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发表于 2010-9-26 23:39:18
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原帖由 castal 于 2010-9-26 18:27 发表 
汝做的是反向Bvceo,不是常用的雪崩管用法,我的理解与下图没有两样,类似于做了稳压管的雪崩试验,要不用稳压管试试。

基于重掺杂PN结隧道效应而制成的半导体两端器件。隧道效应是1958年日本江崎玲於奈在研究重掺杂锗PN结时发现的,故隧道二极管又称江崎二极管。这一发现揭示了固体中电子隧道效应的物理原理,江崎为此而获得诺贝尔奖金物理学奖。隧道二极管通常是在重掺杂 N型(或 P型)的半导体片上用快速合金工艺形成高掺杂的PN结而制成的;其掺杂浓度必须使PN结能带图中费米能级进入N型区的导带和P型区的价带;PN结的厚度还必须足够薄(150埃左右),使电子能够直接从N型层穿透PN结势垒进入P型层。这样的结又称隧道结。
隧道二极管的主要特点是它的正向电流-电压特性具有负阻(见图)。这种负阻是基于电子的量子力学隧道效应,所以隧道二极管开关速度达皮秒量级,工作频率高达100吉赫。隧道二极管还具有小功耗和低噪声等特点。隧道二极管可用于微波混频、检波(这时应适当减轻掺杂,制成反向二极管),低噪声放大、振荡等。由于功耗小,所以适用于卫星微波设备。还可用于超高速开关逻辑电路、触发器和存储电路等。
吾认为 Zener Diode 不太可能表现出负阻特性.
[ 本帖最后由 e3po 于 2010-9-26 23:50 编辑 ] |
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