这些微结构具有高频微波性能,所以两种器件都能在毫米波范围内有效地工作,不过真空微电子器件的电压和功率比较高。同时还指出需要与频率成正比的大电流密度,但电阻要低。
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