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发表于 2018-10-12 10:52:45
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锗管并不是因为几乎被淘汰而一无是处。
晶体管应用主要看下面的参数
特征频率;输出功率;共发射极电流放大系数β;最大反向击穿电压。这些参数不取决于硅管还是锗管。在高速开关电路中还要考虑开关时间,集电极饱和压降等,这里就不详细介绍了。
稳定性:
影响晶体管稳定性的因素很多,但一般可根据Iceo(穿透电流)的大小和变化来大致判别。尤其是对温度的稳定性。一般稳定性好的管子,穿透电流都较小,且数值稳定。如果用万用表“电阻挡”(R×100或R×1K)来判别穿透电流,稳定性好的管子电阻就大,且很少变化;如果表针逐渐向电阻小的方向移动,说明该管稳定性不好,表针移动大的管子就不能用。试验时可以用手捏住管壳,使管子温度上升,这样可以看得更清楚。
锗半导体材料的电子迁移率高,适合低压大电流器件,但锗材料的温度特性比硅材料差得多,PN结的反向漏电流远比硅材料PN结大,一般小功率二极管的PN结反向漏电流,硅管基本上量不到,可以做到0.01微安以下,锗管在几百微安上下。所以在大功率器件、高反压器件等,只得采用硅材料。
锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。另外由于硅材料资源广和制造工艺适宜大规模生产所以得到广泛使用而成为电子器件的主角。
饱和压降:锗管的这个饱和压降比硅管来得小。所以在同样的电源电压情况下锗管的动态范围来得大,效率高,这显然是锗管的一大优点。锗管在采用OTL的功放极,效率还是相对较高的。 |
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