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楼主: 苏杭

请问,这些晶体管有用吗?(2Z800B、2Z800C、3AX81B)

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发表于 2018-10-12 06:33:45 | 显示全部楼层
锗功率管的穿透电流Iceo都比较大,测量的时候要先扣除,否则beta虚高没商量,我买的一批2Z800测量结果都符合色标。

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发表于 2018-10-12 07:09:05 | 显示全部楼层
锗管是有寿命的,年数很长了,穿透电流很大,几乎不能用了,收藏吧~~~!
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发表于 2018-10-12 08:11:22 | 显示全部楼层
锗管的穿透电流大是天生的,这些管子做功放声音还是不错的。
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发表于 2018-10-12 09:57:03 来自手机 | 显示全部楼层
锗管穿透电流比硅管大得多。锗管性能变劣是由于锗提纯不足和管子密封不够引起。在路工作时,有对地反馈电阻来弥补管子不稳定。锗管用于传统的单端甲类和推挽功率电路,表现优于硅管;而在OTL之类直耦工况下,锗管窘相时而显现。因此,硅管改锗管时不可直代,锗管周边的阻容件必须作相应调整。
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发表于 2018-10-12 10:38:37 | 显示全部楼层
这个问题就是看你的应用了。比如现在无论是收音还是功放,集成电路林林总总,性能普遍好于分立元件,且外围电路简单,可是还有爱好者搞分立元件,这就如同当前用锗管道理相同。
2Z800用于维修小功率收扩音机机,或制作OTL配合3AX63还是不错的,也可以只用2Z800制作准OTL。3AX81 早期的收音机是比较常用的。
只用色点都是出厂时经过检验点上去的(没有作假的必要),是可靠的,你必须用较准确的制造万用表测量,其值对于锗管没有大于200的,3AX81 达到80就相当高了,2Z800能达到60就值得庆幸。
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发表于 2018-10-12 10:49:58 | 显示全部楼层
只用晶体管的寿命以及长期存放对参数的影响。一直认为其寿命是无限的,存放不同于电子管(也不是一定要变化)是不会变化的。
Lgt=-12.4+7080/T
由式可预测器件在不同温度下存储失效至10%时的寿命。如果100℃时,t≈400万小时,即456年。可见该器件在室温下的失效率是很低的
这里看看理论依据:https://wenku.baidu.com/view/01e ... 0ef12d2af9a9a7.html

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发表于 2018-10-12 10:52:45 | 显示全部楼层
锗管并不是因为几乎被淘汰而一无是处。
晶体管应用主要看下面的参数
特征频率;输出功率;共发射极电流放大系数β;最大反向击穿电压。这些参数不取决于硅管还是锗管。在高速开关电路中还要考虑开关时间,集电极饱和压降等,这里就不详细介绍了。
稳定性:
影响晶体管稳定性的因素很多,但一般可根据Iceo(穿透电流)的大小和变化来大致判别。尤其是对温度的稳定性。一般稳定性好的管子,穿透电流都较小,且数值稳定。如果用万用表“电阻挡”(R×100或R×1K)来判别穿透电流,稳定性好的管子电阻就大,且很少变化;如果表针逐渐向电阻小的方向移动,说明该管稳定性不好,表针移动大的管子就不能用。试验时可以用手捏住管壳,使管子温度上升,这样可以看得更清楚。
锗半导体材料的电子迁移率高,适合低压大电流器件,但锗材料的温度特性比硅材料差得多,PN结的反向漏电流远比硅材料PN结大,一般小功率二极管的PN结反向漏电流,硅管基本上量不到,可以做到0.01微安以下,锗管在几百微安上下。所以在大功率器件、高反压器件等,只得采用硅材料。
锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。另外由于硅材料资源广和制造工艺适宜大规模生产所以得到广泛使用而成为电子器件的主角。
饱和压降:锗管的这个饱和压降比硅管来得小。所以在同样的电源电压情况下锗管的动态范围来得大,效率高,这显然是锗管的一大优点。锗管在采用OTL的功放极,效率还是相对较高的。

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发表于 2018-10-12 16:15:01 | 显示全部楼层
这些管子在七十年代初期都是求之不得的宝贝。
3AX81使用在9V电源的机器上,可以输出0.5W以上的不失真功率。
我把2Z800使用在12V电源的扩音机上,输出不小于2W的不失真功率,可以推动一只高音喇叭,供三百人开会使用。

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发表于 2018-10-12 17:14:11 | 显示全部楼层
晶体管用万用表测量参数是很不准确的,只能是参考消息,不能作为依据。
要看晶体管特性如何,还是要用晶体管特性图示仪,那个测量才准确。

图示1.JPG

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发表于 2018-10-13 01:18:30 | 显示全部楼层
以前我也对锗管有点情怀,不过现在看见这些不争气的东西就毫无兴趣。硅管高可靠,不好么?
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发表于 2018-10-13 06:13:27 | 显示全部楼层
摸对了脾气,锗管的可靠性一样高。
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发表于 2018-10-13 10:30:25 | 显示全部楼层
好多人不懂,锗晶体饱和压降比硅管高,只是死区电压低,就乱混淆
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发表于 2018-10-16 06:32:03 | 显示全部楼层
wowowowow 发表于 2018-10-13 10:30
好多人不懂,锗晶体饱和压降比硅管高,只是死区电压低,就乱混淆

麻烦举个例子?
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发表于 2018-10-16 07:12:12 | 显示全部楼层
60年代的爱好者 发表于 2018-10-12 17:14
晶体管用万用表测量参数是很不准确的,只能是参考消息,不能作为依据。
要看晶体管特性如何,还是要用晶体 ...

说的很对~!万用表的电压最多才1.5V,晶体管测试仪可以加很高的电压,和实际应用的环境是一样的!
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发表于 2018-10-16 17:16:10 | 显示全部楼层
楼主,来个X宝店铺链接,你问问店铺老板,81,2Z800测试条件是多少?自己按测试条件测试,看看
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